アクセスHome製造プロセス製造プロセス1多結晶シリコン2単結晶インゴット3スライシング4ラッピング5エッチング6ポリッシング7ウェハ洗浄8ポリッシュドウェハ9酸化膜塗布10ダイシング01多結晶シリコン金属不純物の濃度数がppb以下(1ppb=10億分の1)の高純度の多結晶シリコンを原料とします。02単結晶インゴットるつぼ内で融かした原料に種結晶を漬け、引き上げるCZ法、原料の一部を融かすFZ法での製造で円柱系の単結晶シリコンを作成します。03スライシング単結晶インゴットを、ワイヤーソーや内周刃等によって薄いスライス状のウェハを切り出します。04ラッピングウェハ両面を平行になるように整え決められた厚さに仕上げるためにアルミナ研磨材で粗研磨(ラッピング)します。05エッチング酸を混合したエッチング液中でウェハをセットした治具を回転させながらエッチングし、前工程の機械加工によるダメージ層を除去します。06ポリッシング粗研磨(ラッピング)したウェハをより細かな研磨剤で表面の凸凹を除去し鏡面状に仕上げます。07ウェハ洗浄これまでの工程でウェハに付いた汚れを洗浄し表面に残る不要なものを取り除きます。08ポリッシュドウェハ表面を研磨し、高平坦でキズや不純物の無い高品質な鏡面に磨き上げた状態のウェハとなります。09酸化膜塗布ウェハを高温の拡散炉の中で、表面に酸化膜を付け成長させパターン焼き付けのための土台を作ります。10ダイシング半導体のウェハ上に形成された集積回路などを、ダイシングソーで切削して切り出し、チップ化します。ご依頼・お問合せホームページより、在庫品のご依頼、製品の注文依頼、お問合せを承ります。ご注文」、製品サービスへの問合わせは「お問合わせ」からご依頼願います。標準仕様以外のご注文お問合わせ※ホームページのお申し込みフォームよりご依頼いただきましたら、早期に当社担当より詳細をご連絡させていただきます。ご注文の流れSTEP.1お問合せ申し込みフォームに、必要事項を入力して連絡をいただきます。当社担当からご連絡をさせていただき、詳細を確認いたします。上、正式なご注文はこの時点で確定いたします。STEP.4製造・納品ご注文内容に沿って製品を製造し、納品させていただきます。