Digital社(以下WD)との和解を発表した。両社は今後、フラッシュメモリ事業に関する協業を一層強化する。●同合意により東芝メモリとWDは、現在建設中の四日市工場第6製造棟への今後の設備投資を共同で実施すると発表した。東芝が本年10月に公表している投資が含まれる。両社は、東芝が岩手で建設を計画する新製造棟へのWDの参画に関する最終契約についても、今後協議を進める。●両社は、フラッシュメモリ事業に関する合弁会社の契約期間を延長する。フラッシュアライアンス社については2029年12月31日まで、フラッシュフォワード社については2027年12月31日まで契約を延長する。フラッシュパートナーズ社については、既に2029年12月31日まで契約が延長されている。●今回の和解により、東芝メモリの売却に関して全当事者が協調することとなった。東芝は2018年3月末までの売却完了に向けて、引き続き手続きを進める。DRAMのエンジニアリングサンプル(ES)のパイロット生産を始めたことを発表した。同社では19nmプロセスを採用し、2018年末までに量産開始を目指している。同製品は中国初の独自開発されたDRAMとなる。Technology社に次いで4社目に20nm以下プロセスを採用するDRAMメーカとなる。上位3社の世界DRAM市場95%以上を占めている。Memory社(睿力集成)のCEOに就任したことも発表された。・同社の5カ年計画は下記通りである。2018年1月に第1工場の建設が完了し、設備セッティングが行われる。DRAMの量産を実現する。DRAMの量産を開始する。2019年末に同工場の生産能力を月産2万枚とする。2020年に第2工場の建設を開始する。2021年に17nm技術の開発成功を目指す。12インチウェーハ、19nmプロセスのメモリ(DRAM込)開発プロジェクトに投資し、総投資額を180億元とすることに合意した。2018年12月31日までに開発し、良品率が10%以上を目標にしている。180億元の投資額について、中GigaDevice社と合肥産投が1:4の比率で投資額を調達することに合意した。Memory社(睿力集成)が生産したDRAMは優先的に中GigaDevice社に納品する。中GigaDevice社は2005年4月設立された世界トップ5となるNOR型フラッシュメモリのメーカである。(有限合作)の共同出資によって設立された。登録資本金は20億元で、それぞれの持株比率は99.75%、0.25%となっている。共同出資によって設立された。それぞれの持株比率は80.10%、19.9%となっている。同社の登録資本金は1億元である。