[#c1d23f86]-導体--導体の中には自由電子がたくさんあって、電圧をかけると電子が流れる。|-絶縁体--絶縁体の中には自由電子がなく、電子は原子に繋ぎとめられているため、電圧をかけても電子はそのままである。--ただし、絶縁体でも、大きな電圧をかけると、電子が自由電子になることもある。絶縁物は電気を通さないところに使うものであるが、異常に高い電圧を加えると電気は通します。導体に電気を加えた場合と異なり、焼けて壊れてしまう。そのため、絶縁に使うものは何Vまでの電圧を加えてもよいということが決められている。これを耐圧または電圧規格という。耐性より低い電圧の場合でも、絶縁物を通って小さな電流が流れることがある。これはある意味抵抗があるのと同等なので、''絶縁抵抗''という。絶縁抵抗が高くても低い電圧で壊れるものがあり、また絶縁抵抗が低くても高い電圧に耐えるものもある。耐圧と絶縁抵抗の違いをはっきり理解しておくこと。屋内配線や使用器具の絶縁抵抗が小さいということは、使用状態において流れる漏れ電流が大きいということである。漏れ電流は流れどころが悪かったならば、発熱のために[[火災]]を起こる原因になったり、人を[[感電]]させたりする事故の原因になる。よって、絶縁抵抗値はできるだけ大きくないとならない。''半導体''とは導体と絶縁体の中間のものである。中間の性格を持つわけだが、導体と半導体を組み合わせて作れるわけではない。そのために、これよりも小さくなってはいけないという値が技術基準に次の通り定められている。厳密に言うと、原子同士が互いに電子を共有しあう結合(これを''共有結合''と呼ぶ)している結晶である。絶縁体ほど結合力は強くないが、導体よりは結合力の強い物質です。[[シリコン]]・[[ゲルマニウム]]・[[セレン]]・[[亜酸化銅]]などが挙げられる。これら半導体によって、''導体部品''と呼ばれる電子製品が作られる。半導体で作られた電気部品には[[トランジスタ]]、[[ダイオード]]、[[FET]]などがある。絶縁抵抗は元々極めて大きい抵抗値を持つので、MΩ(メガオーム)という単位を使う。この半導体は、導体と絶縁体の中間のものなので、[[テスター]]で抵抗を測ると、抵抗も持っていることがわかる。#divid(s,notice)[補講]150V以下のときは0.1MΩ、その後は2倍ずつになると覚えればよい。[#g1a47c5b]・半導体結晶では原子原子が外殻電子を共有し合って結合している。共有された電子は''価電子帯''と呼ばれる帯状のエネルギー準位になる。[#zd9daf19]・また、この共有電子は熱などある値以上のエネルギーを受け取ると自由に結晶内のエネルギーを受け取ると自由に結晶内を動けるようになり、''伝導帯''という幅のある準位を作る。#img(http://security2600.sakura.ne.jp/main2/image4/zetuenteikou_daiti_senro.jpg)#img(,clear)・なお、両エネルギー帯の間には、電子の存在できない''禁制帯''という部分ができ、その幅を''エネルギーギャップ''という。1:電源の開閉器をすべて開放(OFF)にして、電球などのすべての器具を'''接続(ON)'''にする。・上記の理論により、普通の金属とは逆に非常に少ない自由電子の数が高温になると増加し、電流が流れやすくなる。電源の開閉器をOFFにする理由としては、ONのまま絶縁抵抗計を接続してしまうとショートしてしまうからである。電球などの負荷を接続するのは、負荷自体の絶縁不良があった場合に、それも同時に検出できるからである。[#f574a190]2:分岐開閉器(負荷へ分かれていく配線にある開閉器)のスイッチを閉じる(ON)。半導体に熱を加えると、抵抗が減少して、流れることができる電流が増加する。開閉器よりも先のところで絶縁の悪いところがあった場合、開閉器を閉じていなければその部分に電圧がかからず、漏れ電流が流れないので、その分だけ全体の漏れ電流が小さく計られてしまい、そのため絶縁抵抗値が実際よりも大きく出てしまい正確な値が得られないからである。[補講]半導体に限らず絶縁体であっても、高温状態にすれば電流は流れる。3:''[[絶縁抵抗計]](メガー)''で測定する。[#hb1fb75d]#img(http://s-akademeia.sakura.ne.jp/main/image6/handoutai.jpg)#img(http://security2600.sakura.ne.jp/main2/image4/zetuenteikou_senro_senro.jpg)#img(,clear)1:電源の開閉器をすべて開放(OFF)にして、電球などのすべての器具を'''取り外す(無球)'''。