SiCショットキーダイオードオン・セミコンダクターは、650Vシリコンカーバイド(SiC)ショットキーダイオードファミリーを同社製品ラインアップに追加する。動力損失を減らし、デバイスのパラレル化を支援することで、スイッチング性能を向上できる。});電力損失を抑え、スイッチング速度を向上オン・セミコンダクターは2018年3月、650Vシリコンカーバイド(SiC)ショットキーダイオードファミリーを発表した。スイッチング抵抗を低減し、デバイスの並列化を支援することで、電力供給性能を高めることができる。SiCデバイスを提供しているが、今回新たに650V品を追加。6〜50Aの範囲で、DPAK、TO-220、TO-247パッケージで提供される。低いフォワード電圧(VF)と高いサージ容量、正温度係数を備える。SiCダイオードのリカバリー特性により、電力損失を抑えて効率を向上できる。SiCダイオードの高速リカバリーによってスイッチング速度が向上し、磁気やその他の受動素子のサイズを小型化できる。これにより、電力密度が向上し、回路設計全体の小型化につながる。動作温度範囲は−55〜175°Cで、より高いサージ電流に耐えることができる。独自の終端構造を採用しており、安定性と堅ろう性を改善した。太陽光発電インバーター、電気自動車(EV)充電器、テレコムやデータセンターの電力供給など、さまざまな用途で利用するPFC(力率改善)やブーストコンバーターの設計に適用できるとしている。関連記事2〜40Aの定格に対応した1200V耐圧SiCダイオードSTマイクロエレクトロニクスは、2〜40Aの定格電流に対応した1200V耐圧のシリコンカーバイド(SiC)ジャンクションバリアショットキー(JBS)ダイオードファミリーを発表した。全容量電荷47〜115nCのSiCショットキーダイオードリテルヒューズは、シリコンカーバイド(SiC)ショットキーダイオード「GEN2」シリーズに、定格電流8〜20Aの新製品4種を追加した。スイッチング損失が少ないため、逆方向スイッチングのストレスを低減できる。1.25Vの順方向電圧降下と従来世代を17%下回る性能指数(FOM)を可能にしている。MOSバリアショットキーダイオード「eSMP」シリーズを発表した。現在使われているシリコン(Si)パワー半導体デバイスは、デバイス構造の工夫や独自のプロセス技術の開発により目覚しい進歩を遂げてきたが、その性能改善は限界に近づいてきている。製造プロセス技術の進展により、実用化がにわかに現実味を帯びてきた。ダイオードのターンオン特性を把握するスイッチングレギュレータの高周波対応が進んでいる。それに伴い、ダイオードのターンオン特性にも注目が集まるようになってきた。ターンオン特性によっては、スイッチングレギュレータを構成するICが故障してしまう可能性があるからだ。本稿では、このターンオン特性を正しく測定する方法について解説する。LLC.ITmediaはアイティメディア株式会社の登録商標です。