※2名様ともS&T会員登録をしていただいた場合に限ります。※同一法人内(グループ会社でも可)による2名同時申込みのみ適用いたします。氏セミナーを申し込むお問い合わせ◆受講証及び請求書は、サイエンス&テクノロジー株式会社よりお送りします。◆受講料は、銀行振込(開催日まで)、もしくは当日現金にてお支払い下さい。◆お申し込み後、ご都合が悪くなった場合は代理の方のご出席が可能です。キャンセルの場合は、サイエンス&テクノロジー株式会社の規定が適用されます。近年は、電気自動車(EV)の開発に向け大きく進展する年となっている。世界最大の自動車市場である中国をはじめヨーロッパはハイブリッド車を飛び越えてEVシフトへ舵を切った。日本、アメリカを巻き込んで世界全体でEV開発がいよいよ本格化してきている。EVの性能を決める基幹部品であるパワーデバイスでは、新材料SiC/GaNデバイスの普及が大いに期待されている。現状では、性能、信頼性、さらには価格の面で市場の要求に十分応えられているとは言えない。最強の競争相手であるシリコンIGBTからSiC/GaN開発技術の現状と今後の動向について、市場予測を含め丁寧に解説する。◆講演内容◆<得られる知識、技術>過去30年のパワーデバイス開発の流れとパワーデバイスの最新技術動向。Si-IGBTの強み、SiC/GaNパワーデバイスの特長と課題。パワー半導体ならびにSiC/GaN市場予測。SiCデバイス実装技術。SiCデバイス特有の設計、プロセス技術、など。サイトポリシーサイトマップTOPへ戻る。