電流などの負荷を取り外すのは、負荷などの何らかの器具が接続されているとそれにより線間が接続状態になってしまい、絶縁抵抗が測れないからである。現在は[[量子論]]の理論により新しい半導体デバイスが作れないか研究されている。スピンの向きをデジタル信号の0/1に対応させれば、スピンの向きを操作することで信号の処理が可能になる可能性がある。2:分岐開閉器(負荷へ分かれていく配線にある開閉器)のスイッチを閉じる(ON)。半導体の中の電子のスピンを揃える方法としては、次のアプローチがある。3:''絶縁抵抗計(メガー)''で測定する。-磁場をかける方法-円偏光(光の進行方向に対して振動面が円運動する光)の光を照射する方法--単に円偏光の光を照射するのではうまくいかず、特定のある準位からその上にあるエネルギー準位に電子を励起する波長を持つ円偏光を照射する。これが円偏光ではなく直線偏光(ある特定の方向だけに振動面を持つ光)であれば、スピンの向きがバラバラの電子が励起されてしまう。--一方、円偏光は回転している電場とみなせるので、この回転電場によって電子の周回運動が加速される。この加速によって、スピン軌道相互作用が生じスピンが平行か反平行方向に揃えられる。純粋なシリコン(ケイ素、鉱物の一種)の結晶を''真性半導体''という。これは不純物半導体という言葉に対比して使われる言葉である。-[[LED]]の点灯で導体か不導体かを判定する回路である。--調べたい対象にはリード線を接触させる。--LEDが点灯すれば導体、LEDが点灯しなければ不導体である。-導体であっても抵抗値が大きい場合は、LEDは点灯しない。--例えば、人体の皮膚は数十MΩと抵抗値が大きいため、この回路ではLEDが点灯せず不導体と判定されてしまう。真性半導体は温度によって電流の流れ方を調整するので、不便でありあまり実用的とはいえない。そこで考えられたのが、不純物を混ぜることで電流量を調整する''不純物半導体''である。1千億個のシリコン原子の中にたった1個の不純物原子をいれたものである。[#o209267c]例:現在の真性半導体の純度の高さは、シリコン原子が1兆個、他の原子が1個である。[#ebdf81f7]-上記の判定1の方法では、人体の抵抗は大きいため、LEDが付かない、または非常に弱い光になる。-この回路では[[トランジスタ]]によって電流が約150倍に増幅されるため、LEDが明るく付く。--トランジスタはベース(B)に流れるわずかな電流で、コレクタ-エミッタ(C-E)間に大きな電流を流すことができる。--ベースに流す電流を少しずつ増やしていくと、コレクタ-エミッタ間に流れる電流も同時に増えていく。---ベースからエミッタに流すわずかな電流で、コレクタ-エミッタ間のトランジスタの抵抗が大変小さくなるので、結果的に大きな電流が流れるのである。半導体の中を電子や正孔が流れることによって、電流が生じる。半導体の中をキャリアが移動するメカニズムには、拡散とドリフトの2つがある。水の中に砂糖を入れると徐々に水に溶けて、均等な濃度になる。わかりやすい例でいえば、水の中にインクをたらしてみたとする。すると徐々に水の中にインクが広がります。最後には均一に広がっていく。これは自然の法則である。これと同様に、半導体の中に電子や正孔の濃度分布があると、均一な分布になろうとして濃度の高いところから低いところへ拡散して移動する性質がある。この場合、電子・正孔を別々に考える。電子と正孔それぞれ分布をもっているときは、それぞれの分布が均一になるよう移動が行われる。それぞれのキャリアは電荷を持っているので、拡散によって移動すると電流が流れるようになる。半導体結晶に電極を付けて電圧をかけると、マイナスの電荷をもった電子はプラスの電圧のかかった電極の方向へ移動するような電気的な力を受ける。プラスの電荷を持った正孔はマイナスの電極方向へ移動する力を受ける。このようにして半導体の内部にある電界の作用によって、キャリアが移動することを''ドリフト移動''という。半導体にある一定エネルギー以上の光を当てると、シリコン電子に束縛されていた電子は光のエネルギーを得て原子から離れて自由電子となる。同時に電子の抜けた穴ができますので、正孔も同じ数だけできることになる。このように、外部からの刺激によってキャリアの数が増えた状態を''非平衡状態''という。光照射によりエネルギーの高い状態になっていることを''光励起状態''という。光励起は、半導体の特性のひとつであり、どの半導体材料でも多かれ少なかれ起こる。光のような外部からの刺激やキャリアの供給がなく、温度でキャリア数が決められている状態を''熱平衡状態''という。光励起によってキャリアの熱は熱平衡状態より増えるわけだから、光を当てることによって結晶の抵抗率は低下することになる。光を遮ると、過剰の電子の正孔は再結合して消滅し、やがて熱平衡状態に戻る。励起状態に対して、熱平衡状態を''基底状態''ともいう。