(1)で表される化合物と、下記式(2)で表される化合物とを、遷移金属塩若しくはその水和物、又は遷移金属塩若しくはその水和物の錯体を還元剤と反応させて得られる遷移金属触媒の存在下で反応させることを含む、高分子化合物の製造方法。式(1)及び(2)中、Xは2価の連結基を表し、R1及びR2はそれぞれ独立に水素原子又は置換基を表す。下記式(1)で表される化合物と、下記式(2)で表される化合物とを、遷移金属塩若しくはその水和物、又は遷移金属塩若しくはその水和物の錯体を還元剤と反応させて得られる遷移金属触媒の存在下で反応させることを含む、高分子化合物の製造方法。【化1】(式(1)及び(2)中、Xは2価の連結基を表し、R1及びR2はそれぞれ独立に水素原子又は置換基を表す。2】(式(3)〜(5)中、Xはそれぞれ独立に2価の連結基を表し、R1及びR2はそれぞれ独立に水素原子又は置換基を表し、「*」は、他の構造単位との結合部位を表す。請求項6〜10のいずれか1項に記載の高分子化合物を含む、有機エレクトロニクス材料。【請求項12】ドーパントをさらに含む、請求項11に記載の有機エレクトロニクス材料。請求項11又は12に記載の有機エレクトロニクス材料と、溶媒とを含む、インク組成物。請求項11又は12に記載の有機エレクトロニクス材料、又は請求項13に記載のインク組成物を用いて形成された有機層を有する、有機エレクトロニクス素子。請求項11又は12に記載の有機エレクトロニクス材料、又は請求項13に記載のインク組成物を用いて形成された有機層を有する、有機エレクトロルミネセンス素子。【請求項16】フレキシブル基板をさらに有する、請求項15に記載の有機エレクトロルミネセンス素子。前記フレキシブル基板が樹脂フィルムを含む、請求項16に記載の有機エレクトロルミネセンス素子。請求項19に記載の照明装置と、表示手段として液晶素子とを備えた表示装置。結合生成反応として用いる重合反応は、分岐型高分子を生成する有用な高分子合成法として期待される。報告されているが、生成高分子は溶媒不溶な成分が多く、溶媒可溶な高分子は一部しか得られないという問題が指摘されている(非特許文献1及び2)。よるゲル化や生成した高分子間の架橋反応が原因である。【0006】ジインモノマーに末端モノアルキン型コモノマーを添加する方法では、末端モノアルキン型モノマーの自己環化三量化による自己消費が進行することに起因する問題点があった。よって末端モノアルキン型コモノマーが消費されやすい。このため、生成する高分子は常に末端アルキン部分を残しやすく、長時間の反応によっては溶媒不溶な成分を生成する好ましくない高分子同士の架橋反応が進行することが危惧される。したがって、効率良い高分子合成には、それぞれのモノマーの組み合わせについて、末端モノアルキン型コモノマーの仕込み量、触媒量あるいは濃度、および反応時間を厳密に制御する必要があった。モノマーの組み合わせによって、ジインモノマーに対して大量の末端モノアルキン型コモノマーを添加する必要、高濃度の触媒を使用する必要、反応時間を制御する必要がある点が問題であった。これらは、特に、大量合成を行う場合には大きな課題となる。この高分子化合物を用いた有機エレクトロニクス材料、インク組成物、有機エレクトロニクス素子、有機EL素子、照明装置および表示装置を提供することを目的とする。本発明の実施形態は、下記式(1)で表される化合物と、下記式(2)で表される化合物とを、遷移金属塩若しくはその水和物、又は遷移金属塩若しくはその水和物の錯体を還元剤と反応させて得られる遷移金属触媒の存在下で反応させることを含む、高分子化合物の製造方法に関する。式(1)及び(2)中、Xは2価の連結基を表し、R1及びR2はそれぞれ独立に水素原子又は置換基を表す。本発明の他の実施形態は、下記式(3)で表される構造単位と下記式(4)で表される構造単位と下記式(5)で表される構造単位とを含む高分子化合物に関する。式(3)〜(5)中、Xはそれぞれ独立に2価の連結基を表し、R1及びR2はそれぞれ独立に水素原子又は置換基を表し、「*」は、他の構造単位との結合部位を表す。含む、有機エレクトロニクス材料に関する。本発明の他の実施形態は、前記有機エレクトロニクス材料と、溶媒とを含む、インク組成物に関する。本発明の他の実施形態は、前記有機エレクトロニクス材料、又は前記インク組成物を用いて形成された有機層を有する、有機エレクトロニクス素子に関する。本発明の他の実施形態は、前記有機エレクトロニクス材料、又は前記インク組成物を用いて形成された有機層を有する、有機エレクトロルミネセンス素子に関する。本発明の他の実施形態は、前記有機エレクトロルミネセンス素子を備えた表示素子に関する。本発明の他の実施形態は、前記有機エレクトロルミネセンス素子を備えた照明装置に関する。本発明の他の実施形態は、前記照明装置と、表示手段として液晶素子とを備えた表示装置に関する。この高分子化合物を用いた有機エレクトロニクス材料、インク組成物、有機エレクトロニクス素子、有機EL素子、照明装置および表示装置を提供することができる。【図1】本発明の実施形態である有機EL素子の一例を示す模式図である。本発明の実施形態について説明する。本発明は以下の実施形態に限定されない。「芳香族複素環」を「芳香環」という場合がある。)は、芳香性を示す環である。芳香環は、例えばベンゼンのような単環であってもよく、例えばナフタレンのように環が互いに縮合した縮合環であってもよい。芳香環は、例えば、ビフェニル、ターフェニル、トリフェニルベンゼンのように、独立した単環及び縮合環から選択される2個以上が結合した構造であってもよい。芳香族炭化水素の例としては、例えば、ベンゼン、ナフタレン、アントラセン、テトラセン、フルオレン、フェナントレン、ビフェニル、ターフェニル、トリフェニルベンゼン等が挙げられる。芳香族複素環の例としては、ピリジン、ピラジン、キノリン、イソキノリン、アクリジン、フェナントロリン、フラン、ピロール、チオフェン、カルバゾール、オキサゾール、オキサジアゾール、チアジアゾール、トリアゾール、ベンゾオキサゾール、ベンゾオキサジアゾール、ベンゾチアジアゾール、ベンゾトリアゾール、ベンゾチオフェン等が挙げられる。アリール基は、芳香族炭化水素から水素原子を1個除いた原子団である。ヘテロアリール基は、芳香族複素環から水素原子を1個除いた原子団である。アリーレン基は、芳香族炭化水素から水素原子を2個除いた原子団である。ヘテロアリーレン基は、芳香族複素環から水素原子を2個除いた原子団である。【0015】<高分子化合物の製造方法>本発明の実施形態の高分子化合物の製造方法は、下記式(1)で表される化合物と、下記式(2)で表される化合物とを、遷移金属塩若しくはその水和物、又は遷移金属塩若しくはその水和物の錯体を還元剤と反応させて得られる遷移金属触媒の存在下で反応させることを含む、高分子化合物の製造方法である。式(1)及び(2)中、Xは2価の連結基を表し、R1及びR2はそれぞれ独立に水素原子又は置換基を表す。合成することができる。この高分子化合物の製造方法では、特定の触媒の存在下で反応させることで、自己環化三量化を起こしにくい内部アルキン型モノアルキン型コモノマーの使用をも可能にする。この高分子化合物の製造方法では、架橋反応に利用できる種々の重合性官能基を高分子化合物に導入することができる。式(1)において、Xは2価の連結基を表す。2価の連結基としては、例えば、2価の有機基等が挙げられる。/又は芳香族複素環構造を含む2価の基等が挙げられる。Xは、エチニル基(−C≡CH)を有していてもよいが、式(1)の化合物は、エチニル基が2個の化合物(Xがエチニル基を有していない化合物)であってもよい。/又は芳香族複素環構造を含む2価の基が好ましい。/又は芳香族複素環構造を含む2価の基であれば特に限定されないが、置換又は非置換の芳香族アミン構造を含む2価の基、置換又は非置換のベンゼン構造を含む2価の基、置換又は非置換のフルオレン構造を含む2価の基、置換又は非置換のカルバゾール構造を含む2価の基、置換又は非置換のビフェニル構造を含む2価の基等が好ましい。芳香族アミン構造としては、第三級芳香族アミン構造が好ましく、トリアリールアミン構造がより好ましい。芳香族アミン構造において、アリール基の炭素数は、好ましくは6〜14個であり、より好ましくは6〜10個であり、さらに好ましくは6個である。トリアリールアミン構造としては、トリフェニルアミン構造がより好ましい。【0022】Xの例としては、例えば、下記の式(X−1)で表される2価の基、及び、下記式(X−2)で表される2価の基等が挙げられるが、Xは、下記式で表される基に限定されない。式(X−1)及び(X−2)において、Ar1はそれぞれ独立に、置換又は非置換のアリーレン基又ヘテロアリーレン基である。アリーレン基又ヘテロアリーレン基としては、炭素数2〜30個(より好ましくは2〜20個、さらに好ましくは6〜14個、さらに好ましくは6〜10個)のアリーレン基又はヘテロアリーレン基が好ましく、フェニレン基がより好ましい。Ar2は、置換若しくは非置換のアリール基又はヘテロアリール基である。アリール基又ヘテロアリール基としては、炭素数2〜30個(より好ましくは2〜20個、さらに好ましくは6〜14個、さらに好ましくは6〜10個)のアリール基又はヘテロアリール基が好ましく、フェニル基がより好ましい。