8以下は非対応となっております。3DTMは物理をベースにしたあらゆるデバイス・タイプ向けの3次元デバイス・シミュレータです。今日一般的に使用される半導体材料に対する材料プロパティも備えています。衝突、ホット・キャリアおよびトンネル効果です。これにより、太陽電池、CMOSセンサ、LED、TFT、EPROM、CMOS先進テクノロジ、およびパワー・デバイスなどをシミュレートできます。3Dでは、シンプルで、直感的、そしてフレキシブルなシンタックスとランタイム環境を使用しています。3Dでのシミュレーション結果を視覚化する、優れた2次元/3次元ビジュアライゼーション・ツールと連携します。3Dを使用すると、先進テクノロジであるFinFET、ナノワイヤーFET、標準FETなどをシミュレートできます。3Dシンタックスを使用して直接生成したFinFETの例です。ドーピング電子の分布、およびドリフト拡散モデルとボーム量子ポテンシャル・モデルを使用したIV特性を表しています。FinFETデバイスにおけるリンの濃度を示しています。ゲート下の空乏層領域の電子濃度を示しています。BQP)ソリューションを比較したId/Vg特性を示していますナノワイヤーFET量子モデリングに最近追加となった機能は、量子ワイヤー・デバイスにおける強い量子閉じ込め効果のシミュレーションです。3Dでは、1次元または任意形状の2次元シュレディンガー方程式と3次元ポアソン方程式を使用したセルフコンシステントなソリューションを提供します。3次元構造の表面に対する電子の波動関数の等高線図です。3次元ポアソン方程式とセルフコンシステントに解かれたシュレディンガー方程式(1次元:左図および2次元:右図)によって得たものです。トータル電流密度の等価面(中央)、および電子濃度の等価面(右図)の図です。I-V特性(右図)です。分離モード・スペースNEGFアプローチで計算しました。MOSFET構造です。3Dに準拠した構造を生成します。3Dに変換された構造、および電気特性の図を次に示します。3次元量子デバイスにおいて、束縛状態および波動関数の解析が可能です。ここで、単一量子井戸と3連の量子井戸の解析を例として示します。SQW解析3QW解析GaN/InGaN/GaN単一量子井戸(QW)とデルタ形状ではさまれたQW量子化メモリ・デバイスフローティング・ゲートへの電荷の注入には、ホット・キャリア注入およびトンネル効果のモデルが使用できます。これは、メモリ・デバイスのシミュレーションに必要となります。EPROM例を次に示します。EPROMのポテンシャル分布を等価面プロットで表示します。時間の関数として表したフローティング・ゲートの積分された電荷オプトエレクトロニクスレイ・トレース、光吸収、および光学的に生成されたキャリアは、他のすべての半導体方程式とセルフコンシステントに計算されるため、フォトダイオードやCMOSセンサなどの光吸収デバイスがシミュレートできます。光子生成の方程式により、発光ダイオード(LED)のような光学的に発光するデバイスもシミュレート可能です。3Dの高度な3次元レイ・トレース機能を使用することで、イメージング・アレイにおける空間分解能およびクロストークの問題を評価できます。TFT)の電気特性は、バルク・トラップおよび界面トラップの存在によって決定されます。3Dでは、これらの欠陥をバンドギャップ内の連続した欠陥として表現することができます。離散化した欠陥として指定することも可能です。これらのデバイスが作製される絶縁基板(通常ガラス材)は、多くの場合、熱の伝導が低いことがあります。そこでさらに自己発熱効果のモデリングは、デバイスの電気特性に大きな影響を与えます。TFT素子の8角形アレイです。コンタクトとSiO2層は透明な構造で表示されているため、非結晶Si素子を明確に見ることができます。格子温度モデリングの有無によるId/Vd特性ポリシリコンTFTにおけるトランスファー特性パワー・デバイス3次元TCADデバイス・モデリングの非常に優れたアプリケーションとして、パワー・デバイスの動作の理解があります。サイリスタやトライアックといったパワー・デバイスの電気特性は、デバイスのシリコン・バルクの奥深くで生じ、計測によって直接プローブすることが困難な半導体の現象に左右されることが多くあります。その点、3次元TCADシミュレーションでは、デバイス全体の至る所で実際に何が生じているのかを、たとえばスイッチング過渡現象をいつでも即座に解析できます。