リレー1個、TR(トランジスター)4個、半固定VR2個、電解コンデンサー10個交換。R側アンプ基板ラッピング。R側アンプ基板ラッピング。R側アンプ基板ラッピング2。R側アンプ基板ラッピング2。半田を全部やり直し、洗浄後。リレー1個、TR(トランジスター)4個、半固定VR2個、電解コンデンサー10個交換。L側アンプ基板ラッピング。L側アンプ基板ラッピング。L側アンプ基板ラッピング2。R側アンプ基板ラッピング2。電源ブロック電解コンデンサー下。電源ブロック電解コンデンサー下。フイルムコンデンサー4個追加。終段V−FET(縦型電解効果トランジスター)保護ヒューズ4本挿入。フイルムコンデンサー2個追加。