Ar1及びAr2のアリーレン基、ヘテロアリーレン基、アリール基、又はヘテロアリール基が置換基を有する場合の置換基としては、例えば、アルキル基(例えば、炭素数1〜22、好ましくは炭素数1〜10個のアルキル基)、アリール基又はヘテロアリール基(例えば、炭素数2〜30個、より好ましくは2〜20個のアリール基又はヘテロアリール基)、水酸基、アルコキシ基(例えば、炭素数1〜22、好ましくは炭素数1〜10個のアルコキシ基)、ハロゲン原子、アミノ基、カルボン酸エステル結合を含有する基、ホウ酸エステル結合を含有する基、ニトロ基、アミド結合を含有する基、後述する重合性官能基を含む基、等が挙げられる。Y1は、単結合又は2価の連結基であり、好ましくは、単結合、O、カルボニル基、S、SiR2、スルフィニル基、スルホニル基等である。Y2は3価の連結基であり、好ましくは、N、P、SiR等である。SiR2及びSiRのRは、それぞれ独立に、置換基またはHであり、好ましくは、それぞれ独立に、アルキル基(例えば、炭素数1〜22、好ましくは炭素数1〜10個のアルキル基)、アリール基又はヘテロアリール基(例えば、炭素数2〜30個、より好ましくは2〜20個のアリール基又はヘテロアリール基)、又はHである。式(X−1)で表される2価の基の例としては、下記の式(1−1)で表される2価の基が挙げられる。式(X−2)で表される2価の基の例としては、下記の式(1−2)で表される2価の基が挙げられる。下記の式(1−1)は、式(X−1)において、Y1がOである場合の例であるが、Xは、例えば、下記の式(1−1)において、式(X−1)のY1を、単結合、カルボニル基、S、又はSiR2、スルフィニル基、スルホニル基等に変更したものであってもよい。同様に、下記の式(1−2)は、式(X−2)において、Y2がNである場合の例であるが、Xは、下記の式(1−2)において、式(X−2)のY2を例えば、P又はSiR等に変更したものであってもよい。式(1−1)及び(1−2)において、Raはそれぞれ独立に置換基であり、好ましくは、それぞれ独立に、アルキル基(例えば、炭素数1〜22、好ましくは炭素数1〜10個のアルキル基)、アリール基又はヘテロアリール基(例えば、炭素数2〜30個、より好ましくは2〜20個のアリール基又はヘテロアリール基)、水酸基、アルコキシ基(例えば、炭素数1〜22、好ましくは炭素数1〜10個のアルコキシ基)、ハロゲン原子、アミノ基、カルボン酸エステル結合を含有する基、ホウ酸エステル結合を含有する基、ニトロ基、アミド結合を含有する基、又は後述する重合性官能基を含む基、等である。l、n、o及びpはそれぞれ独立に0〜4の整数であり、mは0〜5の整数である。【0028】Xの好ましい例として、下記の2価の基が挙げられるが、Xは、下記の基に限定されない。式(2)において、R1及びR2はそれぞれ独立に水素原子又は置換基を表す。R1及びR2は、それぞれ独立に、水素原子、スルホ基、アミノ基、N−スルホニルアミノ基、1価の有機基、等から選択されてよい。1価の有機基としては、炭素原子を1個以上有する1価の基であれば特に限定されない。【0031】(式2)で表される化合物の自己環化三量化を低減する観点から、R1及びR2は、それぞれ独立に、置換基であることが好ましく、それぞれ独立に1価の有機基であることがより好ましい。/又は芳香族複素環構造を含む1価の基であれば特に限定されない。置換又は非置換のベンゼン構造、置換又は非置換のフラン構造、置換又は非置換のチオフェン構造、置換又は非置換のピリジン構造、置換又は非置換の芳香族アミン構造(例えばトリアリールアミン構造)、等を含む基であってよい。/又は芳香族複素環構造を含む基(例えば、アリール基又はヘテロアリール基等)を置換基等として含む1価の基、等であってよい。一実施形態において、R1及びR2のうちの少なくとも1つが、後述する重合性官能基を有することが好ましい。R1及びR2の一方のみに重合性官能基を有してもよく、R1及びR2のそれぞれに重合性官能基を有してもよい。R1及びR2の一方に重合性官能基を有し、他方が水素原子であってもよい。【0034】1価の有機基としては、例えば、置換又は非置換のアルキル基、置換又は非置換のアリール基又はヘテロアリール基、−SO2Rb、アルコキシ基(例えば、炭素数1〜22、好ましくは炭素数1〜10個のアルコキシ基)、N−アルコキシカルボニルアミノ基、等が挙げられる。Rbは置換又は非置換のアリール基又はヘテロアリール基である。【0035】アルキル基としては、例えば、直鎖、環状又は分岐アルキル基のいずれでもよく、例えば、炭素数1〜22、好ましくは炭素数1〜10個のアルキル基が挙げられる。アルキル基が置換基を有する場合の置換基としては、例えば、アリール基又はヘテロアリール基(例えば、炭素数2〜30個、より好ましくは2〜20個のアリール基又はヘテロアリール基)、−ORc、及び、重合性官能基を含む基等が挙げられる。Rcは、水素原子、アルキル基(例えば、炭素数1〜22個、より好ましくは1〜10の、直鎖、環状又は分岐アルキル基)、又は、アリール基又はヘテロアリール基(例えば、炭素数2〜30個、より好ましくは2〜20個のアリール基又はヘテロアリール基)を表す。【0036】アリール基又はヘテロアリール基としては、例えば、炭素数2〜30個(より好ましくは2〜20個のアリール基又はヘテロアリール基)が好ましく、例えば、フェニル基、フラン−イル基、チオフェン−イル基、ピリジニル基、等が挙げられる。アリール基又はヘテロアリールが置換基を有する場合の置換基の例としては、例えば、−Rd、−ORe、−COORf、−N(Rg)2及び、重合性官能基を含む基等が挙げられる。Rdは、アルキル基(例えば、炭素数1〜22個、より好ましくは1〜10個の、直鎖、環状又は分岐アルキル基)、又は、アリール基又はヘテロアリール基(例えば、炭素数2〜30個、より好ましくは2〜20個のアリール基又はヘテロアリール基)を表す。Re、Rf及びRgは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基(例えば、炭素数1〜22個、より好ましくは1〜10個の、直鎖、環状又は分岐アルキル基)、又は、アリール基又はヘテロアリール基(例えば、炭素数2〜30個、より好ましくは2〜20個のアリール基又はヘテロアリール基)を表す。Rbのアリール基又はヘテロアリール基及びそれらが置換基を有する場合の置換基についても同様である。式(2)で表される化合物の例として、下記の化合物が挙げられるが、式(2)で表される化合物は、下記の化合物には限定されない。下記には、組合せの例も含まれているが、式(2)で表される化合物を2種以上用いる場合の組合せは限定されず、例えば、下記の化合物からの任意に選択して用いてよい。熱及び/又は光を加えることにより、互いに結合を形成し得る官能基をいう。高分子化合物を材料として利用する場合、膜などの成形後の架橋反応による硬化は重要な要素である。高分子化合物を材料として利用した膜などの架橋/硬化反応の達成には、モノマー中に、架橋反応に活性な重合性官能基を導入することが有効な手段である。このような重合性官能基としては、モノマーの重合条件下および定常条件下で安定であり、架橋反応ではより温和な条件で反応可能であることが好ましい。重合性官能基としては、炭素−炭素二重結合を有する基(例えば、ビニル基、アリル基、ブテニル基、アクリロイル基、アクリレート基(アクリロイルオキシ基)、アクリロイルアミノ基、メタクリロイル基、メタクリレート基(メタクリロイルオキシ基)、メタクリロイルアミノ基、ビニルオキシ基、ビニルアミノ基等)、小員環を有する基(例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基等の環状アルキル基;エポキシ基(オキシラニル基)、オキセタン基(オキセタニル基)等の環状エーテル基;ジケテン基;エピスルフィド基;ラクトン基;ラクタム基等)、複素環基(例えば、フラン−イル基、ピロール−イル基、チオフェン−イル基、シロール−イル基)などが挙げられる。重合性官能基は、メチル基、エチル基等の置換基を有してもよい。好ましい重合性官能基としては、オキセタニル基、オキシラニル基、ビニル基、アクリロイルオキシ基、メタクリロイルオキシ基等が挙げられる。重合性官能基の自由度を上げ、その重合反応を生じさせやすくする観点からは、得られる高分子化合物の主骨格と重合性官能基とが、アルキレン鎖で連結されていることが好ましい。得られる高分子化合物を有機エレクトロニクス材料に用いる場合、例えば、親水性電極との親和性を向上させる観点からは、得られる高分子化合物の主骨格と重合性官能基とが、エチレングリコール鎖、ジエチレングリコール鎖等の親水性の鎖で連結されていることが好ましい。重合性官能基を導入するために用いられるモノマーの調製が容易になる観点からは、アルキレン鎖及び/又は親水性の鎖の末端部、すなわち、これらの鎖と重合性官能基との連結部、及び/又は、これらの鎖と得られた高分子化合物の骨格との連結部となる部に、エーテル結合又はエステル結合を有していてもよい。前述の「重合性官能基を含む基」とは、重合性官能基それ自体、又は、重合性官能基とアルキレン鎖等とを合わせた基を意味する。重合性官能基を含む基として、例えば、国際公開第WO2010/140553号に例示された基を好適に用いることができる。本実施形態の高分子化合物の製造方法において、式(1)で表される化合物は、1種のみを用いてもよく2種以上を用いてもよい。式(2)で表される化合物も、1種のみを用いてもよく2種以上を用いてもよい。式(1)で表される化合物と式(2)で表される化合物との比率(モル比)(式(1)で表される化合物:式(2)で表される化合物)は、1:0.1〜10が好ましく、1:0.2〜5がより好ましく、1:0.5〜2がさらに好ましい。