HexFETのシミュレーション例を次に示します。外部回路素子の追加パワー・デバイスのテストやキャラクタライズは、他の受動負荷素子を接続して実行されることがよくあります。下記の図は、バイポーラ・トランジスタの端子に集中定数素子を接続し、テストを行っている例です。パワー・デバイスは、通常動作時にかなりの熱を発します。自己発熱のシミュレーションにより、どの部分が熱を帯びる可能性があるのかを検出できます。右図に、単純なレジスタを例に発熱効果を示します。自己発熱は、任意のデバイスに対してモデリング可能です。埋め込まれた相互接続アルミニウム・ラインの熱に起因するパッシベーション酸化膜表面の温度プロットです。3Dによる熱流解析が可能になります。パワー・デバイス単体、または複数のパワー・デバイスでもヒート・シンクやパッケージを共有する場合は単一の熱源として解析できるため、実装後のパッケージの温度上昇の予測が可能です。3D3次元熱解析デバイス・シミュレーション・モジュール。3Dの機能を拡張することができます。3Dには、発熱源、ヒート・シンク、および熱伝導のモデルが含まれています。物理パラメータおよびモデル・パラメータは、局部格子温度に依存します。半導体デバイス方程式と格子温度は、セルフコンシステントに結合されています。3D3次元アモルファスおよび多結晶デバイス・シミュレーション・モジュール。3Dは物理モデルを備えた高度なデバイス・テクノロジ・シミュレーション・モジュールで、3次元におけるアモルファス・デバイスまたはポリシリコン・デバイスをシミュレートするために必要な数値手法に特化しています。3Dを使用すると、非晶質材料のバンドギャップ内における欠陥状態の分布の電気的効果をモデリングできます。DOS)を指定できます。3D磁場効果3次元デバイス・シミュレーション・モジュール。3Dモジュールを使用すると、デバイス・シミュレータAtlasで、デバイスの振る舞いにおける外部から加えられた磁場の効果を考慮したシミュレーションを実行することができます。キャリアの動きは、ローレンツ力が加わることにより変わります。この力は、キャリア速度と加えられた磁束密度ベクトルのベクトル積に比例します。3Dモジュールにより、計算対象の電流フローおよびポテンシャル分布の変化を見ることができます。3D3次元LEDシミュレーション・モジュール。3Dは発光ダイオードのシミュレーションおよび解析に使用するモジュールです。ワークと連携して、発光ダイオードの電気的振る舞い、光学的振る舞い、熱的振る舞いを3次元でシミュレートします。3Dパッケージング用サーマル・シミュレーション・モジュール。3Dは一般的な熱流シミュレーション・モジュールで、半導体デバイスに限らずあらゆる発熱デバイスの熱流量を予測します。基板から接合材料を通るパッケージあるいはヒート・シンク、またはその両方への熱流量を計算します。パッケージされた、またはヒート・シンクにマウントされたデバイスやシステムの動作温度の設計最適化、または一般的なシステム解析のために予測することができます。3D3次元光電デバイス・シミュレーション・モジュール。3Dは、ノンプレーナ半導体デバイスの光学的応答を3次元で解析するために特化された高度なシミュレーション・モジュールです。3D3次元デバイス/回路混合シミュレーション・モジュール。3Dは、SPICEコンパクト・モデルに加えて、物理ベースの3次元デバイス・シミュレーションを統合する回路シミュレーション・モジュールです。正確なコンパクト・モデルが存在しない場合、または重要な役割を果たすデバイスを高精度でシミュレートする必要がある場合、物理ベースのデバイス・シミュレーションを使用します。SPICEネットリストの回路記述に従って物理ベースのデバイスを設定し、Atlasの3次元モジュールを任意に組み合わせてシミュレートすることが可能です。3D量子効果3次元デバイス・シミュレーション・モジュール。3Dは、半導体デバイスにおけるキャリアの量子閉じ込めおよび量子輸送など、さまざまな効果をシミュレートするモデルを提供します。シャルとセルフコンシステントに基底状態エネルギーのキャリアの波動関数を計算できます。連立させることができるため、強い横の閉じ込め状態にある3次元デバイスのバリスティック量子輸送のモデリングが可能です。