Japanese)エチレンは工業的に水蒸気分解又は熱分解によって副産物としてのアセチレン(約1%の濃度)とともに生成される。エチレンは、ポリマーの製造(チーグラー・ナッタ反応型)および他の有用な化学物質の主要な化学物質である。アセチレンはエチレンの重合に用いられるチーグラー・ナッタ触媒にとって主な触媒毒として作用する。アセチレンの存在があるため、重合触媒との爆発性の金属アセチリドの形成の理由により、安全性の問題が増大する。したがって、高品位のエチレンの生産は、化学産業にとって高度に有意な関心事である。通常、重合プロセスにおいてアセチレンの有意な影響を受けないようにするためには、アセチレン濃度が数ppm未満でなければならないことが認められている。アセチレン不純物からのエチレン精製のために、4,4’-ビピリジン銅(II)正方格子がこれらの間の無機イオン([SiF6]2-)によって接続された有機金属フレームワーク材料が提案されている(非特許文献1)。Japanese)本発明は、ガス分離システム及びガス分離方法に関する。吸着又は脱着を制御するガス分離システム。前記平面配位子は、非共有電子対を有する極性構造を含む請求項1に記載のガス分離システム。前記極性構造は、-CO-、-NH-、-N=、-O-及び-CNの少なくとも1つである請求項2に記載のガス分離システム。対向する前記極性構造間の距離が、6~15Åである請求項2又は3に記載のガス分離システム。前記柱状配位子が下記式(1)~(4)のいずれかで表される請求項1~4のいずれか1項に記載のガス分離システム。【化1】(省略)(式中、R1、R2、R4及びR6は、それぞれ独立して、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子、アルカノイル基、ヒドロキシアルキル基、フェニル基、フェノキシ、ベンジル、フェネチル、カルボキシル基、シアノ基又はニトロ基である。R1、R2、R4及びR6がそれぞれ複数ある場合、それらは互いに同一又は異なっていてもよい。R3、R5及びR7は、それぞれ独立して単結合であるか、又は不飽和結合を含む2価の連結基を示す。pは1~4、qは1~4,rは1~4,sは1~3である。Xは、N、P、N→O又はP→Oを示す。前記混合ガスは、互いにpKaが10以上異なる炭化水素ガスを含む請求項1~5のいずれか1項に記載のガス分離システム。前記炭化水素ガスは、メタン、エタン、エチレン及びアセチレンの少なくとも2種である請求項1~6のいずれか1項に記載のガス分離システム。段階的に脱着されるように減圧する脱着プロセスとを実行する請求項1~7のいずれか1項に記載のガス分離システム。段階的に脱着されるように減圧する脱着工程をさらに含む請求項9に記載のガス分離方法。