式(1)で表される化合物と式(2)で表される化合物との組合せの例を下記に示すが、式(1)で表される化合物と式(2)で表される化合物の組合せは下記に限定されない。式(1)で表される化合物と式(2)で表される化合物との組合せの例としては、例えば、下記の式(1)で表される化合物から選択される少なくとも1つの化合物と、下記の式(2)で表される化合物から選択される少なくとも1つの化合物との組合せもを挙げられる。本実施形態の高分子化合物の製造方法は、式(1)で表される化合物と、式(2)で表される化合物とを、遷移金属塩若しくはその水和物、又は遷移金属塩若しくはその水和物の錯体を還元剤と反応させて得られる遷移金属触の存在下で反応させることを含む。しくはその水和物、又は遷移金属塩若しくはその水和物の錯体を還元剤と反応させて得られる遷移金属触を、「遷移金属触媒(a)」と称する場合もある。遷移金属触媒(a)は、遷移金属塩若しくはその水和物、又は遷移金属塩若しくはその水和物の錯体を還元剤と反応させて得られる遷移金属触媒であるが、遷移金属塩又はその水和物の錯体は、例えば、遷移金属塩又はその水和物の混合物から得てもよい。この場合、例えば、遷移金属塩又はその水和物と配位子との混合物を還元剤と反応させることで、遷移金属塩又はその水和物と配位子との錯体である遷移金属錯体が還元剤と反応して遷移金属触媒(a)が得られる。遷移金属触媒(a)は、式(1)で表される化合物と式(2)で表される化合物との反応に際して、反応系中で生成させてもよく、又は、あらかじめ得られた遷移金属触媒(a)を反応系に添加してもよい。しくはその水和物と配位子との混合物、等)及び還元剤の添加混合の順番はとくに限定されない。遷移金属触媒(a)の材料を還元剤と混合して遷移金属塩若しくはその水和物、又は遷移金属塩若しくはその水和物の錯体を還元剤と反応させて遷移金属触媒(a)を生成させてから、式(1)で表される化合物と、式(2)で表される化合物とを添加して、式(1)で表される化合物と、式(2)で表される化合物との反応を行ってもよい。遷移金属触媒(a)の材料、還元剤、式(1)で表される化合物、及び、式(2)で表される化合物等を混合し、遷移金属触媒(a)の生成と、式(1)で表される化合物と式(2)で表される化合物との反応をほぼ同時に行ってもよい。遷移金属塩又はその水和物は、MQnで表される遷移金属塩又はその水和物を含むことが好ましい。Mは、Ti、Nb、Ta、Fe、Ru、Co、Rh又はIr等であり、Ti、Co又はRhが好ましい。Qは、シクロペンタジエニル基、ハロゲン原子、OAc基(Acはアセチル基を表わす)、アセチルアセトナート基、又はアルコキシ基等である。ハロゲン原子としては、I、Br、Cl、Fが挙げられ、I、Br、Clが好ましい。nはMの価数に対応する数である。MQnにおいて、異なる2種以上のQが含まれてもよい。遷移金属塩又はその水和物の錯体は、MQnで表される遷移金属塩又はその水和物と配位子Lとの錯体を含むことが好ましく、MQn−Lmで表される錯体も好ましい。MQnについては、上述の通りである。配位子Lは、2−(2,6−ジイソプロピルフェニル)イミノメチルピリジン(dipimp)、トリフェニルホスフィン(PPh3)、1,2−ビス(ジフェニルホスフィノ)エタン(dppe)、2,6−ビス(2,6−ジイソプロピルフェニルイミノメチル)ピリジン、又はシクロオクタジエニル(cod)等である。CpTiCl3、NbCl5、TaCl5、FeCl2、FeCl3、FeBr2、FeBr3、FeI2、FeI3、Fe(OAc)2、Fe(OAc)3、Fe(acac)2、Fe(acac)3、CoCl2、CoCl3、CoBr2、CoBr3、CoI2、CoI3、Co(OAc)2、Co(OAc)3、Co(acac)2、Co(acac)3、RhCl3、RuCl3、IrCl3等が挙げられる。i−Prはイソプロピル基を表し、acacは、アセチルアセトナート基を表す。ヒドリド、又はアルキルアミン等の還元剤)と反応させて得られる触媒が好ましい。遷移金属塩としては、CoQa2(Qaはシクロペンタジエニル基、ハロゲン原子、OAc基、又はアセチルアセトナート基を表す)で表される塩も好ましい。ヒドリド、又はアルキルアミン等の還元剤)と反応させて得られる触媒も好ましい。還元剤としては、金属(例えば、Zn、Mn、Al、Mg等)、有機金属(例えば、グリニャール試薬、有機リチウム等)、金属ヒドリド(例えば、NaBH4、LiAlH4等)、アルキルアミン(たとえば、トリエチルアミン等のトリアルキルアミン等)等が挙げられる。Zn、Mn、Al、Mg等の金属は、粉末が好ましい。遷移金属塩又はその水和物と還元剤との組合せ、及び、遷移金属塩又はその水和物と配位子と還元剤との組合せの例としては、下記が挙げられる。遷移金属塩又はその水和物と配位子と還元剤との組合せにおいて、遷移金属塩又はその水和物と配位子との錯体を還元剤と反応させてもよく、遷移金属塩又はその水和物と配位子との混合物を還元剤と反応させてもよい。遷移金属塩又はその水和物と還元剤との組合せ、及び、遷移金属塩又はその水和物と配位子と還元剤との組合せの例として、より好ましくは、CpTi(O−i−Pr)3とMgとの組合せ、CpTiCl3とMgとの組合せ、CoCl2−6H2OとdipimpとZnとの組合せ、CoCl3−4H2OとdipimpとZnとの組合せ、CoCl2とPPh3とZnとの組合せ、CoI2とPPh3とMnとの組合せであり、さらに好ましくは、CoCl2−6H2OとdipimpとZnとの組合せである。して、CoCl2−6H2Oに対して好ましくは1.0〜6.0モル当量、より好ましくは1.0〜3.0モル当量のジエステル添加剤を加えることができる。具体なジエステル添加剤としては、フタル酸ジメチル、フタル酸ジエチル、グルタル酸ジメチル、グルタル酸ジエチル、アジピン酸ジメチル、アジピン酸エメチル、エタン−1,2−ジイルジベンゾエート、エタン−1,2−ジイルジアセテート、ヘキサメチルベンゼン−1,2,3,4,5,6−ヘキサカルボキシレート等が挙げられる。遷移金属触媒(a)としては、QcCo(PPh3)3(QcはCl、Br又はI)、ClRh(PPh3)3、CpRuCl(cod)等の錯体も好ましく、これらの中でも、QcCo(PPh3)3(QcはCl、Br又はI)、ClRh(PPh3)3がより好ましい。本実施形態の製造方法において、式(1)で表される化合物と下記式(2)で表される化合物との反応は、溶媒の存在下で行ってもよい。用いうる溶媒としては、例えば、N−メチルピロリドン、テトラヒドロフラン(THF)、エタノール(EtOH)、ジメチルアセトアミド(DMA)、1,2−ジメトキシエタン(DME)、N,N−ジメチルホルムアミド(DMF)、CH2Cl2、ジエチルエーテル等およびこれらの混合溶媒等を挙げることができる。本実施形態の製造方法は、常圧下、加圧下でも行うことができる。窒素、アルゴン等の不活性ガス雰囲気下で行うことが好ましい。反応温度は、0°C〜130°Cが好ましく、20°C〜60°Cが好ましい。反応時間は、1時間〜48時間が好ましく、3時間〜24時間がより好ましい。反応終了後には、常法によって処理することにより目的とする高分子化合物を得ることができる。本実施形態の製造方法により、後述の、式(3)で表される構造単位と式(4)で表される構造単位と式(5)で表される構造単位とを含む高分子化合物を製造することができる。本実施形態の製造方法の一例として、例えば、式(1)で表される化合物として下記の化合物Aを用い、式(2)で表される化合物として下記の化合物Bを用いた方法が挙げられる。これにより、下記の部分構造Cを有する高分子化合物を得ることができる。本発明の実施形態の高分子化合物は、下記式(3)で表される構造単位と下記式(4)で表される構造単位と下記式(5)で表される構造単位とを含む。式(3)〜(5)中、Xはそれぞれ独立に2価の連結基を表し、R1及びR2はそれぞれ独立に水素原子又は置換基を表し、「*」は、他の構造単位との結合部位を表す。この高分子化合物は、上述の高分子化合物の製造方法によって製造することができる。【0070】X、R1及びR2はそれぞれ、式(1)及び(2)のX、R1及びR2と同様であり、好ましい範囲も同様である。式(3)〜(5)において、X、R1及びR2は、それぞれ、エチニル基(−C≡CH)を含まないことが好ましい。「*」は、他の構造単位との結合部位を表す。式(3)で表される構造単位と式(4)で表される構造単位とが、式(3)の右側に示される結合部位と式(4)の左側に示される結合部位とで結合し、式(4)で表される構造単位と式(5)で表される構造単位とが、式(4)の右側に示される結合部位と式(5)に示される結合部位とで結合していてもよい。(3)で表される構造単位、式(4)で表される構造単位、式(5)で表される構造単位は、それぞれ、1種のみ又は2種以上が含まれてよい。高分子化合物には、他の構造単位が含まれてもよい。高分子化合物は、交互、ランダム、ブロック、又はグラフト共重合体であってよい。高分子化合物は、重合性官能基を有することが好ましい。妨げない観点からは、高分子化合物中に含まれる量が少ない方が好ましい。重合性官能基の含有量は、これらを考慮し、適宜設定できる。高分子化合物の1分子あたりの重合性官能基の数は、十分な溶解度の変化を得る観点から、2個以上が好ましく、3個以上がより好ましい。