特許庁によると、炭化ケイ素(SiC)、窒化ガリウム(GaN)ベースの次世代パワー半導体関連の特許出願が近年急増したことが明らかになった。出願件数は2015年に10件、2016年に13件、2017年に18件と着実に増加し、2018年には33件と、前年比83.3%急増した。エネルギーなどの高電圧応用分野における需要が大幅に増えるものと見込まれる、次世代パワー半導体の研究開発が活発に行われた結果であるとみられる。従来のシリコン(Si)ベースのパワー半導体は低コストという利点がある一方、過酷な車両運行環境下においても、高度の耐久性•信頼性を保証するには構造や設計の改善だけでは限界があった。最近脚光を浴びている炭化ケイ素、窒化ガリウムベースのパワー半導体は、シリコンに比べて、高温•高圧でも安定して動作するといった優れた物質特性をもっている。これはパワー半導体の電力効率の向上と小型化•軽量化の画期的な改善を可能にする。工程の具現が難しく、高コストといったデメリットがあるため、本格的な商用化に向けては解決すべき技術的な課題も多い。出願人に関連した動向をみると、2015年に40%だった韓国人の出願割合が2018年には66.6%と、急増した。これはメモリの分野に比べ、劣勢と評価されている非メモリのパワー半導体分野においても、韓国企業の積極的な投資が行われているものとみられる。2017年までは年間5件未満であった中小•中堅企業の出願件数が2018年には13件と、大きな伸びを示したことも分かった。チーム長は「各種環境規制によりエネルギー効率が重要となってきており、パワー半導体分野は、ファブレスの中小•中堅企業にもチャンスが到来している」とし、「高いレベルの信頼性が求められる産業の特性上、着実に技術力を蓄積し、強い特許で対抗する必要がある」と述べた。