1カ月もっと見るもっと見るもっと見るもっと見る最新記事Excelの「しましま」ワザ3選。ストレージ運用のコツイマドキのHDDの復旧方法。Watch“悪役はiPhoneを使えない”。全国高校eスポーツ選手権運営の舞台裏。00:00)富士通の半導体子会社である富士通セミコンダクターは、同社のマイコン・アナログ事業を米国の半導体メーカーSpansionが買収することで最終契約を締結したと4月30日に発表した。富士通はかねてから半導体事業の再構築と再編成を進めており、その一環として外国の半導体メーカーにマイコン・アナログ事業を売却したように見える。いや、事業再編成の一環として事業売却を決めたこと自体は、その通りだ。半導体業界、特にフラッシュメモリ業界に関係する人間にとっては、売却先がSpansionというのが異なる意味を持つ。異なる意味、言い換えるとフラッシュメモリ業界に関係する人間が知っている事実は概ね2つある。1つは、Spansionの親会社は富士通だったこと。詳しく説明すると、Spansionは富士通と米国のプロセッサベンダーAMDのフラッシュメモリ事業を統合して2003年に発足した合弁会社である。富士通側から見ると、今回の事業売却は「元」子会社に「現」子会社の事業を売却したという図式になる。1つは、Spansionはフラッシュメモリの大手メーカーとして発足したものの、業績の悪化によって2009年の春に倒産しているということ。Spansionの米国本社は米国連邦破産法第11章の適用を申請し、日本法人は会社更生法の適用を申請した。2009年に倒産した企業が4年後には1億7,500万ドルを投じて半導体事業を元親会社から買収するまでに復活したという事実には、かなり驚かされる。エイ・エム・ディ・セミコンダクタ(FASL)」にまで遡る。現在から約20年も前のことだ。フラッシュメモリと言えば、現在ではSSDやUSBメモリなどに使われているNAND型フラッシュメモリを意味することが多い。20年前の1993年頃はフラッシュメモリと言えばNOR型のフラッシュメモリを指していた。1990年代に、AMDはIntelに次ぐフラッシュメモリ(NOR型フラッシュメモリ)の大手ベンダーだった。Spansionの始まり。エイ・エム・ディ・セミコンダクタ(FASL)」(福島県会津若松市)がSpansionの前身である2000年に入ると、2つの大きな出来事がフラッシュメモリ業界に起こる。1つは、2000年に起きた好況と、その反動としての2001年~2002年の景気後退である。1つは、NAND型フラッシュメモリの量産が本格化し、市場が急激に拡大し始めたことだ。フラッシュメモリの市場規模推移。Systemsが買収)が発表したスライドからそこで富士通とAMDの両社は、NOR型フラッシュメモリ事業を分離し、合弁会社として独立させることを決める。2003年4月1日に、フラッシュメモリ事業の統合会社を設立することが両社から発表される。1993年に設立された生産子会社FASLは、新たに設立する統合会社に吸収されることも決まった。2003年7月14日、新会社「FASL」が設立される。このとき製品ブランド名として誕生したのが「Spansion」である。翌年の2004年6月には会社名を「Spansion」に変更し、製品ブランド名と企業名を統一した。翌年の2005年12月には米国の証券取引市場NASDAQ(ナスダック)に上場し、独立企業への道を本格的に歩み始める。富士通とAMDがフラッシュメモリ事業統合会社を設立と発表2003年7月14日に誕生した、フラッシュメモリ事業統合会社の概要Spansionの主な歩み(1)。2004年6月~2005年12月NOR型フラッシュの大容量化と生産能力の拡大この頃のSpansionには、積極的な姿勢が目立つ。NOR型フラッシュメモリの大容量化技術を開発するとともに、量産規模を一気に拡大しようと図ったのである。Semiconductorから導入し、2005年10月には1Gbitと大容量のNOR型フラッシュメモリを製品化した。Semiconductorの買収を決めた。