本実施形態の高分子化合物は、好ましくは、電荷輸送性材料として使用される。電荷輸送性材料は、電荷を輸送する能力を有する化合物である。高分子化合物は、正孔を輸送する能力を有することが好ましい。正孔輸送性材料は、例えば、有機EL素子の正孔注入層及び/又は正孔輸送層に用いることができる。電子輸送性材料であれば、例えば、電子輸送層及び/又は電子注入層に用いることができる。正孔と電子の両方を輸送する能力を有する化合物であれば、例えば、発光層の材料に用いることができる。本実施形態の高分子化合物は、少なくともベンゼン構造を含むが、電荷輸送性材料として使用される場合、電荷を輸送する能力を有する原子団をさらに含むことが好ましい。電荷を輸送する能力を有する原子団としては、例えば、置換又は非置換の、芳香族アミン構造、カルバゾール構造、チオフェン構造、フルオレン構造、フェノキサジン構造、ベンゼン構造、ビフェニル構造、ターフェニル構造、ナフタレン構造、アントラセン構造、テトラセン構造、フェナントレン構造、ジヒドロフェナントレン構造、ピリジン構造、ピラジン構造、キノリン構造、イソキノリン構造、キノキサリン構造、アクリジン構造、ジアザフェナントレン構造、フラン構造、ピロール構造、オキサゾール構造、オキサジアゾール構造、チアゾール構造、チアジアゾール構造、トリアゾール構造、ベンゾチオフェン構造、ベンゾオキサゾール構造、ベンゾオキサジアゾール構造、ベンゾチアゾール構造、ベンゾチアジアゾール構造、ベンゾトリアゾール構造、及び、これらの1種又は2種以上を含む構造が挙げられ、これらの2種以上を含む構造としては、例えば、ビチオフェン構造が挙げられる。【0077】(数平均分子量)高分子化合物の数平均分子量は、溶剤への溶解性、成膜性等を考慮して適宜、調整できる。数平均分子量は、500以上が好ましく、1,000以上がより好ましく、2,000以上が更に好ましい。数平均分子量は、1,000,000以下が好ましく、100,000以下がより好ましく、50,000以下が更に好ましい。(重量平均分子量)高分子化合物の重量平均分子量は、溶剤への溶解性、成膜性等を考慮して適宜、調整できる。重量平均分子量は、1,000以上が好ましく、5,000以上がより好ましく、10,000以上が更に好ましい。重量平均分子量は、1,000,000以下が好ましく、700,000以下がより好ましく、400,000以下が更に好ましい。数平均分子量及び重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィ(GPC)により、標準ポリスチレンの検量線を用いて測定することができる。【0078】<有機エレクトロニクス材料>本発明の実施形態である有機エレクトロニクス材料は、上述の高分子化合物を含む。【0079】[ドーパント]有機エレクトロニクス材料は、ドーパントを更に含有してもよい。ドーパントは、有機エレクトロニクス材料に添加することでドーピング効果を発現させ、電荷の輸送性を向上させ得る化合物であればよく、特に制限はない。ドーピングには、p型ドーピングとn型ドーピングがあり、p型ドーピングではドーパントとして電子受容体として働く物質が用いられ、n型ドーピングではドーパントとして電子供与体として働く物質が用いられる。正孔輸送性の向上にはp型ドーピング、電子輸送性の向上にはn型ドーピングを行うことが好ましい。有機エレクトロニクス材料に用いられるドーパントは、p型ドーピング又はn型ドーピングのいずれの効果を発現させるドーパントであってもよい。1種のドーパントを単独で添加しても、複数種のドーパントを混合して添加してもよい。具体的には、ルイス酸としては、FeCl3、PF5、AsF5、SbF5、BF5、BCl3、BBr3等;プロトン酸としては、HF、HCl、HBr、HNO5、H2SO4、HClO4等の無機酸、ベンゼンスルホン酸、p−トルエンスルホン酸、ドデシルベンゼンスルホン酸、ポリビニルスルホン酸、メタンスルホン酸、トリフルオロメタンスルホン酸、トリフルオロ酢酸、1−ブタンスルホン酸、ビニルフェニルスルホン酸、カンファスルホン酸等の有機酸;遷移金属化合物としては、FeOCl、TiCl4、ZrCl4、HfCl4、NbF5、AlCl3、NbCl5、TaCl5、MoF5;イオン化合物としては、テトラキス(ペンタフルオロフェニル)ホウ酸イオン、トリス(トリフルオロメタンスルホニル)メチドイオン、ビス(トリフルオロメタンスルホニル)イミドイオン、ヘキサフルオロアンチモン酸イオン、AsF6−(ヘキサフルオロ砒酸イオン)、BF4−(テトラフルオロホウ酸イオン)、PF6−(ヘキサフルオロリン酸イオン)等のパーフルオロアニオンを有する塩、アニオンとして前記プロトン酸の共役塩基を有する塩など;ハロゲン化合物としては、Cl2、Br2、I2、ICl、ICl3、IBr、IF等;π共役系化合物としては、TCNE(テトラシアノエチレン)、TCNQ(テトラシアノキノジメタン)等が挙げられる。特開2000−36390号公報、特開2005−75948号公報、特開2003−213002号公報等に記載の電子受容性化合物を用いることも可能である。なかでも、オニウム塩が特に好ましく用いられる。【0081】オニウム塩は、オニウムイオンを含む化合物である。オニウム塩としては、例えば、アンモニウム、ホスホニウム、オキソニウム、スルホニウム、ヨードニウム等のオニウムイオンを含む塩が挙げられる。前記イオン化合物の例からオニウム塩を選択し、使用することができる。有機層の溶解度の変化を容易にするために、ドーパントとして、重合性官能基に対する重合開始剤として作用し得る化合物を用いることが好ましい。ドーパントとしての機能と重合開始剤としての機能とを兼ねる物質として、例えば、前記オニウム塩が挙げられる。【0084】[重合開始剤]高分子化合物が重合性官能基を有する場合、有機エレクトロニクス材料は、好ましくは、重合開始剤を含有する。重合開始剤として、公知のラジカル重合開始剤、カチオン重合開始剤、アニオン重合開始剤等を使用できる。インク組成物を簡便に調製できる観点から、ドーパントとしての機能と重合開始剤としての機能とを兼ねる物質を用いることが好ましい。ドーパントとしての機能も備えた重合開始剤として、例えば、前記オニウム塩が挙げられる。オニウムの例として、前記パーフルオロアニオンを有する塩が挙げられ、具体例には、パーフルオロアニオンとヨードニウムイオン又はアンモニウムイオンとの塩が含まれる。これらの例を以下に挙げる。)等を更に含有してもよい。【0086】[含有量]高分子化合物の含有量は、良好な電荷輸送性を得る観点から、有機エレクトロニクス材料の全質量に対して、50質量%以上が好ましく、70質量%以上がより好ましく、80質量%以上が更に好ましい。100質量%とすることも可能である。【0087】ドーパントを含有する場合、その含有量は、有機エレクトロニクス材料の電荷輸送性を向上させる観点から、有機エレクトロニクス材料の全質量に対して、0.01質量%以上が好ましく、0.1質量%以上がより好ましく、0.5質量%以上が更に好ましい。成膜性を良好に保つ観点から、有機エレクトロニクス材料の全質量に対して、50質量%以下が好ましく、30質量%以下がより好ましく、20質量%以下が更に好ましい。重合開始剤を含有する場合、その含有量は、高分子化合物の硬化性を向上させる観点から、有機エレクトロニクス材料の全質量に対して、0.01質量%以上が好ましく、0.1質量%以上がより好ましく、0.5質量%以上が更に好ましい。電荷輸送性を良好に保つ観点から、有機エレクトロニクス材料の全質量に対して、50質量%以下が好ましく、30質量%以下がより好ましく、20質量%以下が更に好ましい。【0089】<インク組成物>有機エレクトロニクス材料は、前記実施形態の有機エレクトロニクス材料と該材料を溶解又は分散し得る溶媒とを含有するインク組成物として用いることが好ましい。インク組成物を用いることによって、塗布法といった簡便な方法によって有機層を容易に形成できる。これらの混合溶媒を使用できる。有機溶媒としては、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール等のアルコール;ペンタン、ヘキサン、オクタン等のアルカン;シクロヘキサン等の環状アルカン;ベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレン、テトラリン、ジフェニルメタン等の芳香族炭化水素;エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコール−1−モノメチルエーテルアセタート等の脂肪族エーテル;1,2−ジメトキシベンゼン、1,3−ジメトキシベンゼン、アニソール、フェネトール、2−メトキシトルエン、3−メトキシトルエン、4−メトキシトルエン、2,3−ジメチルアニソール、2,4−ジメチルアニソール等の芳香族エーテル;酢酸エチル、酢酸n−ブチル、乳酸エチル、乳酸n−ブチル等の脂肪族エステル;酢酸フェニル、プロピオン酸フェニル、安息香酸メチル、安息香酸エチル、安息香酸プロピル、安息香酸n−ブチル等の芳香族エステル;N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド等のアミド系溶媒;ジメチルスルホキシド、テトラヒドロフラン、アセトン、クロロホルム、塩化メチレンなどが挙げられる。エステル、芳香族エステル、脂肪族エーテル、芳香族エーテル等であり、より好ましくは、芳香族炭化水素である。