8以下は非対応となっております。半導体レーザ・ダイオード用シミュレーション・モジュールLaserTMは、世界で初めて市販化された半導体レーザ・ダイオード用シミュレーション・モジュールです。Atlasフレームワーク内でBlazeと連携して、端面ファブリ・ぺロ型レーザ・ダイオードの電気的振る舞い(DCおよび過渡応答)や光学的振る舞いの数値解を提供します。特長LaserはAtlasとBlazeのフレームワーク内で動作。電圧の関数としてレーザのしきい値電流とゲインを計算InP/InGaAsP系レーザ・ダイオード上図は、一般的なInP/InGaAsP系レーザ・ダイオードの断面図です。この図は、Atlas/Blazeを使用して得たレーザ・ダイオードの電気的解の領域を示しています。光学的解はLaserによって活性層の周りの小さい領域に求められます。この図は、基本横モードにおけるニア・フィールドの光強度を示しています。上図は、アノード電流の関数としてInP/InGaAsP系レーザ・ダイオードの出力パワーをシミュレートした結果を示しています。レーザしきい値電流など重要な特性が容易に求められます上図は、電圧の関数として求めたレーザのゲインを示しています。レーザのしきい値に達するまで、ゲインは増大します。しきい値に達すると、ゲインは一定になりレーザの損失と等しくなります。Laserを使用してInP/InGaAsP系レーザ・ダイオードをシミュレートしました。上図に示すしきい値よりも大きいレーザ・スペクトルを求めるために、1.065eVから1.09eVのエネルギーにおいて複数の縦モードでシミュレートしました。シミュレートしたゲイン・スペクトルの比較Laserでは、レーザ・ダイオードのファー・フィールド・パターンを計算することも可能です。上図は、InP/InGaAsP系レーザ・ダイオードのファー・フィールド・パターンを示しています。Laserを使用してGaAs/AlGaAs系レーザ・ダイオードをシミュレートしました。このデバイスは、光を閉じ込めるために2つのn-AlGaAsクラッド層を持ちます。この図では、基本横モードの光強度分布を示します。GaAs系レーザ・ダイオード上図は、ダブル・スポットになっている、ストライプ・レーザの光強度を示しています。ニア・フィールド・パターンは、活性層の空間的ホール・バーニングにより乱れます。上図は、電圧に対するレーザの応答であり、しきい値前後の特性を示しています。Laserは、セルフコンシステントな方程式のセットの中にレート方程式を含んでいます。これにより、より複雑な振る舞いを正確に再現する過渡シミュレーションの実行が可能になります。上図は、アノード電圧に対する摂動の結果を示しています。過渡シミュレーションにより、緩和振動と一般的に呼ばれる振動が示されます。Laserは、複数の横モードをシミュレートすることが可能です。これらの図は、GaAs/AlGaAs系ストライプ・レーザの主要な4つの励起モードを示しています。多重量子井戸系レーザストライプ形状の多重量子井戸系レーザの断面図です。この例では、レーザは2つの量子井戸を持っています。放射再結合率のコンター図に電流ベクトルを重ね合わせた図Laserモデルには、上図に示すようなゲイン曲線におけるローレンツ利得拡大などの効果が含まれています。