おいて、生体組織内の空間的な電位分布を多点で同時に計測するための電極開発が必要とされている。本研究では、選択シリコン(Si)vapor-liquid-solid(VLS)成長を用いた神経電極を提案してきている。本研究期間では、VLS成長を用いた神経電極技術の実現に向けて、以下に示す知見を得た。・Si(111)基板上に製作したMOSFETのMOS界面特性に着目し、フッ素注入処理及び長時間の水素雰囲気での熱処理を用いることで、Si(100)基板上に製作したMOSFETと同等の電気的特性を確認した。・In-situドーピングVLS成長法の提案。Siガス(Si_2H_6)にPH_3ガスを混入し、成長温度700°C以下で10^19/cm^3の低抵抗Siプローブを実現。B_2H_6ガスを用いることで、10^17/cm^3のP型Siプローブを実現した。・バッファアンプとしてOn-chipインピーダンス変換回路を搭載。チップ被覆、実装までを行い生体同様の生理溶液中での電気的特性を検討した。増幅率の確認と細胞外電位100μV以下の電位取得を確認した。・ワイヤレスの基礎技術として、Si基板上にコイルなどを形成したワイヤレス信号伝搬システムの構築を行った。本結果より、300MHzでの信号の送受信が可能であることを確認している。目的とし、これまでの電極チップに薬液投与用のマイクロチューブアレイをICプロセスで集積化した。考察し、実際の生理実験で使用できることを示した。このように本研究期間で得られた研究成果は非常に多く、また本提案電極デバイスのみでなく、多くの課題を残す神経電極の分野への貢献も多いと考える。このような神経電極デバイスは、脳内の解析、細胞レベルの電極ツール、更に近年ではブレインマシン・インタフェース(BMI)研究用の電極デバイスとして期待が大きい。