(EN)抄録/ポイント:抄録/ポイント文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。部分表示の続きは、JDreamIII(有料)でご覧頂けます。J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。Ge/Siヘテロ接合フォトダイオードとアバランシェフォトダイオード(APDs)を製作するため,ウェットウエハボンディング法によりGeウエハとSiウエハを接着した。ウェットウエハボンディング後,250°Cと350°Cの低温と880°Cの高温で熱アニーリングを行い,Ge/Siヘテロ接合を形成した。透過電子顕微鏡法とエネルギー分散X線分光法により,接合部の観察を行った。その結果,880°Cでアニーリングした試料ではヘテロ界面に遷移層があり,界面から20nm~30nm伸びた改質領域が見られた。低温アニーリングした試料では遷移層が非晶質で厚みが約20nmであり,改質層や格子空間の伸びはなかった。文献のテーマを表すキーワードです。部分表示の続きはJDreamIII(有料)でご覧いただけます。J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。文献のテーマを表すキーワードです。部分表示の続きはJDreamIII(有料)でご覧いただけます。J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。ReservedTOP。