8以下は非対応となっております。3DTMは物理モデルを備えた高度なデバイス・テクノロジ・シミュレーション・モジュールで、3次元におけるアモルファス・デバイスまたはポリシリコン・デバイスをシミュレートするために必要な数値手法に特化しています。3Dを使用すると、非晶質材料のバンドギャップ内における欠陥状態の分布の電気的効果をモデリングできます。DOS)を指定できます。デバイスの性能を正確に予測するために、移動度、インパクト・イオン化、バンド間トンネル効果のモデルを調整することも可能です。Lowering)DC、AC、および過渡のシミュレーション結晶粒と粒界に個別のDOSを指定ポリシリコンTFTにおける結晶粒サイズのシミュレーションエキシマレーザによるアニール処理で結晶化するELAポリシリコンTFTデバイスでは、結晶粒は非常に優れた品質になります。3Dでは、ゲート位置および結晶粒サイズがチャネルに与える効果をシミュレートできます。バイアス0V時の電子とホールの濃度の図です。電子とホールの濃度は、結晶粒形状とゲート形状で制御されます。TFTのようなデバイスにとって、金属電極の形状は重要です。3Dでは、形状が電流および容量に与える効果を解析します。TFTデバイスのId/Vd曲線です。TFTデバイスのCgd/VdおよびCgs/Vd曲線です。太陽電池3次元太陽電池シミュレーションでは、前面の金属グリッド・フィンガー形状の違いに応じたセルの電気的損失などの効果を調べることができます。3Dを使用したTFT素子の8角形アレイのシミュレーション図です。コンタクトとSiO2層は透明な構造で表示されているため、アモルファスSi素子を明確に見ることができます。