******************************************************************************************************************************************http://www.aiplab.com/Study_Korean.html*********************************************************萩原良昭の著書の紹介です。Problem萩原良昭の活動紹介です。Works固体撮像素子が開発される前は撮像管が実用化されていました。SONYは残像もない焼き付けもない高性能な撮像管を開発し商品化していました。STATEの半導体デバイスにSONYの未来をかけました。それがヒントで萩原の1975年のPPDの発明につながりました。truth.******************************真空管に代わって、トランジスタ―が発明されてからも長い間、放送局用のビデオカメラは大型の撮像管を使っていました。残像があり、感度も悪いでした。放送局では強い照明を必要として、汗をだくだくかきながらの大仕事でした。1970年代になり、CCDの発明は大きな革新を招きました。実現し、残像がなく、また、配線(clock)雑音や熱(CKT)雑音がありません。比は一段と向上しました。金属は光を反射して、透過しません。感度が非常に悪いでした。多くの企業はCCDを受光部として採用することをあきらめました。その代わり、N+P接合型の受光素子を採用しました。N+P接合型の受光素子にも残像がありました。選択は2つありました。Floatingとなり、(1)と同様に完全空乏化は実は不可能です。この事実を理解するにはたいへん難しいです。(3)の構造、すなわち、表面が固定、ピン止めされてはじめて残像も完全になくなり、かつ、表面暗電流がなくなります。膜を電極に採用するかの2つの選択がありました。SONYのみが(2)を選択しました。Chip、ICX-008(萩原設計)の試作に成功しました。方式のCCDカメラの商品化に成功しました。表面が空乏化してしまい、表面暗電流が多発し、白点や暗電流ムラが生じ、たいへん生産性に問題があり、また、暗い画面ではすりガラスを通して見る様な映像になりました。そこで1975年2月にSONYに入社して間もなく、その問題をどうすれば解決できるか思案を始めました。受光素子でなければありません。N+P接合には残像の問題がありました。N+層が濃い濃度であるのが問題でした。N+を薄くして、埋込み型のCCDのN層と同様に薄い濃度のすればどうかと考えました。それでは表面が不安定になります。そので表面にP+層を形成に、その結果、P+NP接合とすることを萩原は考えました。することにより、残像がない、かつ、青色感度が確保され、かつ、表面に電界がなく、表面暗電流が抑圧できる受光構造となると思いました。ミクロ程度の深さまでしか透過しないことをたいへん重要視しました。ミクロ程度以内にPN接合の空乏層を形成するのはほぼ不可能であると気づきました。Holeが効率よく分離されることが可能であると理解していました。Holeが効率よく分離される電界を形成する手段は、PN接合だけでなく、P+P構造や、N+N構造のバリア電界の中でも可能ではないかと萩原は考えました。Diodeは(1)青色光の感度向上が最大の目的でした。(2)の表面の暗電流の抑圧でもなく、(3)の残像のない特長でもありませんでした。Sensorで一番重要なのは感度で(1)の青色光の感度向上が最大のメリットであると考えました。萩原は、ほどほどに光感度を保持するN+P接合型の受光素子も、実は青色感度に関してはあまり良くないはずだとも考えました。Floating状態であり、電界が存在しないと考えました。(PPD)に関する、3つの基本特許を出願しました。1975-134985******************************萩原の1975年発明のPPDの、本当の重要な特長は、残像だけではありません。他にも重要な特長があり、これからも期待されます。優れていることが注目されます。よる生産性へのメリットがあります。(3)それに、1975年にもとSONYの萩原が発明した、PPDは裏面照射型を想定した構造となっていたことも注目されます。性を重視した、人工知能(AI)を駆使した、人間にやさしい、人間のパートナーシステム(PS)としての応用、AIPSへの応用がたいへん期待されています。発明者はもとSONYの萩原良昭です。Sensorの権威者です。Theuwissenは多数の論文を発表しています。下記の様に引用しています。Device(HAD)のすべての母(原型)ではないかとコメントしています。