MirrorBit技術を改良して4bit/セル技術の開発を手がけた。Japanの会津若松市に構築した。このとき資金調達の一環として、200mmウェハを扱う既存の生産ライン(JV1とJV2)を富士通に譲渡している。300mmウェハを扱う生産ライン(SP1)は、2007年9月に操業を開始した。メモリ技術の1つである抵抗変化メモリ技術などの開発にも取り組んだ。Spansionの主な歩み(2)。2006年~2007年前半までSpansionの主な歩み(3)。2007年後半Spansionの主な歩み(4)。浮遊ゲート(フローティングゲート)方式のメモリセル構造(左)とMirrorBit技術のメモリセル構造(右)。Cambu)氏だとされている。そのアグレッシブさは、売上高の15%前後が研究開発費用に使われていたことからも分かる。2005年のSpansionの売上高は約20億ドルなのだが、研究開発費は約3億ドルに上る。2006年以降、研究開発に投じられた金額はさらに増える。2006年の研究開発費は3億4,200万ドルで売上高に占める比率は13.3%だった。2007年にはさらに増えて4億3,700万ドルとなり、売上高に占める比率は17.4%に達した。2005年~2007年の3年間で11億ドル強、1,000億円を超えるお金が研究開発に投じられたことになる。Spansionの研究開発費の推移(2006年~2008年、四半期ベース)問題なのはこの間、Spansionの業績が赤字続きだったことだ。2005年の営業赤字は2億8,500万ドル、2006年の営業赤字は9,100万ドル、そして2007年の営業赤字は2億4,000万ドルである。それでも売上高が増えていれば、まだ良かった。当時、NOR型フラッシュメモリにとって最大の顧客であった携帯電話端末で、安価なNAND型フラッシュメモリに市場を奪われ始めた。このため、2006年は売上高を伸ばしたものの、2007年にはほぼ横ばいとなり、売上高が伸びなくなった。11億ドル強を投じた研究開発から、売り上げ増に貢献する製品はまったくと言って良いほど登場しなかった。Spansionの通年業績推移(2005年~2008年)Spansionの四半期業績推移(2006年~2008年)。この期間ずっと、売上高が伸びていないことが分かる。営業損益はすべての四半期で赤字になっている300mmウェハ生産ラインの立ち上げに失敗もちろん、SpansionとしてはNAND型フラッシュメモリとの価格競争を指をくわえて眺めていたわけではない。製造コストの低減を一気に進めようとしていた。Japanが会津若松市に建設した300mmウェハの生産ライン(SP1)である。ここで2bit/セル方式の大容量NOR型フラッシュメモリを量産すれば、NAND型フラッシュとのビットコスト低減競争に勝てるはずだった。ところが、300mmウェハの生産ライン(SP1)の立ち上げは、当初の計画通りには進まなかった。MirrorBit技術のフラッシュメモリが上手く製造できない。歩留まりが上がらない。フラッシュメモリは昇圧回路を搭載しており、書き込みに必要な高い電圧を内部で発生する。この昇圧回路の調整に手間取ったという(日経ビジネス2010年9月6日号、107ページから)。ウェハの直径を200mmから300mmに拡大すると、同じシリコンダイ1枚当たりの製造コストは原理的には約2分の1に下がる。この計算が成立するのは、製造歩留まりが高い水準で同じ場合だ。製造歩留まりが低いままだと、場合によっては製造コストが下がるどころか、上がってしまう。製造設備の償却負担は300mmウェハの生産ラインの方がずっと大きいからだ。Spansionはまさにこの状態に陥った。SP1に投じた設備投資は1,000億円を超える。売上高が2,000億円~2,500億円のSpansionにとっては厳しすぎる痛手となった。Japanは会社更生法の適用を東京地方裁判所に申請し、倒産した。3月1日(米国時間)には、Spansionが米国連邦破産法第11章の適用を申請し、倒産した。NOR型フラッシュメモリは携帯電話端末市場で、NAND型フラッシュメモリに完全敗北した。ここから、再生が始まる。