アルカンスルホン酸銅塩として、メタンスルホン酸銅、プロパンスルホン酸銅などが挙げられる。アルカノールスルホン酸銅塩として、イセチオン酸銅、プロパノールスルホン酸銅などが挙げられる。有機酸銅塩として、酢酸銅、クエン酸銅、酒石酸銅などが挙げられる。選択された1種類を単独で用いてもよいし、2種類以上を組み合わせて用いてもよい。選択された1つのカテゴリー内の異なる2種類以上を組み合わせて用いてもよい。銅めっき液の管理の観点からは、1種類の水溶性銅塩を単独で用いることが好ましい。銅めっき液は硫酸を含んでもよい。硫酸の添加量を調整することで、銅めっき液のpHおよび硫酸イオン濃度を調整できる。銅めっき液は一般的にめっき液に添加される添加剤を含む。添加剤として、レベラー成分、ポリマー成分、ブライトナー成分、塩素成分などが挙げられる。添加剤として、レベラー成分、ポリマー成分、ブライトナー成分、塩素成分などから選択された1種類を単独で用いてもよいし、2種類以上を組み合わせて用いてもよい。【0023】レベラー成分は窒素を含有するアミンなどで構成される。レベラー成分として、ジアリルジメチルアンモニウムクロライド、ヤヌス・グリーンBなどが挙げられる。ポリマー成分として、特に限定されないが、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール、ポリエチレングリコール−ポリプロピレングリコール共重合体から選択された1種類を単独で、または2種類以上を組み合わせて用いることが好ましい。ブライトナー成分として、特に限定されないが、ビス(3−スルホプロピル)ジスルフィド(略称SPS)、3−メルカプトプロパン−1−スルホン酸(略称MPS)などから選択された1種類を単独で、または2種類以上を組み合わせて用いることが好ましい。塩素成分として、特に限定されないが、塩酸、塩化ナトリウムなどから選択された1種類を単独で、または2種類以上を組み合わせて用いることが好ましい。銅めっき液の各成分の含有量は任意に選択できる。銅めっき液は硫酸銅を60〜280g/L、硫酸を20〜250g/L含有することが好ましい。すれば、銅めっき被膜20を十分な速度で成膜できる。銅めっき液はレベラー成分を0.5〜50mg/L含有することが好ましい。すれば、突起を抑制し平坦な銅めっき被膜20を形成できる。銅めっき液はポリマー成分を10〜1,500mg/L含有することが好ましい。すれば、基材10端部への電流集中を緩和し均一な銅めっき被膜20を形成できる。銅めっき液はブライトナー成分を0.2〜16mg/L含有することが好ましい。すれば、析出結晶を微細化し銅めっき被膜20の表面を平滑にできる。銅めっき液は塩素成分を20〜80mg/L含有することが好ましい。すれば、異常析出を抑制できる。銅めっき液が塩素成分を含むことで、形成された銅めっき被膜20に不純物として塩素が含まれる。銅めっき液の温度は20〜35°Cが好ましい。めっき槽40内の銅めっき液を撹拌することが好ましい。銅めっき液を撹拌する手段は、特に限定されないが、噴流を利用した手段を用いることができる。ノズルから噴出させた銅めっき液を基材10に吹き付けることで、銅めっき液を撹拌できる。【0026】めっき槽40の内部には、基材10の搬送方向に沿って複数のアノード41が配置されている。基材10を把持するクランプ34はカソードとしての機能も有する。アノード41とクランプ34(カソード)との間に電流を流すことで、基材10の表面に銅めっき被膜20を成膜できる。【0027】なお、図3に示すめっき槽40には、基材10の表裏両側にアノード41が配置されている。したがって、ベースフィルム11の両面に金属層12が形成された基材10を用いれば、基材10の両面に銅めっき被膜20を成膜できる。【0028】めっき槽40の内部に配置された複数のアノード41は、それぞれに整流器が接続されている。したがって、アノード41ごとに異なる電流密度となるように設定できる。本実施形態では、めっき槽40の内部が基材10の搬送方向に沿って、複数の区域に区分されている。各区域は一または複数の連続するアノード41が配置された領域に対応する。各区域は低電流密度区域LZまたは高電流密度区域HZである。低電流密度区域LZでは電流密度がゼロか比較的低い「低電流密度」に設定されており、基材10に対して低電流密度での電解めっきを行なう。高電流密度区域HZでは電流密度が低電流密度よりも高い「高電流密度」に設定されており、基材10に対して高電流密度での電解めっきを行なう。【0030】ここで、低電流密度区域LZにおける電流密度(低電流密度)を0〜0.29A/dm2に設定することが好ましい。