ページもしくは巻、ページを入力してください。検索条件と一致する記事が見つかりませんでした。検索結果に複数のレコードがあります。号を指定してください。ページもしくは巻、ページを入力してください。検索条件と一致する記事が見つかりませんでした。検索結果に複数のレコードがあります。号を指定してください。巻、号、ページもしくは巻、ページを入力してください。検索条件と一致する記事が見つかりませんでした。検索結果に複数のレコードがあります。号を指定してください。60300-2の適用文書の一分野として発刊され、すでに6年が経過し、ISO/IEC指針書に従った見直しの時期にある。現在、当文書の改定作業はIEC/TC56の作業部会WG4のプロジェクトPT4.6として登録され、改定作業に入った。このプロジェクトは過去の担当WGでの貢献と経緯から日本が担当することになった。ここでは日本原案の意図と構成内容の概略を紹介する。併せて、総合的な現状の工業技術と市場を反映した信頼性管理プログラムの一要素としての有効性とその意義を説く。これが総合的信頼性管理における重要な一つの総合的信頼性プログラムとしての概念と意義と有効性を宣伝し、併せて興味を持つ専門家や実務家の意見を受けつつ、このプロジェクトヘの協力の要請と参画を勧誘する。5750-3-6として翻訳と解説付きで、現在、出版準備の段階にある。抄録を表示する抄録を非表示にする近年,半導体デバイスの微細化,メタル配線の多層化に伴いチップ表面から回路領域の微少電流を解析する事が困難になってきている。Change)[1]を使ってチップ背面より観測し,I/Oトランジスタのゲート付近の拡散リーク発生箇所を特定した。TEM解析の結果,リーク発生原因がシリコン結晶欠陥である事を解明し,更に,結晶欠陥を対策するためデバイスシミュレータを使って結晶欠陥のプロセス要因・メカニズムを抽出し,実デバイスを用いて検証した。