金属汚染分析サービスウェハー(Si/SOI/SiC/GaAs)販売ベアウェハー販売シリコンウェハーをはじめとする各種ベアウェハーを手配いたします。2インチから12インチまでのシリコンウェハー単体の販売、ウェハー込みの成膜加工をお受けしています。SOIウェハーなどの端数在庫品もお取り扱いしています。お気軽にお問合せください。成膜加工などのテストウェハーに使われるシリコンウェハーのサイズ(口径)は、直径2インチから12インチまで各サイズがあり、それぞれの用途や、評価に使用するツールや装置仕様で決まります。Flat)と呼ばれる結晶軸の方向を示す直線の切れ込みを付けています。8インチからは、ノッチと呼ばれるV字型の切れ込みが主流となり、12インチはノッチのみです。最近は8インチは200mm、12インチは300mmと呼ばれることが多く、次世代ウェハは口径450mmで開発が進められています。ウェハーの機械的特性には、直径、厚み、オリフラ/ノッチなどのほかに、エッジ面取り形状や、平坦度(TTV/LTV/Bow/Warpなど)などに細かい仕様があります。ほかに、主な特性として、導電型(P/N型)、結晶方位(100/110/111)、抵抗率(Ωcm)などの仕様、また、重要な仕様にパーティクル(粒径と個数)があり、用途別に仕様が指定できます。(8インチダミーウェハーの一例)8インチダミーウェハーの一般的仕様と用語の解説です。成膜加工用ベアウェハーの場合は、P(100)、抵抗値1~100Ωcm、パーティクル0.2um以上20個まで、その他不問の基本仕様が一般的です。消費電力が低く、高速動作で高耐圧が要求されるパワーデバイスなどの先進デバイスに広く活用されており、最近では、BOX層(SiO2)をストッパーとして使うMEMSのD-RIE加工への使用例もあります。製造方法は、SiO2つきウェハーに別のシリコンウェハーを重ねて接着する方法(貼り合せ方式)や、イオンを打ち込み熱処理によりSiO2層を内部形成させる方法(SIMOX)などがあります。3層構造を持つSOIウェハーには、各層の仕様が異なる多種のウェハーがあります。アイテスでは最も流通している張り合せ方式のSOIウェハーの端数在庫品を多数お取り扱いしています。ご要求仕様をご指定いただければ、仕様に近い在庫品と在庫枚数をご紹介させていただきます。少枚数のご希望が多い評価用SOIウェハーにはたいへん便利なシステムです。抵抗率(Ωcm)GaAsウェハーGaAs(ガリウムヒ素,ヒかガリウム)はシート抵抗率が高く、リーク電流や寄生容量を抑えることができ、応答が速く消費電力の少ない半導体素子の製造に適した材料といえます。SiCウェハーSiC(炭化ケイ素、シリコンカーバイド)は、シリコンウェハーと比較して熱伝導率が高く、また耐圧性に優れSiCパワー半導体や発光ダイオード(LED)の材料として非常に人気があります。アイテスではこれら化合物半導体材料の実験評価用ダミーグレード品を少量で・安価に調達することを得意としています。その他のウェハーシリコンウェハーで標準規格外の厚みのウェハー、鏡面、エッチドなどの表面処理指定も可能です。その他、ウェハーケースなど関連備品についてもお取り扱いしています。