1970年代、DRAMはメインフレーム用メモリ、SRAMは周辺機器やマイコンシステム用メモリとして発展する。当時のSRAMの市場はDRAMの1/3から1/2の規模があり、メモリの重要な市場であった。SRAMは、アクセス時間が遅いが比較的大容量の中速SRAMと、容量は小さい高速SRAMの2系統に分化して発展していく。2115は当時としては高速な70nsを達成した。この分野はバイポーラRAMと競合になったが、微細化が進むにつれて高速MOSSRAMのアクセス時間は70ns、55ns、45nsと改善されていった。その結果バイポーラRAMは超高速の分野に特化していった。初期のCMOSSRAMではIntelとIntersilが有力メーカであったが、日本メーカ各社が参入して開発競争が激化していく。TC5006Pを開発した。東芝はさらに1977年のISSCCにおいて4KビットCMOSSRAMを発表した。CMOSSRAMの特徴は低消費電力特性で、動作時に低消費電力なだけでなく、主電源を切ったあと電池でデータ保持が可能なバッテリバックアップ機能を有していた。TMS4016を発売し、16Kの時代となった。各社が製品を発売して大競争となった。この16Kの時代に日本メーカが米国メーカに対して優位に立ち、特にCMOS製品が中心となった中速SRAMでは日本メーカは圧倒的な立場を獲得した。当時のSRAMのメモリセルには、PMOSとNMOSで構成する6MOS型のCMOSセルと高抵抗を用いた4MOS+2Rのセルの2種類の流派があった。2010/10/26。