AbstractI–II–V族半導体をベースとした新世代の磁性半導体Li(Zn,Mn)AsIII–V族半導体をベースとした典型的な磁性半導体(Ga,Mn)Asでは、3価のGaサイトが2価のMnイオンによって置換されるため、化学的安定条件が厳しく制限され、準安定試料は薄膜でしか得られない。10.1038/ncomms1425III–V族半導体をベースとした典型的な磁性半導体(Ga,Mn)Asでは、3価のGaサイトが2価のMnイオンによって置換されるため、化学的安定条件が厳しく制限され、準安定試料は薄膜でしか得られない。GaをMnで置換するために正孔キャリアのドーピングが同時に行われ、電子ドーピングを行うことができない。このような問題を克服するため、Masekたちは、I–II–V族半導体LiZnAsをベースとした系を理論的に提案した。この系では、等原子価のZnとMnを置換することで磁性が導入される。Liの濃度により正孔/電子の両方のドーピングが可能になる。今回我々は、バルク材料のLi1+y(Zn1−xMnx)Asの合成に成功したことを報告する。Kの強磁性が観察されている。これは、おそらくZnサイトが過剰のLiにより置換されることに起因する。半導体のLiZnAs系、強磁性体のLi(Zn,Mn)As系、反強磁性体のLiMnAs系、超伝導体のLiFeAs系は、ともに正方格子のAs層を共有しているため、これらを組み合わせて新しい接合デバイスやp–n接合を将来開発できる可能性がある。