12:00サイバー犯罪は対岸の火事ではない。ストレージ運用のコツイマドキのHDDの復旧方法。全国高校eスポーツ選手権運営の舞台裏。Conference)」が、来年(2018年)の2月11日~15日に米国カリフォルニア州サンフランシスコで開催される。その開催概要が、このほど公表された。ISSCCは半導体回路技術の研究開発コミュニティでは、もっともステイタスの高い国際学会として知られている。研究者や技術者などにとっては、ISSCCで研究開発の成果を発表することが、晴れ舞台だとも言える。そのISSCCは、毎年2月に開催されてきた。2018」と呼称される。開催回数では第65回目となる。ISSCCで講演することを目指して投稿された論文(投稿論文)の件数は611件におよぶ。そのなかで、実際に発表講演として採択された論文(採択論文)の件数は202件である。採択率(採択論文と投稿論文の比率)は約3分の1とあまり高くない。狭き門をくぐり抜けた成果だけが発表の栄誉に預かれる。2018は、以下のようなスケジュールで開催される。2月11日(日曜日)はプレイベント(セミナーなど)、2月12日(月曜日)~14日(水曜日)がメインイベント(採択論文の講演発表など)、2月15日(木曜日)がポストイベント(セミナーなど)である。2018の全体スケジュールデンソーの専務役員をつとめる加藤氏が未来のモビリティを展望まずはメインイベントが開催される、2月12日(月曜日)~14日(水曜日)に注目しよう。2月12日午前のプレナリセッション(セッション1)から、技術講演がはじまる。プレナリセッションでは、4件の基調講演が予定されている。いずれも招待講演である。Patterson)氏の講演だ。日本人の講演では、デンソーの専務役員をつとめる加藤之啓(かとう・ゆきひろ)氏が、将来のモビリティ社会と自動車用半導体を展望する。パターソン氏は、コンピュータを支えるプロセッサの歴史を振り返る。Unit)までを解説する。30本の講演セッションを2日半で消化プレナリセッション完了後の昼食休暇を挟み、2月12日の午後からは、採択論文の講演発表が始まる。2月14日の午後までの2日半で、30本の講演セッションが予定されている。訂正など、非常に幅広い。2月12日(月曜日)午後の講演セッション一覧2月13日(火曜日)午前の講演セッション一覧2月13日(火曜日)午後の講演セッション一覧2月14日(水曜日)午前の講演セッション一覧2月14日(水曜日)午後の講演セッション一覧Intel、IBM、AMDが最新のプロセッサ技術を競演ここからは分野別に注目講演をご紹介していこう。最初はプロセッサ分野の講演発表である。サーバー向けマイクロプロセッサの技術概要をIntelとIBMがそれぞれ発表する。AMDは幅広い用途をカバーする最新マイクロプロセッサの実現技術を公表する。Xeonプロセッサ」の回路技術を発表する(講演番号2.1)。14nmのFinFET技術と11層の金属配線技術で製造した。CPUコア同士はメッシュ構成で相互接続する。電圧レギュレータ回路(IVR)を内蔵しており、オンダイで6個の電源プレーンを制御することで電力効率を向上させた。DRAMコントローラ回路を内蔵することで、6チャンネルのDDR4メモリを制御可能にしている。マルチプロセッサ構成に対応しており、プロセッサダイ間を10.4GT/sで接続する。IBMは、次世代のサーバー向けプロセッサ「z14」の概要を公表する(講演番号2.2)。14nm技術で製造した。前世代のプロセッサに比べて2次キャッシュの容量を50%、3次キャッシュの容量を2倍に拡大するとともに、CPUコア数を25%増加させた。回路およびシステムの要素技術では分岐予測、キャッシュ管理、暗号化をそれぞれ改良しているとする。AMDは、サーバーからハイエンドのデスクトップPC、メインストリームのデスクトップPCまでをカバーする最新マイクロプロセッサ「Zeppelin」の回路技術を述べる(講演番号2.4)。最大で4個のシリコンダイを1個のパッケージに収納し、相互に接続する。14nm技術で製造し、48億個のトランジスタをシリコンダイに集積した。CPUコアの数は8個、3次キャッシュの容量は16MBである。Chip)技術を発表する(講演番号2.7)。発電機能とセキュリティ機能を内蔵しているもようだ。続いてメモリ分野の注目講演をご紹介する。NANDフラッシュメモリでは、シングルダイの記憶容量がついに、1Tbitに達した。NAND技術ではワード線の層数を96層に高めたチップが披露される。Electronicsは、記憶容量が1Tbitと過去最大のNANDフラッシュメモリ技術を発表する(講演番号20.3)。NAND技術を駆使した。シリコン面積当たりの記憶密度は5.62Gbit/平方mmと極めて高い。NAND技術を共同で開発した(講演番号20.1)。シリコンダイの記憶容量は512Gbit。メモリセルは3bit/セル(TLC)方式である。DRAMでは、16Gbitと過去最大容量のシリコンダイが相次いで発表される。Electronicsがメモリ最大手の技術力を見せつける。DRAM技術を発表する(講演番号12.2)。入出力ピン当たりのデータ転送速度は5Gbpsと高い。誤り訂正回路を集積することでリフレッシュ電力を0.1mW/Gbitに低減している。10nm級のCMOS技術で製造した。DRAM技術も公表する(講演番号12.1)。入出力ピン当たりのデータ転送速度は18Gbpsと極めて高い。Equalizer)回路、ZQ符号化送信回路、PLLレスのクロッキング回路などの要素技術を駆使してデータ転送速度を高めた。DRAMシリコンダイを発表する(講演番号12.5)。入出力ピン当たりのデータ転送速度は3.2Gbps。18nmのCMOS技術で製造した。技術講演以外のイベントにも目を向けてみよう。メインイベントの開催日である2月12日(月曜日)と2月13日(火曜日)の夜間には、合計で3本のパネル討論会が開催される。回路設計の失敗事例を熟練の技術者が語ったり、人工知能(AI)が回路設計者の仕事を奪う可能性を議論したりする。パネル討論会の概要プレイベントのチュートリアルでは10本の多彩なテーマを用意メインイベント前日の2月11日(日曜日)には、プレイベントとしてチュートリアル(基礎講座)が開催される。訂正技術、アナログディジタル変換回路、高速シリアルリンク、単一光子検出といった多彩なテーマを用意した。チュートリアルのテーマ一覧(その1)チュートリアルのテーマ一覧(その2)また同日の夜間には、「ワークショップ」という新設のイベントが予定されている。レセプションと招待講演、ラウンドテーブルで構成されるイベントである。ワークショップの概要フォーラムとショートコースで最先端のトピックを学ぶプレイベントとともに、メインイベント閉幕翌日の12月15日(木曜日)には、ポストイベントが用意されている。「フォーラム」と呼ばれる単一テーマの講座と、「ショートコース」と呼ぶ共通テーマによる複数の講演で構成される講座がある。こちらはチュートリアルとは違い、最先端のトピックを学ぶ機会となっている。フォーラムのテーマ一覧。2月11日に開催されるテーマと、2月15日に開催されるテーマがあるショートコースの講演テーマ一覧。2月15日に開催される。参加者は午前から午後にかけて、4本の講演を受講する技術講演では上記のほかにも、興味深い発表が少なからず予定されている。