【0091】[添加剤]インク組成物は、更に、任意成分として添加剤を含有してもよい。【0092】[含有量]インク組成物における溶媒の含有量は、種々の塗布方法へ適用することを考慮して定めることができる。溶媒の含有量は、溶媒に対し高分子化合物の割合が、0.1質量%以上となる量が好ましく、0.2質量%以上となる量がより好ましく、0.5質量%以上となる量が更に好ましい。溶媒の含有量は、溶媒に対し高分子化合物の割合が、20質量%以下となる量が好ましく、15質量%以下となる量がより好ましく、10質量%以下となる量が更に好ましい。【0093】<有機層>本発明の実施形態である有機エレクトロニクス素子及び有機EL素子は、前記実施形態の有機エレクトロニクス材料又はインク組成物を用いて形成された有機層を含む。インク組成物を用いることによって、塗布法により有機層を良好に形成できる。オフセット印刷、スクリーン印刷、グラビア印刷等の有版印刷法;インクジェット法等の無版印刷法などの公知の方法が挙げられる。塗布法によって有機層を形成する場合、塗布後に得られた有機層(塗布層)を、ホットプレート又はオーブンを用いて乾燥させ、溶媒を除去してもよい。より高分子化合物の重合反応を進行させ、有機層の溶解度を変化させてもよい。溶解度を変化させた有機層を積層することで、有機エレクトロニクス素子の多層化を容易に図ることが可能となる。有機層の形成方法については、例えば、国際公開第WO2010/140553号の記載を参照できる。乾燥後又は硬化後の有機層の厚さは、電荷輸送の効率を向上させる観点から、好ましくは0.1nm以上であり、より好ましくは1nm以上であり、更に好ましくは3nm以上である。有機層の厚さは、電気抵抗を小さくする観点から、好ましくは300nm以下であり、より好ましくは200nm以下であり、更に好ましくは100nm以下である。【0096】<有機エレクトロニクス素子>本発明の実施形態である有機エレクトロニクス素子は、少なくとも前記実施形態の有機層を有する。トランジスタ等が挙げられる。有機エレクトロニクス素子は、好ましくは、少なくとも一対の電極の間に有機層が配置された構造を有する。【0097】<有機EL素子>本発明の実施形態である有機EL素子は、少なくとも前記実施形態の有機層を有する。他の機能層を備えている。各層は、蒸着法により形成してもよく、塗布法により形成してもよい。有機EL素子は、好ましくは、有機層を発光層又は他の機能層として有し、より好ましくは機能層として有し、更に好ましくは正孔注入層及び正孔輸送層の少なくとも一方として有する。図1は、有機EL素子の一実施形態を示す断面模式図である。図1の有機EL素子は、多層構造の素子であり、基板8、陽極2、前記実施形態の有機層からなる正孔注入層3、正孔輸送層6、発光層1、電子輸送層7、電子注入層5、及び陰極4をこの順に有している。以下、各層について説明する。図1では、正孔注入層3が、前記実施形態の有機エレクトロニクス材料を用いて形成された有機層であるが、本発明の実施形態の有機EL素子はこのような構造に限らず、他の有機層が前記実施形態の有機エレクトロニクス材料を用いて形成された有機層であってもよい。【0100】[発光層]発光層に用いる材料として、低分子化合物、ポリマー、デンドリマー等の発光材料を使用できる。ポリマーは、溶媒への溶解性が高く、塗布法に適しているため好ましい。(TADF)等が挙げられる。蛍光材料として、ペリレン、クマリン、ルブレン、キナクドリン、スチルベン、色素レーザー用色素、アルミニウム錯体、これらの誘導体等の低分子化合物;ポリフルオレン、ポリフェニレン、ポリフェニレンビニレン、ポリビニルカルバゾール、フルオレンーベンゾチアジアゾール共重合体、フルオレン−トリフェニルアミン共重合体、これらの誘導体等のポリマー;これらの混合物等が挙げられる。燐光材料として、Ir、Pt等の金属を含む金属錯体などを使用できる。トリス(2−フェニルピリジン)イリジウム)、赤色発光を行う(btp)2Ir(acac)(ビス〔2−(2’−ベンゾ[4,5−α]チエニル)ピリジナート−N,C3〕イリジウム(アセチル−アセトネート))、Ir(piq)3(トリス(1−フェニルイソキノリン)イリジウム)等が挙げられる。Pt錯体としては、例えば、赤色発光を行うPtOEP(2、3、7、8、12、13、17、18−オクタエチル−21H、23H−フォルフィンプラチナ)等が挙げられる。発光層が燐光材料を含む場合、燐光材料のほかに、更にホスト材料を含むことが好ましい。ホスト材料としては、低分子化合物、ポリマー、又はデンドリマーを使用できる。低分子化合物としては、例えば、CBP(4,4’−ビス(9H−カルバゾール−9−イル)ビフェニル)、mCP(1,3−ビス(9−カルバゾリル)ベンゼン)、CDBP(4,4’−ビス(カルバゾール−9−イル)−2,2’−ジメチルビフェニル)、これらの誘導体等が、ポリマーとしては、前記実施形態の有機エレクトロニクス材料、ポリビニルカルバゾール、ポリフェニレン、ポリフルオレン、これらの誘導体等が挙げられる。(2014)等に記載の化合物が挙げられる。]図1では、正孔注入層3が、前記実施形態の有機エレクトロニクス材料を用いて形成された有機層であるが、有機EL素子はこのような構造に限らず、他の有機層が前記実施形態の有機エレクトロニクス材料を用いて形成された有機層であってもよい。前記実施形態の有機エレクトロニクス材料を用いて形成された正孔輸送層及び正孔注入層の少なくとも一方として使用することが好ましく、少なくとも正孔注入層として使用することがさらに好ましい。有機EL素子が、前記実施形態の有機エレクトロニクス材料を用いて形成された層を正孔注入層として有し、さらに正孔輸送層を有する場合、正孔輸送層には公知の材料を使用できる。有機EL素子が、前記実施形態の有機エレクトロニクス材料を用いて形成された層を正孔輸送層として有し、さらに正孔注入層を有する場合、正孔注入層には公知の材料を使用できる。正孔注入層及び正孔輸送層に用いることができる材料として、例えば、芳香族アミン系化合物(例えば、N,N’−ジ(ナフタレン−1−イル)−N,N’−ジフェニル−ベンジジン(α-NPD)等の芳香族ジアミン)、フタロシアニン系化合物、チオフェン系化合物(例えば、ポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン):ポリ(4−スチレンスルホン酸塩)(PEDOT:PSS)等のチオフェン系導電性ポリマー)などが挙げられる。]電子輸送層及び電子注入層に用いる材料としては、例えば、フェナントロリン誘導体、ビピリジン誘導体、ニトロ置換フルオレン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、ナフタレン、ペリレンなどの縮合環テトラカルボン酸無水物、カルボジイミド、フルオレニリデンメタン誘導体、アントラキノジメタン及びアントロン誘導体、オキサジアゾール誘導体、チアジアゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体(例えば、2,2’,2”−(1,3,5−ベンゼントリイル)トリス(1−フェニル−1H−ベンゾイミダゾール)(TPBi))、キノキサリン誘導体、アルミニウム錯体(例えば、ビス(2−メチル−8−キノリノレート)−4−(フェニルフェノラト)アルミニウム(BAlq))等が挙げられる。前記実施形態の有機エレクトロニクス材料も使用できる。【0108】[陰極]陰極材料としては、例えば、Li、Ca、Mg、Al、In、Cs、Ba、Mg/Ag、LiF、CsF等の金属又は金属合金が用いられる。【0109】[陽極]陽極材料としては、例えば、金属(例えば、Au)又は導電性を有する他の材料が用いられる。他の材料として、例えば、酸化物(例えば、ITO:酸化インジウム/酸化錫)、導電性高分子(例えば、ポリチオフェン−ポリスチレンスルホン酸混合物(PEDOT:PSS))が挙げられる。【0110】[基板]基板として、ガラス、プラスチック等を使用できる。基板は、透明であることが好ましく、また、フレキシブル性を有することが好ましい。石英ガラス、光透過性樹脂フィルム等が好ましく用いられる。樹脂フィルムとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリフェニレンスルフィド、ポリアリレート、ポリイミド、ポリカーボネート、セルローストリアセテート、セルロースアセテートプロピオネート等からなるフィルムが挙げられる。無機物をコーティングして用いてもよい。【0113】[発光色]有機EL素子の発光色は特に限定されない。液晶のバックライト等の各種照明器具に用いることができるため好ましい。白色の有機EL素子を形成する方法としては、複数の発光材料を用いて複数の発光色を同時に発光させて混色させる方法を用いることができる。複数の発光色の組み合わせとしては、特に限定されないが、青色、緑色及び赤色の3つの発光極大波長を含有する組み合わせ、青色と黄色、黄緑色と橙色等の2つの発光極大波長を含有する組み合わせなどが挙げられる。発光色の制御は、発光材料の種類と量の調整により行うことができる。>本発明の実施形態である表示素子は、前記実施形態の有機EL素子を備えている。赤、緑及び青(RGB)の各画素に対応する素子として、有機EL素子を用いることで、カラーの表示素子が得られる。画像の形成方法には、マトリックス状に配置した電極でパネルに配列された個々の有機EL素子を直接駆動する単純マトリックス型と、各素子に薄膜トランジスタを配置して駆動するアクティブマトリックス型とがある。