サービス採用情報EnglishCLOSE【プレスリリース】FLOSFIA、GaO®半導体で、SiCを凌駕するチャネル移動度を実現!この度、FLOSFIAは、独自に開発を手掛ける新しい半導体「GaO®」(材料名α-Ga2O3:コランダム構造酸化ガリウム)を用いたノーマリーオフ動作するパワートランジスタ(MOSFET)において、先行する市販SiCの特性を大幅に超えるチャネル移動度72cm2/Vsを実現しました。「ノーマリーオフ動作」は、ゲートに電圧をかけないときにオフ動作することをいい、安全・安心な電気システムのために重要なパワートランジスタの特性です。「チャネル移動度」は、低損失な電気システムのために重要なパワートランジスタの特性です。今回、GaO®半導体を用いて、これら二つの特性を同時に実現することに成功しました。コスト化に貢献すること、そして、低環境負荷社会の実現に貢献することを目指し、2021年以降の実用化を目指します。科学技術振興機構)によって実施されました。注:「GaO®」はFLOSFIAの登録商標です。info(アット)flosfia.com※(アット)を@に変更ください。