この発明は半導体レーザに関し、特に量子井戸型半導体レーザの発振波長の短波長化及び性能の向上に関するものである。art]半導体レーザにおいて、できるだけ短かい波長で発振させることは応用上非常に重要である。-GaAsコンタクト層、19はp型電極である。well組成比を有し、p−AlGaAsクラッド層16はp−AlGaAsクラッド層17とAlGaAs/AlGaAs多重量子井戸の活性層との中間のAl組成比を有しており、これによってSCH構造を形成している。there.次に動作について説明する。活性層の利得スペクトルは第5図の実線で示される。ここで、n=1,2,3はそれぞれ最低、第2,第3の量子準位に対応するピークである。level.共振器損失は各波長で同じであるため、通常の注入電流レベルにおいてはn=1に対応するピークが一番利得が大きく、この量子準位に相当する波長でレーザ発振が起きる。Invention]従来の半導体レーザは以上のように構成されているので、高い量子準位での発振ができず、短波長を発振させるには量子井戸層を非常に薄くする、あるいはAlの組成比を高くする必要がある。この層厚制御は難しく、この方法による短波長化には限界があり、またAlの組成比が高くなると端面の酸化が起こり易く半導体レーザの寿命が短かくなるなどの問題点があった。.この発明は上記のような問題点を解消するためになされたもので、高い量子準位で発振ができ、さらに同一活性層において波長の異なる複数のレーザ発振が可能な半導体レーザを得ることを目的とする。より逆バイアスを印加したとき生じるエキシトン吸収スペクトルの波長シフトを用いて共振器内部損失を変化させ、種々の量子準位による発振を可能としたものである。tons)のシフトが低次の量子準位間遷移ほど大きいから、低い量子準位での発振波長に対する共振器内部損失が高まり、低い量子準位での発振が抑えられ、高い量子準位での短波長発振が行なわれる。2つの電流注入用電極からの注入電流をそれぞれ独立に制御でき、その発振の制御性を向上できる。以下、この発明の一実施例を図について説明する。−GaAsコンタクト層、7は電流注入のための電極、8は損失変調のための電極、9は電流注入部AとBを電気的に分離する絶縁領域である。B.次に動作について説明する。第2図(a)に利得スペクトルを示す。respectively,第2,第3量子準位間の遷移に対応する利得ピークである。1に対応する遷移の発振が起こる場合を示す。第2図(b)にこの場合の発振スペクトルを示す。次に損失変調部に逆バイアスを印加し、エキシトンピークを第2図(c)に示す様にn=1の発振波長までシフトさせる(実線は印加電圧ゼロの時の吸収スペクトル,破線は逆バイアス印加時の吸収スペクトルである。1,2,3,...)は、それぞれに対応するレーザ発振波長に比べて高エネルギー側に20〜30meVシフトしていることが知られている。これにより、n=1に対応するレーザ発振波長に対して共振器内部損失が誘起され、このレーザ発振は抑制される。結果として、n=1の量子準位から誘導放出によるポピュレーションの消費がなくなり、キャリアはn=2の量子準位を占める様になる。第2図(c)に示す様にn=2に対応するエキシトンピークのシフトは小さいので、これに対応するレーザ発振には逆バイアス印加による共振器内部損失はほとんど影響しない。従って、この遷移に対応するレーザ発振が起こる。第2図(d)にこの場合の発振スペクトルを示す。このように、逆バイアスを印加しないときはn=1の量子準位に対応するレーザ発振を行ない、逆バイアスを印加した時はn=2の量子準位に対応するレーザ発振を行なう。2.以上のように、量子井戸構造の活性層をもつ半導体レーザにおいて、利得電流が注入される層と同一の層構造に対して逆バイアスを印加する電極を設ければ、この電極からの印加電圧の制御によって内部損失を発振波長に応じて選択的に高め、高い量子準位での発振をさせることが可能となり、またこの制御により発振波長のスイッチを容易に行なうことができる。control.第3図は本発明の一実施例による半導体レーザの構造を示す図であり、図において、第1図と同一符号は同一又は相当部分である。8からの電圧印加によって種々の量子準位による発振を可能とできる。other,2つの電流注入用電極7からの注入電流をそれぞれ独立に制御でき、その発振の制御性を向上できる。3ミクロン以下にすることが望ましい。than.また、活性層は量子井戸層が複数個ある多重量子井戸構造でも、単一井戸構造でもよい。Planer),一般的な不純物拡散による超格子無秩序化のうちのいずれも適用できる。diffused.また、上記実施例ではn=1とn=2のレーザ発振について説明したが、さらに高次の量子化準位に対応するレーザ発振についても適用できる。light,大容量情報伝送及び光情報記録用光源として高性能なものが得られるという効果がある。invention,電流注入用の電極を相互に独立して2つ設けているので、2つの電流注入用電極からの注入電流をそれぞれ独立に制御でき、その発振の制御性を向上できる効果がある。第5図は従来の半導体レーザにおける利得及び共振器損失の波長依存性を示す図である。−GaAsコンタクト層、19はp型電極である。図中同一符号は同一又は相当部分を示す。より逆バイアスを印加したとき生じるエキシトン吸収スペクトルの波長シフトを用いて共振器内部損失を変化させ、種々の量子準位による発振を可能としたことを特徴とする半導体レーザ。