408上的空穴传输层412b,形成在空穴传输层412b上的发光层412a,和形成在发光层412a上的电子传输层412c。或是包含氟化锂/铝(LiF/Al)的多层结构。500和600带有多个象素区“P”。(TFT)“T”以及阵列线(未示出)。528的厚度约为几十埃,以便光能透过。P”对应的红(R)、绿(G)和蓝(B)色分滤色片604a、604b、和604c。接着,在黑底602和滤色片604上形成平整层(即,涂敷层)606。604a、604b、和604c之一。(即,缓冲层)502。504,所述有源层504包含沟道区504a和形成在沟道区504a两侧的源区和漏区504b和504c。(即,栅极绝缘层)506。506,也可以在形成栅极508之后,将第二绝缘层506蚀刻成与栅极508具有相同形状。栅极508可以包括例如铝(Al)、铝合金、铜(Cu)、乌(W)、钽(Ta)和钼(Mo)等导电金属材料。后,可以在有源层504的源区和漏区504b和504c上掺杂例如硼(B)或磷(P)等杂质。504的源区和漏区504b和504c。(SiNx)和氧化硅(SiOx)等无机绝缘材料。因此,源极和漏极516和518可以分别与有源层504的源区和漏区504b和504c相连。而且,第四绝缘层520可以具有暴露漏极518的漏极接触孔522。526b上的发光层526a、和形成发光层526a上的电子传输层526c。526c.接着,在有机EL层526上形成第二电极528。(未示出)以提高第二电极528的硬度。604a、604b、和604c设置在象素区内。604可以盖住黑底602。(即,涂敷层)606。接着,在平整层606上形成钝化层608。650和700包括多个象素区“P”。(TFT)“T”以及阵列线(未示出),其中多个连接电极674与每个驱动TFT“T”相接触。P”对应的红(R)、绿(G)和蓝(B)分滤色片704a、704b、和704c。后,在黑底702和滤色片层704上形成平整层(即,涂敷层)706,并在平整层706上形成第一电极708。