●ComputerにはこのDRAMが一時記憶として使用された。SRAMが使用され、書き込みに時間がかかる、大容量不揮発性メモリ(NVRAM)が、USBメモリカードなどの形で大量に使用される時代となった。Transistorの動作原理を学びました。構造と製造方法やその動作原理を学びました。社の産学共同プロジェクトに参加しました。MooreはCaltechの卒業生である事を知りました。Caltechの卒業生には、当時Intel社とFairchild社に入社する先輩が多数いました。社の間では、産学共同プロジェクトが存在しました。瞬時に比較判定する、並列プロセッサーを設計してみました。chipも一緒に試作されることになりました。不安でしたが、それが一発完動しました。その時の萩原の感激は言葉に表せないものでした。いろいろなことを学びました。MOSデジタル回路の設計とその設計手法(CAD技術)まで学びました。電子(男の子)と正孔(女の子)の共同作業で動作することを学びました。領域の、元気な電子(男の子)が丘(base)の上にいる正孔(女の子)を捕まえようと、丘(base)に向かって、飛び上がります。その丘(base)は非常に狭い領域です。領域の接合領域があります。そこは空乏層領域となっていて、その中は、強い電界地帯(絶壁)となっています。正孔(女の子)を捕まえることなく、絶壁に突き落とされます。その中で運よく、正孔(女の子)と結ばれる電子(男の子)は100個のうち、1個か2個程度です。領域に誘導したことになります。電流の増幅率は50倍から100倍近くになるということになります。Transistorの動作原理となります。Transistorの動作原理を学びました。萩原はもともと鉄腕アトムのマンガに感化され、将来は電子頭脳を造ることが将来の夢でした。その部品となるのが、トランジスタ―であることを知りました。人間の目も、もともとは脳の細胞が進化し、脳から飛び出して、光を感知する神経細胞(網膜細胞)の集まりであるということを理解しました。それなら、電子の目も、コンピュータの基本部品である、トランジスタで構成できるのはないかと考えました。ImageSensorが開発されて実用化されていました。Sensorでしたがそれでも、まだまだ完全ではなく、いろいろな問題がありました。残像の問題があることを知りました。されないことを知りました。雑音が多い事も理解しました。プロセスの微細化技術が進んでいませんでした。造るには、ひとつひとつの画素の面積を小さくする必要があり、各絵素に、信号増幅回路を組み込むことができませんでした。)が無視できませんでした。)が無視できませんでした。●そこで、1970年に米国ベル研でCCD型の電荷転送装置が発明されました。CCDは、多数の小さなMOS型の容量が一列に並んだ簡単な構造をしています。Device)と呼ばれる様になりました。なく、全く実用化に耐えることができません。大容量を充放電する必要があり、CCDは役に立たないとの結論を出しました。論文のテーマとして研究を始めました。開催の、ISSCC1974で、PhD学生論文を発表しました。萩原が1975年2月にSONYに入社するころには、もうCCDには将来性がないのではと疑う企業が増加しました。Sensorの改良に尽力しました。型の改良版などいろいろな構造を考案し学会発表していました。電極があり、CCD構造自体は光を反射し、光感度、特に短波長青色光の感度がたいへん悪いでした。トランジスタ回路のプロセスの延長上で製造が可能であり魅力的でした。側の感度は充分とれるので注目されていました。1978年になり、事態が変貌しました。採用し、その優れた特性を学会発表してから事態が変貌しました。構造を埋め込みPhotodiodeと命名しました。(PPD)と命名しました。Sensorの市場を制覇しました。なり、小型ビデオカメラの市場を制覇しました。世界市場を制覇しました。当時、「CCDカメラは超感度である」と評価され、超感度はCCDだから超感度と言われるようになりました。実は、超感度とCCDは全く関係ありませんでした。超感度なのは、実は、光を電気信号に変換する、P+NP接合型の受光素子でした。萩原が1975年に発明(理論形式知)して、1978年に世界で初めて、このP+NP接合型の受光素子を原理試作し、萩原がSSDM1978で学会で論文(実験形式知)発表したものでした。この萩原発明のP+NP接合型受光素子がビデオカメラを超感度にしていたのでした。世界はCCDだらか超感度だと誤解していました。CCDは消えてました。Sensorになってしまいました。Sensorにも世界中で採用され続けています。●「CCDだから超感度です。」と良く言われるいました。CCD自体は超感度とは全く関係ありません。本当の超感度の特長を持つのは、光を電気信号に変換する、受光素子なのですが、世界はその事を理解していませんでした。原点にもう一度戻ります。(CTD)の2つの主要部品で構成されます。●「CCDだから超感度です。」と良く言われる程になりました。実はこれは誤解でした。市場からほとんど消えてしまいました。今では、CMOS型の電荷転送装置が主流となっています。容量が大きく、その充放電にかかる消費電流が無視できません。Sensorの各絵素に組み込む事が可能となりました。