マテリアルズ」)で実施してきました100mm口径(4インチ)に関する事業開発を、2018年1月末を目途に終了することと致します。)へ譲渡することと致しました。昭和電工は、SiCウェハ等の周辺技術を保有し、既にSiCエピタキシャルウェハの製造・販売を行っており、新日鉄住金グループからの譲渡資産等を活用して日本のSiCパワー半導体市場の本格形成に寄与していただけるものと認識しております。優れ、電力制御時のエネルギーロスを劇的に低減し、省エネルギー、環境負荷低減に大きく貢献し得ることから、次世代のパワー半導体素子の基板材料として高く期待されています。新日鉄住金は、製鉄事業で培った技術を活用して、2007年には4インチ口径のSiCウェハの開発に成功、これを受け新日鉄住金マテリアルズが実用的な製造技術・品質の確立に向けた事業開発を開始、お客様へSiCウェハを提供して参りました。終了する事と致しました。トランジスタや集積回路(IC、LSI)に代表される電気回路素子のこと。電力の変換や制御用に使用される。単結晶ウェハSiCは炭素とケイ素が1:1で結合した化合物。SiC単結晶ウェハは炭素とケイ素が原子的レベルで規則正しく並んだもの(単結晶)を円盤状に切り出したもの。半導体用途に使用される。