Sputtering:HiPIMS)とは、従来のスパッタリング法よりも大電力を印加し膜質改善効果が期待され注目が集まっている。kWの瞬時電力を出力可能である。:IGBT)によってパルス状に変換して時間的に圧縮された大電力パルス出力を負荷へ供給する電源である。電源の外観を図1に、電源の主要回路図を図2に示す。2と考えられ、低い電力を蓄積させ瞬時に放出することで大電力パルスを出力できる。cm-3であり、高密度プラズマを生成可能である。パルス幅の制御を行うことで、成膜される膜質の制御が可能である。瞬時電力の高い高密度プラズマにより従来スパッタではできなかった大幅な膜質改善が見込める。HiPIMS法を用いて炭素ターゲット上に大電力パルスを印加した際の放電状態を図4に示す。ターゲット表面の放電は、青白く輝度の高い状態が観測できる。比較的平滑な表面と高密度な内部構造等があげられる。HiPIMSによる放電状態が、非常にエネルギー高くかつ幅の広いイオンを生成できることを示している。そのことにより基板に衝突するイオンのエネルギーも高くなり大幅な膜質改善が期待できる。