【0116】また、本発明の実施形態である照明装置は、本発明の実施形態の有機EL素子を備えている。本発明の実施形態である表示装置は、照明装置と、表示手段として液晶素子とを備えている。表示装置は、バックライトとして本発明の実施形態である照明装置を用い、表示手段として公知の液晶素子を用いた表示装置、すなわち液晶表示装置とできる。本発明の実施形態は下記のものを含む。本発明は下記の実施形態に限定されるものではない。下記式(1)で表される化合物と、下記式(2)で表される化合物とを、遷移金属塩若しくはその水和物、又は遷移金属塩若しくはその水和物の錯体を還元剤と反応させて得られる遷移金属触媒の存在下で反応させることを含む、高分子化合物の製造方法。【化22】(式(1)及び(2)中、Xは2価の連結基を表し、R1及びR2はそれぞれ独立に水素原子又は置換基を表す。芳香族複素環構造からなる群から選択される少なくとも1つを含む、<1>に記載の高分子化合物の製造方法。その水和物の錯体は、MQnで表される遷移金属塩又はその水和物と配位子Lとの錯体を含み、Mは、Ti、Nb、Ta、Fe、Ru、Co、Rh又はIrであり、Qは、シクロペンタジエニル基、ハロゲン原子、OAc基、アセチルアセトナート基、又はアルコキシ基であり、Acはアセチル基であり、nはMの価数に対応する数であり、Lは、2−(2,6−ジイソプロピルフェニル)イミノメチルピリジン、トリフェニルホスフィン、1,2−ビス(ジフェニルホスフィノ)エタン、又はシクロオクタジエニルである、<1>又は<2>に記載の高分子化合物の製造方法。MはTi、Co又はRhである、<3>に記載の高分子化合物の製造方法。ヒドリド、又はアルキルアミンを含む、<1>〜<4>のいずれか1項に記載の製造方法。23】(式(3)〜(5)中、Xはそれぞれ独立に2価の連結基を表し、R1及びR2はそれぞれ独立に水素原子又は置換基を表し、「*」は、他の構造単位との結合部位を表す。芳香族複素環構造からなる群から選択される少なくとも1つを含む、<6>に記載の高分子化合物。Xが、置換又は非置換の芳香族アミン構造を含む、<7>に記載の高分子化合物。R1及びR2がそれぞれ独立に置換基である、<6>〜<8>のいずれか1項に記載の高分子化合物。R1及びR2からなる群から選択される少なくとも1つが、重合性官能基を含む、<6>〜<9>のいずれか1項に記載の高分子化合物。<6>〜<10>のいずれか1項に記載の高分子化合物を含む、有機エレクトロニクス材料。ドーパントをさらに含む、<11>に記載の有機エレクトロニクス材料。<11>又は<12>に記載の有機エレクトロニクス材料と、溶媒とを含む、インク組成物。<11>又は<12>に記載の有機エレクトロニクス材料、又は<13>に記載のインク組成物を用いて形成された有機層を有する、有機エレクトロニクス素子。<11>又は<12>に記載の有機エレクトロニクス材料、又は<13>に記載のインク組成物を用いて形成された有機層を有する、有機エレクトロルミネセンス素子。フレキシブル基板をさらに有する、<15>に記載の有機エレクトロルミネセンス素子。前記フレキシブル基板が樹脂フィルムを含む、<16>に記載の有機エレクトロルミネセンス素子。<15>〜<17>のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネセンス素子を備えた表示素子。<15>〜<17>のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネセンス素子を備えた照明装置。以下に、実施例により本発明を更に具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。【0119】<モノマー>下記のように、式(1)で表される化合物であるモノマーA1〜A3を得た。mmol)を室温で加えた後,混合液を70°Cで12時間攪拌した。室温に冷却した後、飽和塩化アンモニウム水溶液を加えた。混合液を酢酸エチルで抽出し、有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥した。mL)の混合液に溶解させた。g)を加え、室温で12時間激しく攪拌した。mL)を加え,酢酸エチルで抽出後,有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥した。g)を収率78%で得た。生成物(モノマーA1)の1H−NMR測定を行った。mmol)を室温で加えた後、混合液を70°Cで12時間攪拌した。室温に冷却した後、飽和塩化アンモニウム水溶液を加えた。混合液を酢酸エチルで抽出し、有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥した。mL)の混合液に溶解させた。g)を加え、室温で12時間激しく攪拌した。mL)を加え、酢酸エチルで抽出後、有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥した。g)(モノマーA2)を収率79%で得た。生成物(モノマーA2)の1H−NMR測定を行った。mmol)を室温で加えた後、混合液を70°Cで12時間攪拌した。室温に冷却した後、飽和塩化アンモニウム水溶液を加えた。混合液を酢酸エチルで抽出し、有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥した。mL)の混合液に溶解させた。g)を加え、室温で12時間激しく攪拌した。mL)を加え、酢酸エチルで抽出後、有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥した。g)を収率92%で得た。生成物(モノマーA3)の1H−NMR測定を行った。下記のように、式(2)で表される化合物であるモノマーB1〜B17を得た。mmol)を滴下した後、約1時間攪拌した。mmol)を加えた後、ゆっくり室温に昇温した。飽和塩化アンモニウム水溶液を加えた後、ジエチルエーテルで抽出した。有機像を無水MgSO4で乾燥し、ろ過後、ろ液を濃縮した。生成物(モノマーB1)の1H−NMR測定を行った。mmol)を室温で加えた後、混合液を70°Cで12時間攪拌した。室温に冷却した後、飽和塩化アンモニウム水溶液を加えた。混合液を酢酸エチルで抽出し、有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥した。mL)の混合液に溶解させた。g)を加え、室温で12時間激しく攪拌した。水を加え、酢酸エチルで抽出後、有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥した。ろ過後、ろ液を濃縮して得られた残査をそのまま次の反応に用いた。室温に昇温し、2時間攪拌した。飽和塩化アンモニウム水溶液を加えた。混合液を酢酸エチルで抽出し、有機層を飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。g)を収率80%で得た。生成物(モノマーB2)の1H−NMR測定を行った。mmol)のメタノール(10mL)溶液を還流で12時間撹拌した。濃縮し、酢酸エチルで薄め、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液で中和し、酢酸エチルで抽出し、有機層を飽和食塩水で洗浄したあと、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。g)を定量的に得ることができた。生成物(モノマーB3)の1H−NMR測定を行った。mmol)を室温で加えた後、混合液を60度で12時間攪拌した。飽和塩化アンモニウム水溶液を加え、酢酸エチルで抽出し、有機層を飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。g)を収率67%で得た。生成物(モノマーB4)の1H−NMR測定を行った。mmol)を-20°Cで滴下した。mmol)を加え、2時間攪拌した。飽和塩化アンモニウム水溶液を加え、ジエチルエーテルで抽出し、有機層を飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。g)を収率90%で得た。生成物(モノマーB5)の1H−NMR測定を行った。mmol)を-20°Cで滴下した。mmol)を加え、2時間攪拌した。飽和塩化アンモニウム水溶液を加え、ジエチルエーテルで抽出し、有機層を飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。ろ過後、ろ液を濃縮して得られた残査をそのまま次の反応に用いた。mL)混合液に4-フェニル-3-ブチン-2オールを滴下し、室温で2時間攪拌した。混合液をセライトろ過し、ろ液を濃縮した。g)を収率20%で得た。生成物(モノマーB6)の1H−NMR測定を行った。40mmol)を60度で12時間撹拌した。室温に冷却後、ろ過し、濃縮したあと、酢酸エチルで薄めた。有機層を飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、ろ過し、濃縮して得られた残渣をそのまま次の反応に使用した。mmol)を室温で加えた後、混合液を60°Cで12時間攪拌した。室温に冷却後、飽和塩化アンモニウム水溶液を加え、酢酸エチルで抽出し、有機層を飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。