ベースフィルム11と、ベースフィルム11の表面に形成された金属層12と、金属層12の表面に形成され、不純物として塩素を含む銅めっき被膜20とを備え、銅めっき被膜20の結晶粒の平均粒子径は300nm以下である銅張積層板1。銅めっき被膜20は、塩素濃度が高い高塩素濃度層21と、塩素濃度が低い低塩素濃度層22とが交互に積層されてなることが好ましい。本発明は、銅張積層板に関する。液晶パネル、ノートパソコン、デジタルカメラ、携帯電話などには、樹脂フィルムの表面に配線パターンが形成されたフレキシブルプリント配線板が用いられる。フレキシブルプリント配線板は、例えば、銅張積層板から製造される。銅張積層板の製造方法としてメタライジング法が知られている。メタライジング法による銅張積層板の製造は、例えば、つぎの手順で行なわれる。樹脂フィルムの表面にニッケルクロム合金からなる下地金属層を形成する。つぎに、下地金属層の上に銅薄膜層を形成する。つぎに、銅薄膜層の上に銅めっき被膜を形成する。銅めっきにより、配線パターンを形成するのに適した膜厚となるまで導体層を厚膜化する。メタライジング法により、樹脂フィルム上に直接導体層が形成された、いわゆる2層基板と称されるタイプの銅張積層板が得られる。【0004】この種の銅張積層板を用いてフレキシブルプリント配線板を製造する方法としてセミアディティブ法が知られている。セミアディティブ法によるフレキシブルプリント配線板の製造は、つぎの手順で行なわれる(特許文献1参照)。銅張積層板の銅めっき被膜の表面にレジスト層を形成する。つぎに、レジスト層のうち配線パターンを形成する部分に開口部を形成する。つぎに、レジスト層の開口部から露出した銅めっき被膜を陰極として電解めっきを行ない、配線部を形成する。つぎに、レジスト層を除去し、フラッシュエッチングなどにより配線部以外の導体層を除去する。これにより、フレキシブルプリント配線板が得られる。【0005】セミアディティブ法において、銅めっき被膜の表面にレジスト層を形成するあたり、ドライフィルムレジストを用いることがある。この場合、銅めっき被膜の表面を化学研磨した後に、ドライフィルムレジストを貼り付ける。化学研磨により銅めっき被膜の表面に微細な凹凸をつけることで、アンカー効果によるドライフィルムレジストの密着性を高めている。化学研磨後の銅めっき被膜の表面粗さは、銅めっき被膜の結晶粒のサイズに影響される。結晶粒が小さいほど化学研磨後の銅めっき被膜の表面が滑らかになり、結晶粒が大きいほど化学研磨後の銅めっき被膜の表面が粗くなるという傾向がある。本発明は上記事情に鑑み、化学研磨後の銅めっき被膜の表面を滑らかにできる銅張積層板を提供することを目的とする。第1発明の銅張積層板は、ベースフィルムと、前記ベースフィルムの表面に形成された金属層と、前記金属層の表面に形成され、不純物として塩素を含む銅めっき被膜と、を備え、前記銅めっき被膜の結晶粒の平均粒子径が300nm以下であることを特徴とする。第2発明の銅張積層板は、第1発明において、前記銅めっき被膜は、塩素濃度が高い高塩素濃度層と、塩素濃度が低い低塩素濃度層とが交互に積層されてなることを特徴とする。二次イオン質量分析法により測定した塩素濃度は1×1019atoms/cm3未満であることを特徴とする。本発明によれば、銅めっき被膜の結晶粒の粒子径が300nm以下であるので、結晶粒が十分に小さく、化学研磨後の銅めっき被膜の表面を滑らかにできる。【図1】本発明の一実施形態に係る銅張積層板の断面図である。【図2】めっき装置の斜視図である。【図3】めっき槽の平面図である。【図4】図(A)は実施例1における銅めっき被膜の塩素濃度分布を示すグラフである。図(B)は実施例2における銅めっき被膜の塩素濃度分布を示すグラフである。【図5】図(A)は比較例1における銅めっき被膜の塩素濃度分布を示すグラフである。図(B)は比較例1における銅めっき被膜の塩素濃度分布を示すグラフである。【図6】図(A)は実施例1における銅張積層板の断面のSEM画像である。図(B)は実施例2における銅張積層板の断面のSEM画像である。【図7】図(A)は比較例1における銅張積層板の断面のSEM画像である。図(B)は比較例2における銅張積層板の断面のSEM画像である。【図8】図(A)は実施例1における化学研磨後の銅めっき被膜の表面のSEM画像である。