教授)の研究グループと共同で、スピン干渉効果の異方性を実験と理論から詳細に調べた結果、半導体InGaAs二次元電子ガス中のDresselhausスピン軌道相互作用(註1)がゲート電圧によって符号反転することを見いだしました。スピン軌道相互作用は電子スピンに有効磁場として作用するため電場操作を可能にします。従って、電子スピンに作用する磁場の大きさとその向きも電気的に制御することが可能になります。本研究成果は、ヘテロ界面の電場に起因したRashbaスピン軌道相互作用(註2)と組み合わせることにより、スピン緩和抑制などさらに自由度の高いスピンの電場操作が可能となり、スピントロニクスなどに大きく貢献することが期待されます。B」にオンラインで公開されました。助成を受けて行われました。1)Dresselhausスピン軌道相互作用スピン軌道相互作用は、電子スピンが電場中を運動することにより、電場を磁場に変換する相対論的な効果である。InGaAsなどの化合物半導体はIII族原子とV族原子により構成されるため結晶の反転対称性が破れているとともにミクロな電場を形成している。電子スピンこの電場中を運動することにより生じるスピン軌道相互作用をDresselhausスピン軌道相互作用と呼ぶ。このため材料固有の値と考えられてきた。オープンキャンパス東北大学で学びたい方へ社会人・地域の方へ企業の方へ同窓生の方へ在学生の方へ教職員向け過去の新着情報(アーカイブ)本文へサイトナビゲーションへこのページの先頭へお問い合わせ休業日サイトマップサイトポリシープライバシーポリシーソーシャルメディアポリシ。