2014では、NBCI(一般社団法人ナノテクノロジービジネス推進協議会)、筑波大学、つくば国際戦略総合特区と4機関合同ブースで展示を行いました。『「つくば」から未来の産業へ:つなげる、ひろがるオープンイノベーションプラットフォーム』をテーマに、TIA-nanoユーザーの成果、大型研究インフラの紹介、つくば共用研究施設データベースの使用体験コーナーなど、TIA-nanoの多彩な活用法をご紹介しました。2014は、同時開催全8展合計で45,841(48,216*)人が来場しました。おかげさまで、TIA-nanoブースでも、1,600名を超える過去最高の来場者を記録し、盛況のうちに閉幕を迎えることができましたことを御礼申し上げます。*:複数日来場者の人数です。2日間の方は、2名とカウントしております。1枚幅3.5mの壁面には、TIA-nanoの概要、多彩なプロジェクトを一覧で紹介しました。Factory)の写真展示と利用方法の紹介をしました。つくば共用研究施設データベース体験コーナーでは、利用体験をした方々にオリジナルクリアファイルをプレゼントしました。★つくば共用研究施設データベースhttp://oft.tsukuba-sogotokku.jp/TIA-nanoユーザーの成果コーナー。FIRSTプログラム中心研究者をはじめ、TIA-nanoを利用している方たちと研究成果を紹介しました。単一シリコン基板上に集積した光インターポーザを開発し、30Tbps/cm2の世界最高の伝送帯域密度を達成しました。教授TIA-nanoの集積マイクロシステム研究センターと共同でMEMSをLSIの上に形成するヘテロ集積化の技術を開発しました。システムの鍵を握る部品として役立ちます。待機電力ゼロの電子機器実現に向けて、電子の持つ電気的性質と磁気的性質を利用したスピントロニクス論理集積回路を開発し、高性能性と省エネルギー性を実証しました。センター長TIA-nanoのパワーデバイス作製設備を活用して、世界最高の性能を有する超高耐圧(16kV)SiCトランジスタ(IGBT)を実現しました。教授TIA-nanoのSCRを活用して、LSIの消費電力を従来の1/10~1/100にするための低電圧動作CMOS技術を開発しました。連携研究体長NIMSオープンイノベーションセンターのオープンラボに参画して、リチウムイオン二次電池の充放電時の電池内部の電極材料の構造変化を調べています。デバイスの高周波雑音計測を可能にするシステムを開発しました。SCRの計測システムを利用して、微細化により顕在化する時間ゆらぎ現象の解明とその抑制方法提案を目指します。放射光X線を利用して、希土類永久磁石の微細磁気構造を元素識別して観察する技術を開発しました。放射光X線を利用して、有機強誘電体における分極が発現する新しいメカニズムを明らかにしました。SiC専用クリーンルームを活用して、ハイブリッドカーの燃費をさらに向上したりエアコンの消費電力をより一層低減するSiC-MOSFETの高性能化技術を研究しています。山部・蓮沼研究室ナノ材料科学環境拠点(GREEN)で現在の車用燃料電池の高温用電解質膜のターゲットである、作動温度100°Cまで使用可能な新規プロトン電解質や膜を開発しました。ナノ材料科学環境拠点(GREEN)KEKの超伝導リニアック試験施設で実施されている、小型高輝度光子ビーム発生装置の逆コンプトン散乱によるX線生成実験で、逆コンプトン散乱によるX線と確認できる信号を捉える事に成功しました。加速器研究施設NIMSオープンイノベーションセンターの熱エネルギー変換材料ラボに参画して、伝熱複合材料の熱特性評価を行っています。オナーズプログラムに参加しています。産総研の実験設備を活用し、金属と半導体の接触抵抗を遷移金属内包Siクラスター材料を用いて大幅に低減する技術を開発しました。