図(B)は実施例2における化学研磨後の銅めっき被膜の表面のSEM画像である。【図9】図(A)は比較例1における化学研磨後の銅めっき被膜の表面のSEM画像である。図(B)は比較例1における化学研磨後の銅めっき被膜の表面のSEM画像である。【0012】つぎに、本発明の実施形態を図面に基づき説明する。図1に示すように、本発明の一実施形態に係る銅張積層板1は、基材10と、基材10の表面に形成された銅めっき被膜20とからなる。図1に示すように基材10の片面のみに銅めっき被膜20が形成されてもよいし、基材10の両面に銅めっき被膜20が形成されてもよい。基材10は絶縁性を有するベースフィルム11の表面に金属層12が形成されたものである。ベースフィルム11としてポリイミドフィルムなどの樹脂フィルムを用いることができる。金属層12は、例えば、スパッタリング法により形成される。金属層12は下地金属層13と銅薄膜層14とからなる。下地金属層13と銅薄膜層14とはベースフィルム11の表面にこの順に積層されている。一般に、下地金属層13はニッケル、クロム、またはニッケルクロム合金からなる。限定されないが、下地金属層13の厚さは5〜50nmが一般的であり、銅薄膜層14の厚さは50〜400nmが一般的である。銅めっき被膜20は金属層12の表面に形成されている。限定されないが、銅めっき被膜20の厚さは1〜3μmが一般的である。金属層12と銅めっき被膜20とを合わせて「導体層」と称する。銅めっき被膜20は、その結晶粒の平均粒子径が300nm以下である。結晶粒が十分に小さいため、化学研磨後の銅めっき被膜20の表面を滑らかにできる。化学研磨後の銅めっき被膜20の表面粗さは、銅めっき被膜20の結晶粒のサイズに影響される。結晶粒が小さいほど化学研磨後の銅めっき被膜20の表面が滑らかになり、結晶粒が大きいほど化学研磨後の銅めっき被膜20の表面が粗くなるという傾向がある。その理由は不明なところもあるが、概ねつぎのとおりであると考えられる。結晶粒界は結晶粒内よりもエッチングが進行しにくい。そのため、化学研磨後の銅めっき被膜20の表面粗さには結晶粒のサイズが反映される。その結果、結晶粒が小さいほど化学研磨後の銅めっき被膜20の表面が滑らかになる。【0016】なお、銅めっき被膜20の結晶粒の平均粒子径は100nm以上が好ましい。一般に、銅めっきにより形成した被膜は、再結晶の進行にともない結晶粒が徐々に大きくなる。そのため、平均粒子径が100nm未満の微細な結晶粒を維持することは困難である。平均粒子径が100nm以上の結晶粒からなる銅めっき被膜20であれば、安定的に製造できる。銅めっき被膜20は電解めっきにより成膜される。銅めっき被膜20は、特に限定されないが、図2に示すめっき装置3により成膜される。めっき装置3は、ロールツーロールにより長尺帯状の基材10を搬送しつつ、基材10に対して電解めっきを行なう装置である。めっき装置3はロール状に巻回された基材10を繰り出す供給装置31と、めっき後の基材10(銅張積層板1)をロール状に巻き取る巻取装置32とを有する。【0018】また、めっき装置3は基材10を搬送する上下一対のエンドレスベルト33(下側のエンドレスベルト33は図示省略)を有する。各エンドレスベルト33には基材10を把持する複数のクランプ34が設けられている。供給装置31から繰り出された基材10は、その幅方向が鉛直方向に沿う懸垂姿勢となり、両縁が上下のクランプ34に把持される。基材10はエンドレスベルト33の駆動によりめっき装置3内を周回した後、クランプ34から開放され、巻取装置32で巻き取られる。基材10の搬送経路には、前処理槽35、めっき槽40、および後処理槽36が配置されている。基材10はめっき槽40内を搬送されつつ、電解めっきによりその表面に銅めっき被膜20が成膜される。これにより、長尺帯状の銅張積層板1が得られる。図3に示すように、めっき槽40は基材10の搬送方向に沿った横長の単一の槽である。基材10はめっき槽40の中心に沿って搬送される。めっき槽40には銅めっき液が貯留されている。めっき槽40内を搬送される基材10は、その全体が銅めっき液に浸漬されている。銅めっき液は水溶性銅塩を含む。銅めっき液に一般的に用いられる水溶性銅塩であれば、特に限定されず用いられる。