この共晶比を超えると金の成分が増加し、融解温度が上昇します。比率でのバンプ形成制御に求められます。正確な場所に薄いすずの膜を形成して厚い金を電気的に形成することが、バンピング形成の方法として使われています。必要とされる共晶構成比を得る為にバンプのリフローが必要となります。他のバンピングの方法は、正確な比率で金-すずを交互に順序よく蒸発させ、ハンダ表面にリフローしていきます。合金の電気プレーティングにより、単一組成の制御された、金-すず合成を得る事ができます。用いた光学素子の実装プロセスには、デバイスに対して正確なアライメントと位置制御を行い、又、ボンディング温度と荷重、時間のクローズドコントロールが必要です。プログラム制御されたファインテック社のダイボンディング装置は、自動的にプロセス制御を行い、高精度な実装が可能です。以下のビデオは、ファインテック社の高精度ダイボンディング装置のレーザーバーを正確に実装するデモになります。以下の精度でアライメント位置制御を実行し、サブマウント基板とのソルダリング工程を実現しています。まとめ金-すず、共晶ハンダ方法には、他のハンダ装着方法にはない、多くの利点があり、光学素子を安定して実装致します。精度で光学素子に対して位置制御が可能で、ハンダ接合が行えます。シリーズは、モジュールシステムの採用により各種の実装アプリケーションに柔軟に対応致します。御社のアプリケーションに即した最適なシステム構成をご提案させて頂きますので、製品概要をご検討頂き、弊社の営業窓口にお問い合わせ頂きたくお願い致します。