プラズマ出力、磁場勾配などの各種パラメータを変化させ合成条件と諸性質との関係を明らかにした。得られたPZT薄膜上に、DCプラズマスパッタ装置を用いてそれぞれ銀合金電極および白金電極を上部電極として作製し、アニール処理を行った。基板には白金/酸化チタン/シリコン基板を用いた。(001)配向を有するPZT薄膜であることが分かった。Ag上部電極試料、Pt上部電極試料ともに、アニールによって結晶性の向上が認められた。500°C30分のアニールによっても、第2相は認められなかった。Pt上部電極試料においては、アニール温度の上昇に伴い緩やかに減少した。値は200〜300°CのアニールによってAgの再結晶による急激な現象が認められたものの、その後500°Cまで値はほぼ一定であった。Pt上部電極試料の表面組織はアニール温度400°C以上で界面との剥離が認められたが、Ag上部電極試料の表面組織ではアニール温度200°C以上ではAgの再結晶によって表面が白く荒い組織となったが、その後500°Cまでは変化しなかった。次年度は、膜の作製条件と誘電特性の関係、および、水素耐性試験を行い、最適条件を見いだす予定である。