接合デバイスを構成する。そのために、ITO単結晶膜上にn型電気伝導を示すZnxMg1-xO(ただし、0.7<x≦1)単結晶薄膜をエピタキシャル成長し、その上に多結晶又はアモルファス膜として堆積されアニールによりエピタキシャル成長したp型電気伝導を示すLiイオンを含むNiO薄膜又はZnRh2O4膜を形成してPN接合デバイスを制作する。ITO膜上に堆積されたn型電気伝導を示すアモルファスInGaO3(ZnO)m(mは1以上50未満の整数)薄膜と、その上に堆積されたp型電気伝導を示すアモルファスNiO薄膜又はZnRh2O4薄膜によりPN接合デバイスを制作する。接合デバイス及びその製造方法を提供する。酸化物半導体を用いたPN接合デバイスは、化学的に安定で、耐高温度性に優れ、環境負荷が少ないなど、本来的な長所を有する。同じキーワードでJ-STORE内を検索することが出来ます。