価電子を原子からの束縛から解いて自由電子にするために必要なエネルギーは、半導体のエネルギーギャップと等しくなる。シリコンの場合は1.1eVで、このエネルギーよりエネルギーの高い光を半導体に照射すると半導体は励起される。キャリアを励起する方法としては、光の他には電子線照射や熱、電気的にキャリアを注入するなどの方法がある。添加した半導体を問わず生じる。励起された自由電子が正孔と再結合するとき、エネルギーギャップと同じ程度のエネルギーを放出する。このエネルギー放出は熱として放出される場合と、光として放出される場合がある。どちらになるかというのは半導体の種類や構造に大きく依存する。結晶シリコンの場合は光を出さずに熱となるが、ポーラスシリコンやマイクロクリスタルといわれるnmサイズ(1nm=10-9m)の構造を持ったシリコンでは、光を放出する性質がある。GaP(ガリウムリン)やGaN(ガリウムナイトライド)という化合物系の半導体は発行しやすい性質を持ち、この性質を利用してLEDなどの発行デバイスに利用されている。不純物としてはすべての物質が作れるわけではなく、溶け込みやすさや蒸発のしにくさなどの理由から次に示す元素が選ばれる。シリコンの単結晶にこれらの不純物を溶かし込むには、大掛かりな装置が必要となり、不純物材料を気体の状態にして処理を進めるイオン注入法という方法が用いられる。シリコン(価電子4個)にリン(価電子5個)を混ぜてみる。別の物質を混ぜて、人工的に半導体を作るのである。結合後、1個の電子が余る。この余った電子は、導体であるナトリウムの価電子と同様に、原子の束縛から離れやすい状態にある。自由電子になりやすいのである。いうことは、シリコンだけの結晶に比べて、このシリコンにリンを混ぜた状態の結晶には自由電子が多い。自由電子が多ければ、シリコンだけの結晶に比べて、電子を通しやすいはずである。事実、そうなのである。よって、シリコンの結晶には、エネルギー(電圧でも何でもいい)をある程度与えないと電子は流れない。それに対して、シリコンにリンを混ぜたものの結晶は、シリコンだけの結晶よりも、そこに与えるエネルギーが少なくても、電子は流れる。シリコン(価電子4個)にホウ素(価電子3個)を混ぜてみる。すると、電子が1個足りない。この穴を''ホール''という。ホールは、足りない分の電子を補おうとして、電子を引き付ける。温度が高くなるとシリコンから電子が飛び出ることがあり、これがホールに引き寄せられる。実質的に電子が移動しているのだが、ホールが移動しているように見える。そのため、このホールを''自由ホール''と呼ぶ。プラスの電子が移動しているようなものなのである。よって、このシリコンにホウ素を混ぜたものの結晶は、シリコンにリンを益せたものの結晶を鏡に写したようなものである。その意味で、このシリコンにホウ素を混ぜたものの結晶も、また半導体なのである。--電気を通すための条件は厳しい。--自由電子(や自由ホール)になりやすい電子(やホール)が生じて、電気を通すための条件は緩やかになる。不純物半導体は不純物の混ぜ方によりN型半導体とP型半導体に区別される。このN型半導体とP型半導体を組み合わせて作られたのが、[[ダイオード]]である。シリコン(14個の電子)やゲルマニウム(32個の電子)は、原子同士を結びつける際外殻電子を4個持っている元素(4価の元素)である。これに砒素やリンなどの5価の元素を不純物として混ぜた素子がN型半導体である。シリコンの結晶に極少量の砒素を混ぜると、シリコンと砒素は2つの電子を共有して結びつく共有結合をする。その結果、砒素は電子をひとつ余らせてしまう。これで、温度に関係なく、初めから自由電子をもっている物質の出来上がりというわけである。この場合、キャリアとなるのは負の電荷をもつ自由電子であるので、負を表すNegativeという単語の頭文字を取って、''N型半導体''と呼ぶ。N型半導体では4価よりも電子の多い5価の元素を不純物として混ぜたが、P型半導体は逆に電子の少ない3価の元素(ホウ素、ガイウムなど)を混ぜる。すると、N型の時と同じように共有結合するが、今度は電子がひとつ足りなくなってしまう。この電子が足りない部分、即ち正孔がキャリアとなり、電気が流れるようになる。正孔はプラスなので、それを表すPositiveの頭文字を取って''P型半導体''と呼ぶ。シリコンは、普段は電気を通さないが、エネルギーを与えると電気を通す。いうのも、安定するために回りの原子と電子を補い合い、共有結合しているから、ある程度のエネルギーが要するわけである。このような物質を''真性半導体''という。シリコンにリンを混ぜたものもエネルギーを与えると電気を通すが、元々自由電子が存在しているので、真性半導体よりはより少ないエネルギーで電気を通す。このような物質を''外因性半導体''という。