(即,选通绝缘层)106。106蚀刻成使之与栅极108具有相同形状。当在有源层104上方的第二绝缘层106上形成栅极108之后,可以用例如硼(B)或磷(P)掺杂有源层104的源区104b和漏区104c。112和114的第三绝缘层(即,隔层绝缘层)110。(SiNx)和氧化硅(SiOx)等无机绝缘材料。而且,源极和漏极116和118可以分别与有源层104的源区和漏区104b和104c相连接。而且,第四绝缘层120可以具有暴露漏极118的漏极接触孔122。122.在图5C中,在第四绝缘层120上的每个象素区“P”内形成与漏极118接触的连接电极124。P”的边界设置黑底202。204a、204b和204c的滤色片层204。204a、204b或204c设置在象素区“P”内。(即,涂敷层)206。此外,在有机EL层210上的每个象素区“P”内形成第二电极212。第一电极208包括氧化铟锡(ITO)和氧化铟锌(IZO)等透明导电材料。210b上的发光层210a、和形成发光层210a上的电子传输层210c。/铝(LiF/Al)的多层结构。