東芝は,NAND型フラッシュ・メモリーの微細化を少なくとも40nmまでは進められることを確認したと,「第2回半導体メモリー・シンポジウム」の基調講演で述べた。講演した同社セミコンダクター社メモリ事業部フラッシュメモリ事業戦略部部長の小林清志氏は,2006年に55nmで多値の16Gビット品,2007年に40nmで多値の32Gビット品を製品化する計画を示した。「読者特価」でご購入の際、日経IDに未ログインの場合は途中で通常価格が表示されることがあります。ご購入画面をそのまま進んでいただき、「次へ(お客様情報の入力へ)」のボタン押下後に表示されるログイン画面で日経IDをご入力ください。特価適用IDであれば、表示が特価に変わります。