Japanese)従来、特許文献1のカーボンナノチューブの製造方法が開示されている。特許文献1は、金属を内包するカーボンナノチューブの製造方法に関する特許であり、磁気抵抗効果(以下「TMR」という。)を利用した磁気ランダムアクセスメモリ(以下「MRAM」という。)の応用が示されているが,内包された金属の磁性特性が明らかにされていなかった。特許文献2においては、内包もしくは充填する金属が一種類であった。非特許文献1は、2層金属内包に関する論文であり、非特許文献2、3は、Fe内包カーボンナノチューブの電子線ホログラフィーに関する論文である。Japanese)本発明は、強磁性金属充填カーボンナノチューブ素子及びそれを用いたデバイスに関する。多層カーボンナノチューブにニ種類以上の金属が内包もしくは充填され、該金属が磁性金属および非磁性金属からなり、磁性金属と非磁性金属とが分離されて内包もしくは充填されていることを特徴とするカーボンナノチューブ素子。前記磁性金属と非磁性金属がバーコード状に配置されたバーコードタイプの請求項1に記載のカーボンナノチューブ素子。磁気抵抗効果を利用した磁気ランダムアクセスメモリデバイスに用いられる請求項1または2に記載のカーボンナノチューブ素子。磁気力顕微鏡(MFM)探針に用いられる請求項1または2に記載のカーボンナノチューブ素子。磁気センサーに用いられる請求項1または2に記載のカーボンナノチューブ素子。Japanese)ライセンスをご希望の方、特許の内容に興味を持たれた方は、下記までご連絡ください。