P+NP接合型受光素子として萩原は発表した。SONYが命名したもの、この3つのすべては、P+NP接合型の受光素子そのものです。型受光素子そのものであると指摘しています。Photodiodeの概念を理解していた人は世界でSONYの萩原良昭ただ1人だったと思います。図2として掲載されました。領域の一部として描かれています。領域には電荷は蓄積されません。電荷を移動(Transfer)する領域として機能します。領域に蓄積される事を意味します。領域に留まることは絶対にありえません。順に、受光領域から、電荷転送領域へ移動し、さらに、電荷蓄積部に移動して、最終的に、電荷蓄積部に蓄えられることを、この図2が描いていることになります。そのデバイスの動作のイメージはなかなか半導体デバイス物理の知識を持つ技術者でも、当時としては大変新規なアイデアでしたので、なかなか理解できなかったと思います。萩原もなかなかうまく説明できていなかったと記憶します。図2は、電荷転送領域へ一時的に移動する様子を描いた図になります。この図2の解釈が非常に重要になります。この図は、P+NP接合型受光素子の光電変換現象を描いた図です。その埋め込みN層の電位がピン止めされることは周知です。このCCDの狭チャネルの電荷転送領域の電位はより深いことを図2は明示しています。最終的に信号電荷は、電荷転送部に留まることなく、電荷蓄積部に蓄えられる事になります。Photodiodeの試作に成功し、世界で初めて学会で発表したという、重要な証拠(実験形式知)になります。Photodiodeを世界ではじめて開発した事を示す証拠になります。Photodiodeを1975年に発明し、1978年にはその原理試作に成功し、SSDM1978で世界ではじめて発表した功労者です。発表の論文は、萩原の1978年の、このSSDM1978の発表論文が「世界初」と賞賛したものになっています。実際に以下の様に論文でコメントして賞賛しています。Sensorの国際会議でも同じ内容を報告しました。(Mother)である」と賞賛しています。Sensorの源(Mother)であると賞賛しています。PPDの最大の特長」と解釈しました。NECが発表した論文が、世界で初めて残像のない特性を発表した論文だと解釈しました。「残像のないPPDはNECの寺西の発明」であると誤解しました。萩原の1975年出願の3つの特許の存在が世界的には全く知られていないことが最大の問題でした。実は、萩原の1975年のPPDの発明特許には明確にこのPPD構造に残像のないことが明示されています。下記の特許1975-127647の図7に明示されています。特許1975-134985の図6にも明示されています。発明者はもとSONYの萩原良昭です。1975年にもと萩原が特許出願(理論形式知)したものです。その証拠は、次の3つの日本国特許です。今でも特許庁のホームページに掲載されています。Photodiodeの重要な3つの特長が明示されています。Photodiodeの発明者です。集められる様子を描いています。Photodiodeの発明者である証拠となります。1975年の発明です。Photodiodeの発明者です。型のPhotodiodeの電荷蓄積部(N)に集められる様子を描いています。Photodiodeの発明者である証拠となります。1975年の発明です。SONYの萩原は、残像のない、埋め込みPhotodiodeの発明者です。MOS容量部へ電荷転送される様子を描いています。Wellの電位図として描かれています。CCD動作と同じく、残像のない映像を提供する事を意味します。残像のない映像を提供する事を明示しています。Photodiodeの発明者である証拠です。1975年の発明です。Wellの電位図として描かれています。動作と同じく、残像のない映像を提供することを意味します。PNP接合型埋め込みPhotodiode構造でも、残像のない映像を提供する事を明示しています。Photodiodeの発明者である証拠です。1975年の発明です。)である事を明示しています。萩原の1975年の発明の証拠です。オーミックコンタクトが可能な事を意味します。表面は空乏化されておらず、表面には電界がかからず、表面の再結合による、表面暗電流がないことを意味します。Photodiodeの発明者である事を意味します。萩原の1975年の発明である証拠です。オーミックコンタクトが可能な事を描いています。P+の濃度である事を意味します。表面には電界が存在しないので、表面の再結合による、表面暗電流がないことを意味します。Photodiodeの発明者である事を意味します。Photodiodeが、萩原の1975年の発明である証拠です。1975-134985から明らかな事実です。発明者である事を意味します。Photodiodeと定義されますが、これも萩原の1975年の発明です。