Japanese)集積回路等の半導体装置に用いる金属配線の線幅は微細化の進展に伴い縮小し、現在は数百から40ナノメートル(nm)程度になっている。金属配線の電流密度が高くなるとそれに伴って断線故障が生じるおそれが高くなる。この断線故障の原因としては、所謂エレクトロマイグレーション(Electromigration)が知られている。エレクトロマイグレーションの原因の一つは、金属配線の材料となる電気的な伝導体の中で移動する電子と金属原子との間で運動量の交換が行われるため、イオンが徐々に移動することによって金属配線の形状に欠損が生じる現象である(非特許文献1~4参照)。エレクトロマイグレーションの他の原因は、ジュール加熱であり、金属配線材料中の原子の移動を加速する(非特許文献3、5参照)。上記した二つの機構は何れも金属配線材料中の原子の移動を促進する。原子は、主として結晶粒界を介して移動し(非特許文献2参照)、最終的に金属配線が断線する。Failure)に関するデータ取得が必須となっている。これにより、種々の金属配線のMTTFから活性化エネルギーが実験的に求められている(非特許文献6,7参照)。通電時間として数10~数1000時間が必要となる。金属配線試料の断線までの寿命と環境温度との関係から、断線耐性の指標となる活性化エネルギーを求めている。高温加速試験の結果を、VLSIの使用状態の温度まで外挿することによってMTTFを推定している。Japanese)本発明は、金属配線評価用パターン、半導体装置及び金属配線評価用パターンの評価方法に関する。詳しくは、本発明は、半導体装置における金属配線の信頼性の評価の際に用いられる金属配線評価用パターンと、金属配線評価用パターンを備えた半導体装置と、金属配線の信頼性を評価する評価方法に関する。上記狭窄部が上記絶縁膜上に直接形成されていることを特徴とする、金属配線評価用パターン。パターンに使用される金属材料のエレクトロマイグレーションの活性化エネルギーを測定するためのパターンであることを特徴とする、請求項1に記載の金属配線評価用パターン。【請求項3】さらに、前記第1配線部及び前記第2配線部にそれぞれ接続されるパッド部を備えていることを特徴とする、請求項1に記載の金属配線評価用パターン。パターンが、半導体装置内に配設されていることを特徴とする、請求項1又は2に記載の金属配線評価用パターン。上記寿命測定用の金属配線評価用パターン部は、細線からなる配線部と該配線部の両端に接続されるパッド部とからなることを特徴とする、請求項1~4の何れかに記載の金属配線評価用パターン。上記ランプ電圧によって、上記コンダクタンスが100G0から数百G0(ここで、G0は1量子コンダクタンスである。上記金属配線の寿命と前記活性化エネルギーとから、金属配線の平均寿命を求めることを特徴とする、請求項8~10の何れかに記載の金属配線の評価方法。