Japanese)簡単な装置構成の変更で感度及び時間分解能の調節が可能な中性子検出装置を提供する。放熱性を互いに異ならせている。Japanese)従来から、超伝導転移温度の高い材料を利用した装置の開発が行われている。超伝導転移温度の高い超伝導材料として、超伝導転移温度が39KであるMgB2が知られている。10Bを構成材料として含むエネルギギャップの大きな10Bを濃縮したMgB2を中性子検出プレートとし、この検出プレートに、中性子が入射した際発生するα線により発生するフォノンを検出するように構成されたものがある(例えば、特許文献1を参照)。シンチレータ板を用いて中性子を二次元的に検出することのできる中性子イメージングセンサも提案されている。このような中性子イメージングセンサは、中性子が入射した際に発光するシンチレータ板と、シンチレータ板に面して二次元的に設けられた波長シフトファイバとを備えることで、二次元的な中性子検出が可能となっている(例えば、特許文献2を参照)。Japanese)本発明は、複数の中性子検出素子部を備える中性子検出装置及び中性子イメージングセンサに関する。請求項1~10の何れか一項に記載の中性子検出素子部を複数個アレイ状に並べて配置した中性子イメージングセンサ。