バルク単結晶育成技術で、学術界・産業界への貢献を目指しています。機能・性能を最大限に発揮することが可能な単結晶を育成し、その特性を調べることは、学術的にも、実用的にも大変重要です。企業との共同研究で、垂直ブリッジマン(VB)法による大形サファイア単結晶成長技術の研究開発を推進しています。融液(液相)が結晶(固相)に変化する場所(固液界面)における熱の移動(熱収支)と物質の移動(偏析現象)に関する物理化学現象の把握と制御が重要です。半導体結晶ULSIや太陽電池の基板として使われる無転位Si単結晶をCZ法で成長し、加工・評価が出来ます。他にGe単結晶成長、VB法によるGaAs、InP単結晶成長が可能です。融液(液相)が結晶(固相)に変化する場所(固液界面)における熱の移動(熱収支)と物質の移動(偏析現象)に関する物理化学現象の把握と制御が重要です。