ResearcherHomeJapaneseこのページはJavascriptを使用しています。有効にする必要があります。Management研究の現状について紹介する。Summary本論文では、電子とフォノンの挙動を同時に扱うことのできる高精度デバイスシミュレーション技術(特性予測設計ツール)について紹介した。HEMTの特性予測に利用した。多方面に渡る応用も期待される。今後、定量的な実験比較や物理モデルの高度化が期待される。高熱伝導率ナノカーボン材料を用いたデバイス放熱実装技術についても紹介した。フォノンの制御研究はまだ緒に就いたばかりであり、その基礎となる新しい材料科学、フォノン輸送理論・シミュレーション、ナノスケール熱計測や、それらによる革新的デバイスなど、分野横断的な取り組みが必要である。合同セッション『フォノンエンジニアリング』が設置される。化学工学の視点から多くのアプローチが行われることを期待している。Summary電子とフォノン輸送を同時に扱えるデバイス・シミュレーション技術の実現を目指し、擬Self-consistentモンテカルロモデルを用いてGaN-HEMTの高周波特性解析を行った。nmでは実験値よりも若干高い値となったが、良い定量性を示した。これにより高周波パワーデバイスへの適用可能性を示せた。局所加熱現象が、fTを低下させることが分かった。その効果は短ゲートほど大きく、これは短ゲートほど電子がhotになりやすく、局所加熱も起きやすいためと考えられる。simulationを用い、ナノスケールGaN-HEMTの電気的、熱的特性の解析を行い、高いオン電流領域で局所過熱現象に起因するドレイン電流ー電圧特性の負性抵抗現象の再現に成功、チャネル内ピーク温度は室温より130°C高い430°Cを確認。このピーク温度は消費電力に比例し、その傾きは基板のGaNの熱抵抗率に近い値となった。HEMTの電流ー電圧特性やチャネル内温度分布に関して、現実的な計算時間での解析が初めて可能となった。多方面に渡る大きな広がりが期待される。ナノスケール熱計測やそれらによる革新的デバイスなど、分野横断的な取り組みが必要と言える。Summaryナノカーボン材料の一つであるグラフェンという新素材を用いたLSI配線応用のt目の材料・デバイス技術に関する最新の研究について紹介します。