全国高校eスポーツ選手権運営の舞台裏。00:00)登録受付所の付近には、長い行列ができた。Center大容量NANDフラッシュメモリがついに3D化(3次元化)した。NAND」あるいは「プレーナNAND」などと呼ばれる)に比べ、飛躍的に高められる技術である。大容量NANDフラッシュメモリの開発企業は多くない。TechnologyとIntelの共同開発チームである。合計で4つの研究開発グループしかない。いってもNANDフラッシュの開発競争は熾烈である。ベンダーは値下げ競争によって価格が暴落し、巨額の赤字を計上した苦い歴史を有する。NAND技術には大きな期待がかけられてきた。NAND技術の研究開発に積極的に取り組んでいる。Summit(フラッシュメモリサミット)」で明らかになった。3次元化で先頭を切ったのは、NANDフラッシュメモリ最大手ベンダーのSamsungである。NANDフラッシュメモリの量産開始を発表した。NANDフラッシュメモリの概要を公表した。NAND(垂直NANDが誘う3次元メモリ時代)」。Centerのエグゼクティブバイスプレジデント兼ゼネラルマネージャ)である。Jung氏が説明した。NANDフラッシュメモリの量産化を発表した時点では、記憶容量が128Gbitと、NANDフラッシュメモリとしてはタイ記録の最大容量(プレーナNANDフラッシュの最大容量と同じ)であること、24個のメモリセルを垂直方向につなげていること(24層の積層メモリセル)、記憶方式は電荷捕獲方式(チャージトラップ方式)であり、従来(プレーナNANDフラッシュ)の浮遊ゲート方式ではないこと、などが明らかになっていた。一方で製造技術(加工寸法)やシリコンダイ面積などは不明だった。Jung氏の講演と質疑応答から分かったのは、製造技術は30nm技術よりも緩いこと、メモリセルは2bitを記憶するMLC方式であること、1Tbitと膨大な記憶容量が視野に入ったこと、などである。具体的な加工寸法やシリコンダイ面積などは、結局明らかにされなかった。NANDフラッシュメモリの微細化トレンド。NAND技術によって製造技術を微細化せずに、1Tbitと膨大な記憶容量をワンチップで実現可能になる。NAND)」と呼んでいる基調講演の直後に聴衆からの質問に答えるJung氏(中央)とElliott氏(右)。会場の驚かせたのはむしろ、Jung氏が説明を終えた後である。NANDフラッシュを内蔵したSSDを発表したからだ。2.5インチのフォームファクタに、最大960GBを格納する。NANDフラッシュを内蔵したSSDは実装基板の面積が減るとともに、書き込み性能が向上し、消費電力が下がるとした。NANDフラッシュ内蔵SSDを格納したノートPCを手に取り、聴衆に完成度をアピールした。NANDフラッシュのデビューを祝福していた。NANDフラッシュを内蔵したSSDの外観。NANDフラッシュメモリの開発成果を披露した。NANDフラッシュを作りこんだ300mmウェハを展示した。展示ブースの説明員によると、シリコンダイ当たりの記憶容量は128Gbit、記憶方式は電荷捕獲方式のMLC(2bit/セル)である。商用サンプルを2014年第1四半期には出荷したいとする。NAND技術をアピールしていた。NAND技術をアピールしたビデオ(一部)。NANDフラッシュの開発状況を簡単に説明した。Shrivastava氏が登壇した。NANDフラッシュメモリを開発中である。NANDフラッシュ技術「BiCS」をベースとしており、パイロット生産の時期を2015年後半と述べていた。NAND技術の微細化を進めており、今年(2013年)後半には19nm世代(現行世代)の次世代に相当する1Y世代の量産を立ち上げる。来年(2014年)末には、さらに微細化を進めた1Znm世代の生産を始める。SanDiskの講演で興味深かったのは、記憶密度(GB当たりのシリコン面積)において競合他社よりも優れていると主張したことだ。NANDフラッシュ技術(第3世代)と、SanDisk(および東芝)の1Znm世代プレーナNANDの記憶密度はほぼ同じくらいだとする。競合他社というのはSamsung以外には考えにくい。NAND技術に、SanDiskは従来技術の改良で十分対抗できるとのメッセージだろう。NAND技術の製造コスト(記憶密度)比較。Dennison氏が登壇した。MicronはIntelと共同で大容量NANDフラッシュメモリを開発してきた。NANDフラッシュ技術も、MicronとIntelは共同で開発中である。NANDフラッシュメモリのサンプル出荷を発表している。記憶方式はMLC(2bit/セル)である。NAND世代であり、シリコンダイ当たりで256Gbitの記憶容量を実現すると述べていた。量産時期やサンプル出荷時期などは明らかにしなかった。DRAMとNANDフラッシュ、PCM(相変化メモリ)のロードマップNANDフラッシュメモリの開発ロードマップNANDフラッシュメモリの大容量化は、平面方向の縮小(プレーナ技術の改良)から、垂直方向の積層へと大きく舵を切り始めた。舵を切る時期は船舶によって違うが、いずれは全ての船が舵を切ることになるだろう。2次元のままでは、記憶密度の向上、言い換えるとシリコンダイ当たりの大容量化が限界に達することが明らかだからだ。来年(2014年)の段階で3次元が勝利するとは限らない。2次元の圧倒的な勝利で2015年を迎える可能性が高い。闘いはまだ始まったばかり。両者の闘いを見守る必要がありそうだ。