高電流密度区域HZにおける電流密度(高電流密度)を0.3〜10A/dm2に設定することが好ましい。低電流密度区域LZと高電流密度区域HZとは基材10の搬送方向に沿って交互に設けられている。低電流密度区域LZは複数設けられる。高電流密度区域HZは複数設けられる。基材10の搬送方向を基準として、最も上流の区域が低電流密度区域LZであってもよいし、高電流密度区域HZであってもよい。下流の区域が低電流密度区域LZであってもよいし、高電流密度区域HZであってもよい。複数の低電流密度区域LZにおける電流密度は同じでもよいし、異なってもよい。複数の高電流密度区域HZにおける電流密度は同じでもよいし、異なってもよい。高電流密度区域HZにおける電流密度は、基材10の搬送方向の下流側に向かって、段階的に上昇するよう設定することが好ましい。基材10は、低電流密度区域LZと高電流密度区域HZとを交互に通過しながら、電解めっきされる。めっき槽40では基材10に対して、低電流密度での電解めっきと、高電流密度での電解めっきとを交互に繰り返し行なう。これにより、銅めっき被膜20が成膜される。【0034】このような方法により形成された銅めっき被膜20は、図1に示すように、異なる電流密度での電解めっきにより形成された複数の層が積層された構造となる。具体的には、銅めっき被膜20は高塩素濃度層21と低塩素濃度層22とが、厚さ方向に交互に積層された構造を有する。ここで、高塩素濃度層21は低電流密度での電解めっきにより形成され、相対的に塩素濃度が高い。低塩素濃度層22は高電流密度での電解めっきにより形成され、相対的に塩素濃度が低い。これは、電解めっきにおける電流密度が低いほど、銅めっき液の添加剤がめっき被膜に取り込まれやすくなるためであると推測される。高塩素濃度層21および低塩素濃度層22の配置は、めっき槽40における低電流密度区域LZおよび高電流密度区域HZの配置に依存する。高塩素濃度層21は複数存在する。低塩素濃度層22は複数存在する。基材10の表面(金属層12の表面)に直接積層される層が高塩素濃度層21であってもよいし、低塩素濃度層22であってもよい。銅めっき被膜20の表面(基材10と反対側の面)に表れる層が高塩素濃度層21であってもよいし、低塩素濃度層22であってもよい。Spectrometry)によって測定できる。銅めっき被膜20は高塩素濃度層21と低塩素濃度層22とが交互に積層された構造であるから、その厚さ方向の塩素濃度分布には複数の山形の局所分布が含まれる(図4参照)。詳細には、銅めっき被膜20の厚さ方向の塩素濃度分布は、複数の山形の局所分布が周期的に連続した分布となる。各局所分布のピーク近傍が高塩素濃度層21に相当し、それ以外の部分が低塩素濃度層22に相当する。セミアディティブ法により銅張積層板1を用いてフレキシブルプリント配線板を製造する際に、化学研磨により銅めっき被膜20を減膜することがある。厚さ1〜3μmの銅めっき被膜20を0.4〜0.8μmまで減膜する。この化学研磨により導体層にピンホールが生じることがある。【0038】これに対して、本実施形態の銅張積層板1であれば、ピンホールの発生を抑制できる。その理由は不明なところもあるが、概ねつぎのとおりであると考えられる。不純物として塩素を多く含む高塩素濃度層21では化学研磨液によるエッチングの進行が抑制される。エッチングが進行しやすい経路は高塩素濃度層21で途切れる。そのため、エッチングが進行しやすい経路が厚さ方向に繋がることがなく、エッチングが局所的に厚さ方向に進行することが抑制される。その結果、ピンホールの発生を抑制できる。塩素濃度分布に含まれる局所分布のピークにおける塩素濃度(二次イオン質量分析法により測定した値)は1×1019atoms/cm3以上であることが好ましく、2×1019atoms/cm3以上であることがより好ましい。塩素濃度分布に含まれる全部の局所分布がこの条件を満たしてもよいし、一部の局所分布がこの条件を満たしてもよい。塩素濃度分布が上記の通りであれば、ピンホールの発生を十分に抑制できる。塩素濃度分布に含まれる局所分布の半値全幅が隣り合う局所分布とのピーク間隔の半分よりも狭いことが好ましい。これは高塩素濃度層21の厚さが低塩素濃度層22の厚さよりも薄いことを意味する。エッチングの進行が抑制される高塩素濃度層21が薄いので、化学研磨速度が必要以上に遅くなり化学研磨に長時間を要することを防止できる。塩素濃度分布に含まれる全部の局所分布が上記条件を満たしてもよいし、一部の局所分布が上記条件を満たしてもよい。【0041】また、銅めっき被膜20に高塩素濃度層21が存在することで、化学研磨後の銅めっき被膜20の表面を滑らかにできるという効果も奏する。