g)を収率10%で得た。生成物(モノマーB7)の1H−NMR測定を行った。mmol)を加え、12時間加熱還流した。室温に冷却後,セライトろ過し、ろ液を濃縮した。飽和食塩水を加えて、酢酸エチルで抽出し、有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥した。ろ過後、ろ液を濃縮し得られた残査をそのまま次の反応に用いた。mmol)を室温で加えた後、混合液を50°Cで12時間攪拌した。室温に冷却後,飽和塩化アンモニウム水溶液を加え、酢酸エチルで抽出し、有機層を飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。g)を収率8%で得た。生成物(モノマーB8)の1H−NMR測定を行った。mmol)を室温で加えた後、混合液を50°Cで12時間攪拌した。室温に冷却後、飽和塩化アンモニウム水溶液を加え、酢酸エチルで抽出し、有機層を飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。生成物(モノマーB9)の1H−NMR測定を行った。mmol)を室温で加えた後、混合液を60°Cで12時間攪拌した。室温に冷却した後、飽和塩化アンモニウム水溶液を加えた。混合液を酢酸エチルで抽出し、有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥した。生成物(モノマーB10)の1H−NMR測定を行った。mmol)を室温で加えた後、混合液を60°Cで12時間攪拌した。室温に冷却した後、飽和塩化アンモニウム水溶液を加えた。混合液を酢酸エチルで抽出し、有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥した。g)を収率69%で得た。生成物(モノマーB11)の1H−NMR測定を行った。mmol)を室温で加えた後、混合液を60°Cで12時間攪拌した。室温に冷却した後、飽和塩化アンモニウム水溶液を加えた。混合液を酢酸エチルで抽出し、有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥した。g)を収率42%で得た。生成物(モノマーB12)の1H−NMR測定を行った。室温に昇温後、2時間攪拌した。飽和塩化アンモニウム水溶液を加え、ジエチルエーテルで抽出し、有機層を飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。ろ過後、ろ液を濃縮して得られた残査をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して1-ヘキシン-1-イル(p-トリル)スルファンを得た。mL)溶液を、0°Cで加えた。室温に昇温し、3時間攪拌した。飽和炭酸水素ナトリウム水溶液を加え、塩化メチレンで抽出し、有機層を飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。g)を収率25%で得た。生成物(モノマーB13)の1H−NMR測定を行った。mmol)を加えた後、室温で2時間攪拌した。飽和塩化アンモニウム水溶液を加え、ジエチルエーテルで抽出し、有機層を飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。g)を収率47%で得た。生成物(モノマーB14)の1H−NMR測定を行った。mmol)を加えた後、室温で12時間攪拌した。飽和塩化アンモニウム水溶液を加え、酢酸エチルで抽出し、有機層を飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。g)を収率44%で得た。生成物(モノマーB15)の1H−NMR測定を行った。mmol)を室温で加えた後、混合液を60°Cで12時間攪拌した。室温に冷却した後、飽和塩化アンモニウム水溶液を加えた。混合液を酢酸エチルで抽出し、有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥した。g)を収率85%で得た。生成物(モノマーB16)の1H−NMR測定を行った。mmol)を室温で加えた後、混合液を70°Cで12時間攪拌した。室温に冷却した後、飽和塩化アンモニウム水溶液を加えた。混合液を酢酸エチルで抽出し、有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥した。mL)の混合液に溶解させた。g)を加え、室温で12時間激しく攪拌した。mL)を加え、酢酸エチルで抽出後、有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥した。g)を収率78%で得た。生成物(モノマーB17)の1H−NMR測定を行った。CCH).【0161】<高分子化合物の合成>下記のように高分子化合物1〜22を得た。以下では、式(1)で表される化合物を「Diyne」という場合がある。式(2)で表される化合物を「Monoyne」という場合がある。下記において、数平均分子量及び重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィ(GPC)により、標準ポリスチレンの検量線を用いて測定した。測定条件は下記の通りである。得られた混合液を45°C〜50°Cで24時間攪拌した。室温に冷却した後、混合物を水中に注ぎ、精製した固体をろ取した。得られた固体をテトラヒドロフラン(THF)に溶解させた後、ろ過した。ろ液にメタノールを加え、高分子化合物を沈殿させ,固体をろ取して目的の高分子化合物(高分子化合物1−1及び1-2)を得た。branching)を下記に示す。analysis).【0166】1H−NMR測定結果は以下の通りである。得られた混合液を45°C〜50°Cで24時間攪拌した。室温に冷却した後、混合物を水中に注ぎ、精製した固体をろ取した。得られた固体をテトラヒドロフラン(THF)に溶解させた後、ろ過した。ろ液にメタノールを加え、高分子化合物を沈殿させ、固体をろ取して目的の高分子化合物(高分子化合物2−1及び2-1)を得た。得られた高分子化合物の数平均分子量Mn、重量平均分子量Mw、Mw/Mnを下記に示す。standard).1H−NMR測定結果は以下の通りである。得られた混合液を45°C〜50°Cで24時間攪拌した。室温に冷却した後、混合物を水中に注ぎ、精製した固体をろ取した。得られた固体をテトラヒドロフラン(THF)に溶解させた後、ろ過した。ろ液にメタノールを加え、高分子化合物を沈殿させ,固体をろ取して目的の高分子化合物(高分子化合物3)を得た。得られた高分子化合物の数平均分子量Mn、重量平均分子量Mw、Mw/Mnを下記に示す。standard).1H−NMR測定結果は以下の通りである。得られた混合液を45°C〜50°Cで24時間攪拌した。室温に冷却した後、混合物を水中に注ぎ、精製した固体をろ取した。得られた固体をテトラヒドロフラン(THF)に溶解させた後、ろ過した。ろ液にメタノールを加え、高分子化合物を沈殿させ、固体をろ取して目的の高分子化合物(高分子化合物4)を得た。得られた高分子化合物の数平均分子量Mn、重量平均分子量Mw、Mw/Mnを下記に示す。standard).1H−NMR測定結果は以下の通りである。得られた混合液を45°C〜50°Cで24時間攪拌した。室温に冷却した後、混合物を水中に注ぎ、精製した固体をろ取した。得られた固体をテトラヒドロフラン(THF)に溶解させた後、ろ過した。ろ液にメタノールを加え、高分子化合物を沈殿させ、固体をろ取して目的の高分子化合物(高分子化合物5)を得た。得られた高分子化合物の数平均分子量Mn、重量平均分子量Mw、Mw/Mnを下記に示す。standard).1H−NMR測定結果は以下の通りである。得られた混合液を45°C〜50°Cで24時間攪拌した。室温に冷却した後、混合物を水中に注ぎ、精製した固体をろ取した。得られた固体をテトラヒドロフラン(THF)に溶解させた後、ろ過した。ろ液にメタノールを加え、高分子化合物を沈殿させ、固体をろ取して目的の高分子化合物(高分子化合物6−1及び6−2)を得た。得られた高分子化合物の数平均分子量Mn、重量平均分子量Mw、Mw/Mnを下記に示す。standard).1H−NMR測定結果は以下の通りである。得られた混合液を45°C〜50°Cで12〜24時間攪拌した。室温に冷却した後、混合物を水中に注ぎ、精製した固体をろ取した。得られた固体をTHFに溶解させた後、メタノールを加えて高分子化合物を沈殿させた。精製した固体をろ取し、目的の高分子化合物(高分子化合物7−1及び7−2)を得た。得られた高分子化合物の数平均分子量Mn、重量平均分子量Mw、Mw/Mnを下記に示す。standard).1H−NMR測定結果は以下の通りである。得られた混合液を45°C〜50°Cで24時間攪拌した。室温に冷却した後、混合物を水中に注ぎ、精製した固体をろ取した。得られた固体をTHFに溶解させた後、メタノールを加えて高分子化合物を沈殿させた。精製した固体をろ取し、目的の高分子化合物(高分子化合物8)を得た。得られた高分子化合物の数平均分子量Mn、重量平均分子量Mw、Mw/Mnを下記に示す。standard).1H−NMR測定結果は以下の通りである。得られた混合液を45°C〜50°Cで24時間攪拌した。室温に冷却した後、混合物を水中に注ぎ、精製した固体をろ取した。