革命的製品インフィニオンのCoolSiCTM半導体ソリューションは、エネルギースマートな世界を目指す次のステップです。インフィニオンのCoolSiCTMは、画期的なSiC技術と幅広いシステム理解、クラス最高のパッケージング、優れた製造技術を組み合わせることで、高いシステムコストパフォーマンス比で新製品設計を開発することができます。サブカテゴリーシリコンカーバイド(SiC)デバイスは、いわゆるワイドバンドギャップ半導体に属します。これらは、一般的に使用されるシリコン(Si)と比較して、高耐圧パワー半導体に多くの魅力的な特性を提供します。SiCのはるかに高い破壊電界強度および熱伝導率により、対応するSiよりはるかに優れたデバイスです。このようにして、設計で達成不可能な効率レベルに達することができます。ハイライトパワー半導体の未来SiCベースのパワー半導体ソリューション導入件数はここ数年大きな伸びを示しており、これは革命とも言えるものです。省エネや省スペース、システム統合、信頼性の改善などのトレンドが、こうしたSiC市場の発展を後押ししています。シリコンを用いた高速なスイッチとSiCダイオードの組み合わせは通常「ハイブリッド」ソリューションと呼ばれます。ここ数年間にインフィニオンが生産したハイブリッドモジュールは数百万個に及び、お客様のさまざまな製品に組み入れられています。今後数年にかけて、SiCソリューションは産業用や車両用などの別のアプリケーション分野に広がっていきます。このようになる理由は、効率の向上による損失低減だけではなく、ヒートシンク縮小の要求によるパッケージ小型化を促す市場の圧力があるためです。上記の図で示したとおり、SiCはすでにハイエンドソリューションとニッチソリューションに使われています。現在の設計では、このような利点が特定のアプリケーション領域でのシステムコスト削減のために活かされています。MOSFETモジュールやディスクリートの経験を共有するためのプラットフォームです。インフィニオンはお客様の最新技術のパフォーマンスを高め、これまでとこれからのお客様のビジネスに貢献する製品、ソリューションを提供いたします。MOSFETモジュール用のゲートドライバの選び方29:16シリコンカーバイド(SiC)MOSFETは、パワーエレクトロニクスにあらゆる可能性を提供します。MOSFETを使用し、システムの利点を十分に活かすには、どうすれば良いでしょうか。MOSFET用に基準ゲート抵抗値を算出する方法。ピーク電流と消費電力の要件をもとに最適なゲートドライバICを選択する方法。最悪の条件下を想定し、実験室の環境でゲート抵抗値を微調整する方法。