formed.第一对导电板341通过通孔143连接并连接到Vcc。第二对导电板351通过通孔153连接并连接到Vss。DK值的范围为2000-5000。2000-5000.在陶瓷部分50中可以采用多层高DK叠片。在本发明中,多层高DK叠片例如BaTiO3可以提供与10-F/sq.cm一样大的电容值。(例如600-1000摄氏度)可以嵌入高DK材料。vias.(PAGE10)材料。例如通孔103、111、113、115和116(图3)。例如通孔115(图3)。例如通孔116(图3)。90(图3)之内的信号节点107(图3)的第三导体,例如通孔103(图3)。101、121和125(图3)。设置第二焊接区125(图3)使其连接到芯片60(图3)的第二电源节点(例如Vss);设置第三焊接区101(图3)使其连接到芯片60的信号节点。109、147和157(图3)。pads.继续参考图4中的259,设置第四焊接区147(图3)使其连接到下衬底200的第一电源节点203(例如Vcc)。设置第五焊接区157(图3)使其连接到下衬底200的第二电源节点205(例如Vss)。设置第六焊接区109(图3)使其连接到下衬底200(图3)的信号节点201。