SiCよりも安く、高性能にSiCとGaNよりも、高耐圧で低損失なパワー半導体素子を安価に作製できる可能性があるとして、β型Ga2O3に注目が集まっている。研究グループが開発したトランジスタである。今回、研究グループの技術者に、β型Ga2O3の特徴や研究開発の成果、そして今後の展開について解説してもらう。「読者特価」でご購入の際、日経IDに未ログインの場合は途中で通常価格が表示されることがあります。ご購入画面をそのまま進んでいただき、「次へ(お客様情報の入力へ)」のボタン押下後に表示されるログイン画面で日経IDをご入力ください。特価適用IDであれば、表示が特価に変わります。