2は、RFe2O4を含み、低いエネルギの光の入射に応じて内部の電子の状態が変化することで、その電気伝導度が変化する。これにより、低いエネルギの光に応じて電気伝導度を変化させることが可能な電子素子が実現される。Japanese)従来の太陽電池や光センサは、光に励起されたイオン原子から放出される電子を、そのすぐ近傍に設けたpn接合面等により構成される電場勾配に捉えさせることを動作の基本としている(非特許文献1参照)。図3(a)は従来のシリコンpn接合太陽電池の構成を示す斜視図であり、図3(b)はその断面図である。従来のシリコンpn接合太陽電池は、p型シリコンを備えている。p型シリコンの周囲には、薄いn型層が拡散によって形成されている。p型シリコン及びn型層には、それぞれ電極が設けられている。図4(a)は従来のシリコンpn接合太陽電池のpn接合部の断面図であり、図4(b)は上記従来のシリコンpn接合太陽電池の動作を説明するためのエネルギバンド図である。図4(a)を参照すると、光が入射することによって、内部電界のある接合部付近にキャリアが発生する。Ln、Lpは、電子と正孔の拡散距離を示しており、dは、接合深さを示しており、Wは、遷移領域幅を示している。図4(b)を参照すると、光生成された電子-正孔対は、遷移領域の内部電界により、左右に分離され、電極に起電力が発生する。図5は、従来のシリコン太陽電池のスペクトル感度特性を示すグラフである。図5に示されるように、従来のシリコン太陽電池は、0.5μm~1.0μmの波長の光で動作する。ここで、光の波長λとエネルギEとの関係は、近似的にE(eV)=1.24/λ(μm)と表され、例えば波長1.0μmの光のエネルギは1.24eVである。有する化合物の単結晶、多結晶、またはその粉末の集合体からなることを特徴とする請求項6~11のいずれか一項記載の太陽電池素子。技術移転に関しては岡山TLOが窓口になります。