受光素子の信号電流を出力することが可能となりました。●「CCDだから超感度です。」と良く言われる程になりました。実はこれは誤解でした。市場からほとんど消えてしまいました。今では、CMOS型の電荷転送装置が主流となっています。CMOSでもありません。超感度はあくまで、光を電気信号に変換する、受光素子の特長です。Sensorの超感度の特長を支えてきました。Sensorの超感度の特長を支えてきた、受光素子の構造の構造はどのようなものなのでしょうか?受光素子は、人間の目の網膜細胞の相当します。それを1975年にもとSONYの萩原良昭は発明し、特許出願(理論形式知)ました。論文(実験形式知)にまとめ、学会発表しました。Movieを新聞発表しました。Yorkでの、2ヶ所の、同日の記者会見でした。Yorkでは、盛田昭夫会長による同日の記者会見でした。会見に出席してその様子を見て感激していました。この受光素子の構造は、P+NPsub接合型の受光素子です。Photodiode(PPD)と呼ばれる様になりました。(HAD)と商標登録し、世界のビデオカメラ市場を制覇することになりました。ライバル企業との特許戦争も長期に渡り続き、萩原もその攻防でたいへん苦労の日々が続きましたが、最終的にSONYを勝利に導き、萩原はその功労で、SONY社内で、発明表彰を受けることができました。HAD)に関する基本特許は、また、縦型OFD(VOD)の発明も含む強力な基本特許となっています。このVOD構造を使って、機械的なメカのシャッターが不要な、電子シャッターが現在では実用化され普及していますが、その基本特許の発明者でもあります。改善工夫をしてきました。Sensorになっても、実は受光部には、CCD型の受光素子は採用される事はありませんでした。CCDは本質的にMOS容量のかたまりです。短波長青色光の感度がたいへん悪いでした。Sensorにも採用され、それが主流でした。接合型の受光素子にも残像がありました。Sensorも同時に開発検討していました。開発商品化に成功しました。●SONYは、優れた製品を市場に提供すべく、ビデオカメラでもその性能に対するこだわりは特別なものでした。次の4つのビデオカメラに絶対必要な特長を実現するためにたいへん努力しました。(1)超感度であること(2)低表面暗電流雑音であること(3)残像のない、高速アクション映像を可能にすること(4)過剰な光量に対して、過剰信号電荷を取り去る機能をもつこと現在、この4つの機能を持つ、受光素子が実用化されています。P+NPNsub接合型の受光素子に進化したものです。この超感度受光素子の発明は、1975年の萩原出願の3つの基本特許(理論形式知)で定義される構造であり、それは、1978年にSSDM1978の国際学会で、論文(実験形式知)として世界ではじめて萩原が発表したのがすべてのはじまりでした。Sensorの光超感度性に貢献しています。Photodiodeの発明者です。Photodiodeの発明である。より、完全に吸い取られる様子が描かれている。Photodiodeの発明である。Photodiodeの発明シリコン裏面には、濃いN+層が形成されている。層の不純物勾配により、バリア電界が生じ、シリコン表面近傍での光電変換により発生した、電子とHoleのPairの電界分離を助長する効果がある。ミクロン程度しか透過しない、短波長青色光の光電変換にたいへん有利な構造となる。雑音を抑圧する効果がある。Photodiodeの発明である。Photodiodeの発明者です。構造の発明者でもあります。電圧に合わせて、順次、隣接する電荷転送装置に別のClockで電圧2&3を印加することにより転送動作をさせています。(HAD)の基本特許となります。特許請求範囲の定義文を参照してください。バイポーラ―トランジスタ構造(PNP)を形成するという単純構造特許となります。結果として、P+NPNsub構造の発明特許となります。バイポーラ―トランジスタ構造(PNP)にはPN接合とNP接合が存在します。素子も特許請求範囲に含みます。PN接合を形成した、PNPsub接合型の埋込みPhotodiodeの構造特許も含みます。これは萩原がSSDM1978で学会発表した受光素子構造がこの構造となります。萩原は1975年に上記5つの構造特許の発明者であります。Holeの電界分離動作による、短波長青色光の光電変換の実現も萩原の発明となります。この(6)の萩原良昭の1975年の発明が一番重要です。Sensorの超感度性を実現する要因となっている事はまったく現在でも、世界に理解されていないままとなっています(大涙)。Drain(VOD)機能が組み込まれた受光素子となっていますが、実際には別の方々の発明として社会認知されたままになっています(大々涙)。Sensorは、N+P接合型の受光素子で当初開発が進みましたが、残像があり、高速アクション映像の実現がたいへん困難でした。Sensorを開発し、商品化しました。Chipとなりました。萩原が1978年に設計開発したものです。層となり、電圧が固定され、ピン止めされ、表面暗電流雑音が非常に少ない事を報告しました。Sensorにおいても、残像があることは報告されませんでした。可能で、基本的に残像がないことは周知情報でした。Sensorには、残像がないのが当然とされていました。