Laser)は東工大・伊賀が発案し、1988年に世界で初めて室温連続動作を達成した日本発の半導体レーザーである。一般のレーザーは半導体基板ヘキ開端面を反射鏡として、端面からレーザー光を放出する端面発光型レーザーである。これに対してVCSELは、半導体基板面と垂直な方向に共振器を有し、半導体表面よりレーザー光を放出する。活性層体積が小さいため小電流、高速駆動が可能で、2次元レーザーアレイも容易に実現できるなど、端面発光型にはない利点がある。典型的なVCSELの断面構造を図に示す。DBR層(Znドープ)、p型GaAsコンタクト層(Znドープ)を順次積層する。DBR層が露出するまでドライエッチングしてメサ構造を形成する。緑色で示す酸化アパーチャは、P型AlAs層をメサ側面より水蒸気酸化することで形成する。Lateral酸化技術をVCSELの電流狭窄手段に用いてから、VCSELの性能は飛躍的に向上し、1万時間以上の寿命が確保できるようになった。1996年Honeywellが市場参入したのを契機に、米国では1999年から高速LANで本格的に採用されるようになった。Oxidation)と呼ばれる、酸化の状態をその場観察しながらAlAsを水蒸気酸化する技術を開発し、発振波長850nm、光最大出力4mW、変調速度10Gbps以上の世界トップレベルの性能を有する面発光型半導体レーザーを開発した。同社は電子写真式プリンタ向け8×4シングルモードVCSELアレイも商品化している。2010/10/26。