得られた固体をTHFに溶解させた後、メタノールを加えて高分子化合物を沈殿させた。精製した固体をろ取し、目的の高分子化合物(高分子化合物9−1及び9−2)を得た。得られた高分子化合物の数平均分子量Mn、重量平均分子量Mw、Mw/Mnを下記に示す。standard).1H−NMR測定結果は以下の通りである。得られた混合液を45°C〜50°Cで12〜24時間攪拌した。室温に冷却した後、混合物を水中に注ぎ、精製した固体をろ取した。得られた固体をテトラヒドロフラン(THF)に溶解させた後、ろ過した。ろ液にメタノールを加え、高分子化合物を沈殿させ、固体をろ取して目的の高分子化合物(高分子化合物10−1、10−2、10−3及び10−4)を得た。得られた高分子化合物の数平均分子量Mn、重量平均分子量Mw、Mw/Mnを下記に示す。standard).1H−NMR測定結果は以下の通りである。得られた混合液を45°C〜50°Cで24時間攪拌した。室温に冷却した後、混合物を水中に注ぎ、精製した固体をろ取した。得られた固体をテトラヒドロフラン(THF)に溶解させた後、ろ過した。ろ液にメタノールを加え、高分子化合物を沈殿させ、固体をろ取して目的の高分子化合物(高分子化合物11)を得た。得られた高分子化合物の数平均分子量Mn、重量平均分子量Mw、Mw/Mnを下記に示す。standard).1H−NMR測定結果は以下の通りである。得られた混合液を45°C〜50°Cで24時間攪拌した。室温に冷却した後、混合物を水中に注ぎ、精製した固体をろ取した。得られた固体をテトラヒドロフラン(THF)に溶解させた後、ろ過した。ろ液にメタノールを加え、高分子化合物を沈殿させ,固体をろ取して目的の高分子化合物(高分子化合物12)を得た。得られた高分子化合物の数平均分子量Mn、重量平均分子量Mw、Mw/Mnを下記に示す。standard).1H−NMR測定結果は以下の通りである。得られた混合液を45°C〜50°Cで24時間攪拌した。室温に冷却した後、混合物を水中に注ぎ、精製した固体をろ取した。得られた固体をテトラヒドロフラン(THF)に溶解させた後、ろ過した。ろ液にメタノールを加え、高分子化合物を沈殿させ、固体をろ取して目的の高分子化合物(高分子化合物13)を得た。得られた高分子化合物の数平均分子量Mn、重量平均分子量Mw、Mw/Mnを下記に示す。standard).1H−NMR測定結果は以下の通りである。得られた混合液を45°C〜50°Cで24時間攪拌した。室温に冷却した後、混合物を水中に注ぎ、精製した固体をろ取した。得られた固体をテトラヒドロフラン(THF)に溶解させた後、ろ過した。ろ液にメタノールを加え、高分子化合物を沈殿させ、,固体をろ取して目的の高分子化合物(高分子化合物14)を得た。得られた高分子化合物の数平均分子量Mn、重量平均分子量Mw、Mw/Mnを下記に示す。standard).1H−NMR測定結果は以下の通りである。得られた混合液を45°C〜50°Cで24時間攪拌した。室温に冷却した後、混合物を水中に注ぎ、精製した固体をろ取した。得られた固体をテトラヒドロフラン(THF)に溶解させた後、ろ過した。ろ液にメタノールを加え、高分子化合物を沈殿させ、固体をろ取して目的の高分子化合物(高分子化合物15)を得た。得られた高分子化合物の数平均分子量Mn、重量平均分子量Mw、Mw/Mnを下記に示す。standard).1H−NMR測定結果は以下の通りである。得られた混合液を45°C〜50°Cで24時間攪拌した。室温に冷却した後、混合物を水中に注ぎ、精製した固体をろ取した。得られた固体をテトラヒドロフラン(THF)に溶解させた後、ろ過した。ろ液にメタノールを加え、高分子化合物を沈殿させ、固体をろ取して目的の高分子化合物(高分子化合物16)を得た。得られた高分子化合物の数平均分子量Mn、重量平均分子量Mw、Mw/Mnを下記に示す。standard).1H−NMR測定結果は以下の通りである。得られた混合液を45°C〜50°Cで24時間攪拌した。室温に冷却した後、混合物を水中に注ぎ、精製した固体をろ取した。得られた固体をテトラヒドロフラン(THF)に溶解させた後、ろ過した。ろ液にメタノールを加え、高分子化合物を沈殿させ、固体をろ取して目的の高分子化合物(高分子化合物17)を得た。得られた高分子化合物の数平均分子量Mn、重量平均分子量Mw、Mw/Mnを下記に示す。standard).1H−NMR測定結果は以下の通りである。得られた混合液を45°C〜50°Cで24時間攪拌した。室温に冷却した後、混合物を水中に注ぎ、精製した固体をろ取した。得られた固体をテトラヒドロフラン(THF)に溶解させた後、ろ過した。ろ液にメタノールを加え、高分子高分子を沈殿させ、固体をろ取して目的の高分子化合物(高分子化合物18)を得た。得られた高分子化合物の数平均分子量Mn、重量平均分子量Mw、Mw/Mnを下記に示す。standard).1H−NMR測定結果は以下の通りである。得られた混合液を45°C〜50°Cで24時間攪拌した。室温に冷却した後、混合物を水中に注ぎ、精製した固体をろ取した。得られた固体をテトラヒドロフラン(THF)に溶解させた後、ろ過した。ろ液にメタノールを加え、高分子化合物を沈殿させ、固体をろ取して目的の高分子化合物(高分子化合物19)を得た。得られた高分子化合物の数平均分子量Mn、重量平均分子量Mw、Mw/Mnを下記に示す。standard).1H−NMR測定結果は以下の通りである。得られた混合液を45°C〜50°Cで24時間攪拌した。室温に冷却した後、混合物を水中に注ぎ、精製した固体をろ取した。得られた固体をテトラヒドロフラン(THF)に溶解させた後、ろ過した。ろ液にメタノールを加え、高分子化合物を沈殿させ、固体をろ取して目的の高分子化合物(高分子化合物20)を得た。得られた高分子化合物の数平均分子量Mn、重量平均分子量Mw、Mw/Mnを下記に示す。得られた混合液を45°C〜50°Cで24時間攪拌した。室温に冷却した後、混合物を水中に注ぎ、精製した固体をろ取した。得られた固体をテトラヒドロフラン(THF)に溶解させた後、ろ過した。ろ液にメタノールを加え、高分子化合物を沈殿させ、固体をろ取して目的の高分子化合物(高分子化合物21)を得た。得られた高分子化合物の数平均分子量Mn、重量平均分子量Mw、Mw/Mnを下記に示す。得られた混合液を45°C〜50°Cで24時間攪拌した。室温に冷却した後、混合物を水中に注ぎ、精製した固体をろ取した。得られた固体をテトラヒドロフラン(THF)に溶解させた後、ろ過した。ろ液にメタノールを加え、高分子化合物を沈殿させ、固体をろ取して目的の高分子化合物(高分子化合物22)を得た。得られた高分子化合物の数平均分子量Mn、重量平均分子量Mw、Mw/Mnを下記に示す。得られた混合液を45°C〜50°Cで24時間攪拌した。室温に冷却した後、混合物を水中に注ぎ、精製した固体をろ取した。得られた固体をテトラヒドロフラン(THF)に溶解させた後、ろ過した。ろ液にメタノールを加え、高分子化合物を沈殿させ、固体をろ取して目的の高分子化合物(高分子化合物30)を得た。得られた高分子化合物の数平均分子量Mn、重量平均分子量Mw、Mw/Mnを下記に示す。standard).1H−NMR測定結果は以下の通りである。得られた混合液を45°C〜50°Cで12〜24時間攪拌した。室温に冷却した後、混合物を水中に注ぎ、精製した固体をろ取した。得られた固体をTHFに溶解させた後、メタノールを加えて高分子化合物を沈殿させた。精製した固体をろ取し、目的の高分子化合物(高分子化合物31)を得た。得られた高分子化合物の数平均分子量Mn、重量平均分子量Mw、Mw/Mnを下記に示す。standard).1H−NMR測定結果は以下の通りである。得られた混合液を45°C〜50°Cで24時間攪拌した。室温に冷却した後、混合物を水中に注ぎ、精製した固体をろ取した。得られた固体をテトラヒドロフラン(THF)に溶解させた後、ろ過した。ろ液にメタノールを加え、高分子化合物を沈殿させ、固体をろ取して目的の高分子化合物(高分子化合物32)を得た。standard).1H−NMR測定結果は以下の通りである。CH3).【0239】<有機EL素子の作製>高分子化合物9−1(10.0mg)をトルエン(455μL)に溶解し、ポリマー溶液を得た。下記のオニウム塩1(10.0mg)をトルエン(1000μL)に溶解し、オニウム塩溶液を得た。得られたポリマー溶液とオニウム塩溶液(111μL)とを混合し、電荷輸送性ポリマー1を含有するインク組成物1を調製した。大気下で、ITOを1.6mm幅にパターニングしたガラス基板上に、インク組成物1を3,000min−1でスピンコートした後、ホットプレート上で200°C、30分間加熱し、正孔注入層(80nm)を形成した。【0241】その後、ガラス基板を、真空蒸着機中に移し、正孔注入層の上に、正孔輸送層であるα―NPD(20nm)、正孔輸送層上にCBP:Ir(ppy)3(94:6、30nm)、BAlq(10nm)、Alq3(30nm)、LiF(0.8nm)、及びAl(100nm)の順に蒸着法で成膜し、封止処理を行って実施例1の有機EL素子を作製した。【0242】<有機EL素子の評価>上記で得た実施例1の有機EL素子に電圧を印加したところ緑色発光が確認された。それぞれの素子について、発光輝度1,000cd/m2時の駆動電圧及び発光効率、並びに、初期輝度5,000cd/m2における発光寿命(輝度半減時間)を測定した。測定結果を表1に示す。Reserved.1。