(ARPES)により、新型トポロジカル絶縁体におけるフェルミ準位近傍の基盤電子構造の解明を行う。解明することを目的とする。励起光源系の改良を行い、1meV以下の精度の超高分解能ARPES実験を可能にする。ギャップ、および擬ギャップを直接観測する事により、フェルミ準位(EF)近傍の微細電子構造と超伝導発現機構との関係を明らかにする。電子ドープ型RFeAsO1-xFx(R:希土類)およびホールドープ型(A,K)Fe2As2(A:アルカリ土類金属)単結晶の両方について系統的なARPES実験を行うことによって、鉄系超伝導体の高温超伝導メカニズムを総合的に解明する。「超高分解能ARPESによる鉄系超伝導体の電子状態の解明」は、更に高い超伝導転移温度(Tc)を目指した物質探索の指針を与えると同時に、新たな超伝導デバイスの開発にも大きく貢献する事が期待される。researchmap。