光伝導膜を有していても放射利得等のアンテナ性能を向上する。金属板33の上に第1基板31と第2基板32とが横方向に配列されて設けられている。第1基板の表面に光伝導層30が形成されており、第2基板の表面に第1エレメント34a、第2エレメント34bからなるダイポールアンテナ34が形成されている。ダイポールアンテナ34の給電点から引き出された第1ライン35aおよび第2ライン35bは、第2基板32の表面から第1基板31の光伝導層30上に形成されており、第1ライン35aの中途が切断されてバイアス電源Ecが印加されている。第1ライン35aの端部と第2ライン35bの端部とが対向する対向部35cにパルス状の光を照射することにより、ダイポールアンテナ34からテラヘルツ電磁波が放射される。概要テラヘルツ電磁波は周波数が0.1~10THz(波長が30μm~3000μm)の電磁波とされており、波長が赤外~遠赤外領域とほぼ一致する。テラヘルツ電磁波は、「光」と「ミリ波」に挟まれた周波数領域に存在しているため、テラヘルツ電磁波は、光と同様に高い空間分解能でものを見分ける能力と、ミリ波と同様の物質を透過する能力を併せ持っている。テラヘルツ波帯はこれまで未開拓電磁波であったが、この周波数帯の電磁波の特徴を生かした時間領域分光、イメージング及びトモグラフィーによる材料のキャラクタリゼーション、環境計測、生物や医学への応用などが検討されてきている。テラヘルツ電磁波の発生は、物質透過性と直進性を兼ね備えるためX線に替わる安全かつ革新的なイメージングや数100Gbps級の超高速無線通信が可能となる。半導体製作による光伝導アンテナは、製作が容易でテラヘルツ時間領域分光法などで既に多くの実績を有している。従来のテラヘルツ電磁波発生装置とされる光伝導アンテナ100の一構成例を図17に示す。Arsenide)基板とされる第1基板111の一面に光伝導膜110とされる低温成長GaAs膜を形成し、光伝導膜110の上に平行伝送線路からなる導電性の第1ライン112aおよび第2ライン112bを蒸着等により形成している。GaAsは、Ga(ガリウム)とAs(砒素)の化合物からなる化合物半導体である。第1ライン112aおよび第2ライン112bのほぼ中央には、対向部112cで対向する導電性の第1エレメント113aおよび第2エレメント113bが形成されている。対向部112cの間隔は、例えば数μm程度とされる。このような構成の光伝導アンテナ100において、第1ライン112aと第2ライン112bとの間に直流のバイアス電圧Ecを印加する。この状態では、第1ライン112aと第2ライン112bとの間は対向部112cにより絶縁されているため電流は流れない。そこで、光源114から10-15秒程度のフェムト秒パルスレーザ光を対向部112cに照射する。パルスレーザ光を対向部112cに照射すると、対向部112cにおける光伝導膜110中に光導電効果により自由キャリアが生じ、この自由キャリアがバイアス電圧Ecにより加速されることにより、第1エレメント113aおよび第2エレメント113bを介して第1ライン112aと第2ライン112b間にサブピコ秒(10-12秒)程度のパルス状の電流が流れる。このパルス状の電流によって第1エレメント113aおよび第2エレメント113bが励振されて、テラヘルツ電磁波が第1エレメント113aおよび第2エレメント113bから放射される。第1エレメント113aおよび第2エレメント113bはダイポールアンテナ113として作用する。産業上の利用分野この発明は、テラヘルツ電磁波を効率的に発生することのできるテラヘルツ電磁波発生装置に関する。同じキーワードでJ-STORE内を検索することが出来ます。