NH等离子体,或纯氢等离子体。Dielectrics(ILD)或盖帽层的顶部。adhesion.合适的材料有SiCH、SiNCH、氮化物(Si3N4)、SiCOH和氧化物(SiO2)的非晶膜。(CVD)或等离子增强CVD工艺。此外,衬垫可免遭氧化和/或腐蚀。(GFD)的k显著小于支撑2120的k。CorningInc.开发的XLKTM电介质。2230表示,而覆盖层部分用2240表示。现在只有GFD的2230区域留在结构中。作为选择,可以使用CMP和RIE相结合的方法。留下图2c所示的结构。RIE步骤移除多余的GFD,留下图2d所示的结构。