デバイスサイズと機能複合の最適化が常に求められています。センサーの実装に取り入れる事が重要課題になっています。追求など、様々な要求に応じて、内部配線の最適化が求められています。増大するバンプ数、ピッチサイズの微小化、デバイス高さの低減要求に対応する為に、大きなボンディング荷重と広範囲に渡っての平坦度が保証された、高精度ダイボンダ、フリップチップボンダが求められています。ダイチップの積層化が普遍的になってきた事により、プリ・アンダーフィルやNCFを、ダイシング前のウェーハーに使用する機会が増加しています。ボンディングプロセスでは、適格なボンディング荷重制御と温度制御によるアンダーフィル材料の液化と活性化が不可欠になっています。ボンディング技術がマルチチップ実装に於いて、近年特に注目されています。2層の高温融合した金属材料の間にある低温融合のハンダ層が加熱処理され、融点より高い温度で中間金属状態が形成されます。高温環境下でのマルチステージプロセス,又は新しいアプリケーション技術を可能にします。(金属-金属間)金属間ボンディングはチップパッケージングに於いて有効な方法であり、特に銅材質を使用したイメージセンサーでは“主要な”ボンディング方法になっています。高い電気導電性と、熱伝搬性がこの材質の優位性を保ちます。最適な方法を提供します。共晶ボンディング共晶ボンディングは最も多く採用されている基本のボンディング技術です。リフロー処理又は基板下からの加熱処理により単一のデバイス、チップはハンダ接合され一括実装が完了します。要求が高まっています。今まで以上に複雑化した回路構造、狭小ピッチ、微小バンプなどの設計と、ダイ、チップの積層構造化が多くのアプリケーションで必須技術となりつつあります。パッケージング技術の様々な接続方法を主としてご紹介しています。用いて、基板実装する事を達成しました。積層技術に関連する実験手法と、プロセスパラメータの最適化とその結果を記述されています。