その理由は不明なところもあるが、概ねつぎのとおりであると考えられる。化学研磨液によるエッチングの進行は高塩素濃度層21において相対的に遅くなり、低塩素濃度層22で相対的に速くなる。銅めっき被膜20の厚さ方向にエッチングの進行が遅い部分と速い部分とが交互に現れるため、エッチングが局所的に進行せず、全面に渡って均一に進行する。その結果、化学研磨後の銅めっき被膜20の表面が滑らかになる。【0042】なお、銅めっき被膜20は塩素以外の不純物、例えば、銅めっき液の添加剤に由来する炭素、酸素、硫黄などを含んでもよい。【0043】つぎに、実施例を説明する。(実施例1)つぎの手順で、基材を準備した。Upilex−35SGAV1)を用意した。ベースフィルムをマグネトロンスパッタリング装置にセットした。マグネトロンスパッタリング装置内にはニッケルクロム合金ターゲットと銅ターゲットとが設置されている。ニッケルクロム合金ターゲットの組成はCrが20質量%、Niが80質量%である。真空雰囲気下で、ベースフィルムの片面に、厚さ25nmのニッケルクロム合金からなる下地金属層を形成し、その上に厚さ100nmの銅薄膜層を形成した。【0044】つぎに、銅めっき液を調整した。銅めっき液は硫酸銅を120g/L、硫酸を70g/L、レベラー成分を20mg/L、ポリマー成分を1,100mg/L、ブライトナー成分を16mg/L、塩素成分を50mg/L含有する。PAS−A―5)を用いた。ユニルーブ50MB−11)を用いた。GmbH社製の試薬)を用いた。35%塩酸)を用いた。前記銅めっき液が貯留されためっき槽に基材を供給した。電解めっきにより基材の片面に厚さ2.0μmの銅めっき被膜を成膜して銅張積層板を得た。ここで、銅めっき液の温度を31°Cとした。電解めっきの間、ノズルから噴出させた銅めっき液を基材の表面に対して略垂直に吹き付けることで、銅めっき液を撹拌した。電解めっきにおいて、空送期間が11回含まれるように電流密度を変化させた。0.0A/dm2で電解めっきを行なう期間を意味する。空送期間以外における電流密度(高電流密度)は1.2A/dm2とした。【0047】(実施例2)実施例1と同様の手順で銅張積層板を得た。電解めっきにおいて、空送期間が7回含まれるように電流密度を変化させた。その余の条件は実施例1と同様である。【0048】(比較例1)実施例1と同様の手順で銅張積層板を得た。電解めっきにおいて、電流密度を3.2A/dm2とし、空送期間を設けなかった。その余の条件は実施例1と同様である。【0049】(塩素濃度測定)実施例1、2および比較例1で得られた銅張積層板に対して、銅めっき被膜の塩素濃度を測定した。測定は二次イオン質量分析法によって行なった。ADEPT−1010)を用いた。測定条件は、一次イオン種をCs+、一次加速電圧を5.0kV、検出領域を96×96μmとした。本明細書における塩素濃度の値は、前記条件で測定した値を基準とする。図4(A)に実施例1で得られた銅張積層板の測定結果を示す。図4(B)に実施例2で得られた銅張積層板の測定結果を示す。図4(C)に比較例1で得られた銅張積層板の測定結果を示す。図4の各グラフの横軸は銅めっき被膜の厚さ方向の位置である。0.0μmが銅薄膜層側の面、2.0μmが表面である。縦軸は塩素濃度である。図4(A)のグラフから分かるように、実施例1では、銅めっき被膜の厚さ方向の塩素濃度分布が周期的な10個の山形の局所分布からなる。0.2μm付近のピークは最初の2回の空送期間に対応する。残りの9個のピークはそれに続く9回の空送期間に対応する。この銅めっき被膜は高塩素濃度層と低塩素濃度層とが交互に積層された構成といえる。この銅めっき被膜は高塩素濃度層を10層含んでいるといえる。表1に実施例1で得られた塩素濃度分布の詳細を示す。ここで、塩素濃度分布に含まれる10個のピークを、表面側(2.0μm)から銅薄膜層側(0.0μm)に向かってそれぞれ第1〜第10ピークと称する。それぞれのピークについて、ピーク値(ピークにおける塩素濃度)、そのピークを含む局所分布の半値全幅、隣り合う局所分布とのピーク間隔の半分を示す。ピーク間隔として対象のピークと銅薄膜層側に隣接するピークと間隔を用いた。第1ピークのピーク間隔は、第1ピークと第2ピークと間隔である。表1より、全10個のピークにおける塩素濃度が1×1019atoms/cm3以上であることが分かる。全10個のピークのうち5個のピークにおける塩素濃度が2×1019atoms/cm3以上であることが分かる。各ピークの半値全幅はピーク間隔の半分と同じが、それよりも広いことが分かる。