しての単結晶炭化ケイ素(SiC)結晶基板5に対し、多結晶炭化ケイ素(SiC)結晶基板19を近接させて、密閉容器内に配置して高温熱処理する(a)。高温熱処理を行うことで、多結晶SiC基板19からSiC分子が昇華し、この昇華したSiC分子が単結晶炭化ケイ素基板5の表面に気相エピタキシャル成長し、単結晶SiC薄膜31を形成する(b)。その後、スペーサ50及び多結晶SiC基板19を取り去り、処理後の単結晶SiC基板5を得る(c)。処理前の単結晶SiC基板5には多数のマイクロパイプ60が含まれており(a)、このマイクロパイプ60が単結晶SiC基板5の表面に開口している。昇華SiC分子による気相エピタキシャル成長により、マイクロパイプ60の開口を埋めるようにしながら、単結晶SiC基板5の表面に単結晶SiC薄膜31が形成される(b)。単結晶SiC基板5の基板表面のマイクロパイプ欠陥が単結晶SiC薄膜31により修復される。この表面に不純物原子を適宜ドーピングすれば単結晶炭化ケイ素半導体を形成でき、SiC高耐圧半導体が高い歩留まりとスループットで生産できる。シーズ単結晶炭化ケイ素基板の表面のマイクロパイプ欠陥を修復し、表面の平坦レベルを顕著に改善できる処理方法ないし半導体製造方法を提供する。単結晶炭化ケイ素基板表面のマイクロパイプ欠陥を単結晶炭化ケイ素薄膜によって短時間に修復することが可能になり、高レベルで平坦な表面を有する単結晶炭化ケイ素基板を提供できる。同じキーワードでJ-STORE内を検索することが出来ます。