Sensorに採用しており、残像がありました。Sensorも光をエネルギーに変換するものです。基板にNP接合を形成した構造です。VOD機能を目的とする構造の発明です。基板にPN接合を形成した構造です。完全空乏化転送をする埋め込みPhotodiodeの発明です。基板にPNP接合を形成した構造です。http://www.aiplab.com/JP1975-134985.pdf構造的には、PNP接合は、東芝のNP接合もNECのPN接合も含む複合構造です。したがって両方のいろいろな機能が期待できる複雑構造の発明です。Accumulation領域を利用して表面酸化膜の露出により青色感度の向上が期待できます。超感度が命でこれが一番重要な特徴です。「CCDだから超感度」とよくテレビなどで話題になりましたが今はCCDはまったく存在しません。してなのか世界はその理由をいまだに知りません。CMOSが超感度ですばらしいということになっています。電荷転送装置で信号電荷の「運び屋」さんです。CMOSの時代も活用され今も未来も「賢い電子の目」として愛用されるものです。http://www.aiplab.com/004_FCX018_Pinned_Photodiode.jpg(2)かつ実施図にも明示しているが、表面のP層はピン止めが可能で、その結果表面電位を固定することが可能で表面暗電流を抑止します。白点や暗電流を抑止し、生産歩留まりが向上し、企業に利益をもたらします。シリコン界面の不完全な原子構造の問題を解決します。特許に実施図は明示しています。図は、信号電荷が完全転送され、取り残しのない事を示す、「残像なし」の性質があることを意味する。「残像なし」を意味する、学術専門用語です。VOD機能が期待できる事例を明示しています。よるVOD機能はほかにもいろいろこの複雑構造体では可能です。http://www.aiplab.com/image136.jpgPhotodiodeは歴史的にいろいろな構造があります。Photodiodeがありました。電子とHoleのペアは離れることなく、すぐに再結合し、青色感度が非常に悪いでした。N+P接合の空乏層領域のバリア電界の中でしか、効率良く実行できません。電子とHoleのペアの瞬間分離にはバリア電界の存在が不可欠でした。PN接合の空乏層領域だけでなくP+Pの濃度勾配を利用しても、バリア電界をつくる事は可能です。萩原は1975年にその物理原理に着目しました。瞬間電界分離し、信号電荷(電子)を効率よく抽出することを考案発明しました。表面暗電流が発生する。NEC1980年特許は実はこの構造特許です。http://www.aiplab.com/image_022.jpgNEC1980年特許はPPDの発明ではない。基板にPNP接合を形成する構造を発明しました。Photodiodeを萩原は1975年に発明しました。(4)VOD機能をもつ受光素子も発明しました。(1)から(4)の機能を持つ受光素子をSONYはHADと命名しました。http://www.aiplab.com/HAD_photo_PNP_transistor.jpgSONYはこの事実を認めています。萩原発明のHADに対して、他社から特許攻撃を受けました。各社から受け、そのいいがかりの対応に萩原自身も発明者として時間を取られ本業が妨げられ、昇進の機会を失くし、苦労していました。構造の発明者と認め、SONY社内で萩原は特許1級を受賞しました。HADは過去のものだ」と「よくもまあ、わかりにくい特許を萩原は書いたものだ」と萩原の努力を冷視する当時のTOP(森尾副社長や越智さんたち)がいました。SensorのTOPでした。彼らが、萩原のこのすばらしい発明を発明協会に推薦することはありませんでした。萩原が大賀会長や安藤社長と親しくする姿を見て、それを不快と感じているのは萩原にも理解できていました。http://www.aiplab.com/SONY_Ohga_Chairman_and_Hagiwara_1996.jpghttp://www.aiplab.com/SONY_Ando_President_and_Hagiwara_2003.jpgSSISのWEB記述は完全に当時のSONY社内の判断(萩原に社内特許発明賞)と矛盾する内容になります。NEC(寺西)が「残像なし」の性質を発明したとの記述は完全に間違いです。NEC(寺西)の1980年特許は埋め込みPhotodiodeの製法特許であり、残像という言葉は一度も特許になかで使われていません。この特許が「残像なし」の発明というのは嘘です。発明協会のWEBサイトも、女王賞の受賞CITATIONも完全にSONY社内の判断と矛盾する内容になっています。これに対していまだにSONYからは公式な抗議表明はありません。今のSONYのTOPは世代交代で、昔のことをご存知ありませんでした。当時はSONY常務の清水さんも、SONY知的財産センサーの小池さんも、まだかけだしの、現役若手社員でした。萩原は71歳で人生の締めに入る時期となりました。何が事実で何が嘘だったかについては後世に伝える義務があると思っています。発明と、その開発背景について正確な歴史認識をお願い申し上げます。Page*********************************************************。