電気特性評価のご紹介です。高温/低温の温度状態でのI-V特性変動評価を行い、不良要因の推定及び次過程の評価・分析解析の選択より不具合メカニズムの解明へ進めます。ラッチアップ試験のご紹介です。ICおよびそれを含む半導体製品の信頼性として重要な、ラッチアップ破壊に対する耐性を評価します。ESD(HBM・MM)試験のご紹介です。半導体製品およびそれを含む電子部品の信頼性として重要な、ESD(静電気破壊)に対する耐性を評価します。