4月13日出願公開、特開2006-100825〕について、次のとおり審決する。本件審判の請求は、成り立たない。本願は、平成17年9月26日(パリ条約による優先権主張2004年9月29日、アメリカ合衆国)の出願であって、平成23年11月11日付けの拒絶理由通知に対して、平成24年5月15日に手続補正書及び意見書が提出されたが、同年8月9日付けで拒絶査定がなされ、それに対して、同年12月14日に拒絶査定に対する審判請求がなされたものである。本願の請求項1に係る発明(以下「本願発明」という。)は、平成24年5月15日になされた手続補正により補正された明細書、特許請求の範囲及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項1に記載されている事項により特定される以下のとおりのものである。該各トレンチが、該絶縁層が実質的に該各トレンチを充填し、かつ対応する各対の隣接したトレンチ間の該半導体層を実質的に消費するように構成され、それによって該複数のトレンチ全体にわたって実質的に連続した酸化物領域を形成する方法。