三つの課題を克服high—k膜は,電気的なゲート絶縁膜厚を薄くしたまま,物理膜厚を厚くすることによって,ゲート・リークを抑制する技術である。2001年は,さまざまな材料候補が登場し,百花繚乱だったが,2002年半ばから材料はHf酸化物に収束する方向が見えてきた(図11)。2002年のIEDMではHf酸化物への窒素の導入が話題を集め,懸案だった耐熱性の問題に対して改善の見通しがついた。「読者特価」でご購入の際、日経IDに未ログインの場合は途中で通常価格が表示されることがあります。ご購入画面をそのまま進んでいただき、「次へ(お客様情報の入力へ)」のボタン押下後に表示されるログイン画面で日経IDをご入力ください。特価適用IDであれば、表示が特価に変わります。