これは、高塩素濃度層の厚さと低塩素濃度層の厚さとが同程度であることを意味する。図4(B)のグラフから分かるように、実施例2では、銅めっき被膜の厚さ方向の塩素濃度分布が周期的な6個の山形の局所分布からなる。0.2μm付近のピークは最初の2回の空送期間に対応する。残りの5個のピークはそれに続く5回の空送期間に対応する。この銅めっき被膜は高塩素濃度層と低塩素濃度層とが交互に積層された構成といえる。この銅めっき被膜は高塩素濃度層を6層含んでいるといえる。表2に実施例2で得られた塩素濃度分布の詳細を示す。ここで、塩素濃度分布に含まれる6個のピークを、表面側(2.0μm)から銅薄膜層側(0.0μm)に向かってそれぞれ第1〜第6ピークと称する。それぞれのピークについて、ピーク値、半値全幅、ピーク間隔の半分を示す。表2より、全6個のピークにおける塩素濃度が1×1019atoms/cm3以上であることが分かる。全6個のピークのうち5個のピークにおける塩素濃度が2×1019atoms/cm3以上であることが分かる。各ピークの半値全幅はピーク間隔の半分よりも狭いことが分かる。これは、高塩素濃度層の厚さが低塩素濃度層の厚さよりも薄いことを意味する。図4(C)のグラフから分かるように、比較例1では、銅めっき被膜の厚さ方向の全体に渡って塩素濃度が低い。具体的には、塩素濃度が全体に渡って1×1019atoms/cm3未満である。したがって、この銅めっき被膜は高塩素濃度層と低塩素濃度層とが交互に積層された構成を有していない。【0059】(化学研磨)実施例1、2および比較例1で得られた銅張積層板に対して化学研磨を行なった。化学研磨液として硫酸と過酸化水素とを主成分とした液(三菱ガス化学株式会社製CPE−750を10倍に希釈した液)を用いた。厚さ2μmの銅めっき被膜を0.5μmまで減膜した。各銅張積層板の化学研磨速度を表3に示す。比較例1を基準とすると、実施例1は化学研磨速度が14.9%遅くなり、実施例2は化学研磨速度が13.7%遅くなることが分かる。その理由は不明なところもあるが、エッチングの進行が抑制される高塩素濃度層21が薄い方が、化学研磨速度が速くなるためであると推測される。これより、化学研磨速度の観点からは、塩素濃度分布に含まれる局所分布の半値全幅が隣り合う局所分布とのピーク間隔の半分よりも狭いこと(実施例2)が好ましいことが確認された。【0062】(ピンホール)つぎに、化学研磨後のピンホールの数を測定した。化学研磨の後、ピンホールの数を測定した。測定は、ベースフィルム側からハロゲンランプを照射して、金属顕微鏡により視野内に存在する透過光の数を計数することにより行った。ここで、金属顕微鏡の視野は1.81mm×2.27mmである。3視野の透過光の数の総数をピンホール数とした。【0063】その結果を表1に示す。実施例1、2は比較例1に比べてピンホールが少ないことが確認された。これより、高塩素濃度層と低塩素濃度層とが交互に積層された銅めっき被膜であれば、ピンホールの発生を抑制できることが確認された。銅めっき被膜に含まれる高塩素濃度層の数が多いほうがピンホールの発生を抑制できることが確認された。銅めっき被膜に含まれる高塩素濃度層の数が6層以上であれば、ピンホールの発生を十分に抑制できる。【0065】(表面粗さ)実施例1、2および比較例1で得られた銅張積層板に対して、化学研磨前の銅めっき被膜の表面粗さを測定した。その結果を表5に示す。ここで、表面積比の測定にはキーエンス社製レーザー顕微鏡VK−9510を用いた。70×93μmの測定エリアの測定表面積から表面積比を求めた。化学研磨前の表面粗さは、実施例1、2および比較例1でほぼ同一である。【0066】つぎに、各銅張積層板に対して化学研磨を行なった。その条件は前述の化学研磨と同じである。化学研磨の後、銅めっき被膜の表面粗さを測定した。その結果を表5に示す。実施例1、2では化学研磨の前後で表面粗さにほとんど変化がないことが分かる。比較例1では化学研磨後の銅めっき被膜の表面が粗くなっていることが分かる。実施例1、2は比較例1に比べて化学研磨後の銅めっき被膜の表面が滑らかであることが確認できる。図5に化学研磨の後の銅めっき被膜の表面のSEM画像を示す。図5(A)は実施例1のSEM画像である。図5(B)は実施例2のSEM画像である。図5(C)は比較例1のSEM画像である。これらのSEM画像からも、実施例1、2は比較例1に比べて化学研磨後の銅めっき被膜の表面が滑らかであることが分かる。以上より、高塩素濃度層と低塩素濃度層とが交互に積層された銅めっき被膜であれば、化学研磨後の銅めっき被膜の表面を滑らかにできることが確認された。Reserved.5。