Japanese)スペーサ層15の上に、支持脚3を形成する(a)。支持脚3および熱絶縁構造3の下部形成が終了した基板に、アルミニウムからなるエッチングストップ層13を形成し、フォトレジスト工程および塩素ガスプラズマエッチングを施すことにより、熱絶縁構造2上のセンサ回路(熱検知回路)に相当する部分のエッチングストップ層13(アルミニウム層)を除去する。続いて、熱絶縁構造2においては、フォトレジスト工程およびエッチング工程を施すことにより、電極8と、酸化バナジウムによるボロメータ膜9とが形成され、熱検知回路が完成する(b)。熱絶縁構造2の形成時に積層された第2の酸化シリコン膜10の保護膜や赤外線吸収膜11のうち、不要な積層部を除去する(c)。最後に、スペーサ層15のシリコンを二フッ化キセノンで溶解して除去することにより、シリコン基板1から中空に浮いた状態の熱絶縁構造2が完成する(d)。これにより、支持脚3に不要な積層部の残存を回避することができ、支持脚3の配線上に1層のみの絶縁膜が形成されて支持脚3を薄くすることができるので、熱絶縁構造2での熱コンダクタンスの小さい熱型センサを実現することができる。Japanese)シリコン基板上に形成される熱絶縁構造の不要な積層部を除去するとともに、熱絶縁構造を基板上に支持するための支持脚における不要な積層部の残存を回避することにより、熱絶縁構造の熱コンダクタンスおよび熱容量を低減させた熱型センサの製造方法を提供する。エッチングストップ層が除去された部分に熱検知回路を形成するので、熱絶縁構造の熱コンダクタンスおよび熱容量を低減させた熱型センサの製造方法が得られる。