その後、図1(d)に示すように、シリコンウェーハ材1の水素注入をした表面の側に、別のシリコンウェーハ材(ベースウェーハ)などの適当な基板材5を貼り合わせる。(e),基板材5が張り合わされた側のシリコンウェーハ材1の表面部分を水素注入層4から剥がすことができる。5構造のシリコンウェーハ7を得る。この時、薄いシリコン層6の剥がし面には20nm程度の凸凹が形成される。そのため、必要に応じて、図5(f)に示すように、シリコン層6の表面を化学的機械的に研磨し平滑化する。ここまでの工程は、いわゆるスマートカット法と称される方法と同様である。method.【0010】次に、シリコンウェーハ7を、水素雰囲気中でアニールする。図2は、アニールを行うためのアニール装置(炉)をしめす。図2において、7はアニールをするシリコンウェーハ、8はこのウェーハを保持する保持具、9は炉体である。炉体9の上部入り口から水素ガスが導入され、下部出口から排出される。7を、摂氏1050度から1350度で水素雰囲気中で数10秒から数10分のアニールを行なう。加熱温度が、摂氏1050度以下だと、アニールに長時間を要する。1350度以上だと、シリコンが溶融するので適当でない。melted.このように、加熱温度を、摂氏1050度〜1350度の範囲とすることにより、プロセスの安定化、スループットの向上、ウェーハ品質の向上が実現できる。realized.【0011】上記のように水素雰囲気中でのアニールにより、シリコンウェーハの表面が平坦になるのは、表面のシリコン原子が再配列する等の効果による。シリコン原子の再配列の様子を図3に示す。図3(a)は、アニールする前のシリコン表面を拡大して模式的に示した断面図である。水素雰囲気中で加熱すると、図3(b)に示すように、水素の効果によりシリコン表面が活性化され、シリコン原子が表面を動き回わりエネルギー安定点に移動する。この結果、図3(c)に示すように、表面が平坦になる。(e),化学的機械的研磨の影響のないシリコンウェーハが製造できる。図1(f)の段階で、アニールするまえに、必要に応じて表面に影響を残さない程度に、適度に化学的機械的研磨を施しておくようにしてもよい。適度の化学的機械的研磨を施した場合には、水素によるアニールの簡略化、迅速化を図ることができ、またこの場合にも最終的に化学的機械的研磨の影響のないシリコンウェーハを得ることができる。図4は、この発明の実施の形態2のSOI構造のシリコンウェーハの製造方法を説明する図であり、ラピッドアニール装置を示す。(susceptor),11は透明チャンバ、12は加熱用の赤外線等のランプを示す。水素ガスは、チャンバ11の図示左側の入口より導入され、右側の出口から排出される。outlet.【0014】実施の形態1では、水素処理をアニール炉を用いたバッチ方式で行なっている。この実施の形態では、シリコンウェーハ1枚毎の、枚葉の処理が可能であり、熱放射光をシリコンウェーハに短時間照射してアニールする、いわゆる短時間アニール(ラピッドサーマルアニール)により処理する。ラピッドアニール装置としては、ハロゲンランプ、アークランプなどによる赤外線アニール装置、キセノンフラシュランプなどによるフラシュランプアニール装置などが用いられる。アニールするシリコンウェーハ7の準備工程は、実施の形態1と同様である。annealing,プロセスが制御しやすい等の効果がある。図5は、この発明の実施の形態3のSOI構造のシリコンウェーハの製造方法を説明する図であり、プラズマアニール装置を示す。15は高周波発生機、16はコンデンサを示す。電極13の下側電極は、図示していない加熱装置により温度を数100°Cにコントロールする。水素ガスは、チャンバ14の図示左側の入口より導入され、右側の出口から排出される。この例では、水素中のプラズマ処理を高周波電力により行なっている。ECR(電子−サイクロトロン共鳴)、光等の他の励起源を用いて行なっても良い。アニールするシリコンウェーハ7の準備工程は、実施の形態1と同様である。embodiment.【0016】実施の形態1及び2では、水素中の高温処理でのアニールで行なっている。embodiment,プラズマ中で水素処理をしてアニールを行なう。このようにすると、処理温度を室温から600°C程度まで下げることができる等の効果がある。このようなプラズマ処理では、処理時間は、実施の形態1に比べて短いので、プロセスが制御しやすい、汚染が導入されにくい等の効果がある。図6は、この発明の実施の形態4のSOI構造のシリコンウェーハの製造方法を説明する図であり、シリコンのエピタキシャル成長装置を示す。図6において、7はエピタキシャル成長をさせるシリコンウェーハ、17はこのシリコンウェーハを保持して回転する保持具、18は高周波コイル、19はチャンバを示す。水素ガスは、チャンバ14の図示左側の入口より導入され、右側の出口から排出される。outlet.【0018】実施の形態1ではウェーハ剥がしの後、水素アニールを行なっている。これに対し、この実施の形態では、図1(e)の工程で水素注入層4から薄いシリコン層6を剥がした後、剥がされた面にシリコンのエピタキシャル成長を行ない新たな表面を平坦に形成する。)中で800°C以上で行なう。これらの材料を用いることにより、シリコン成長層の表面での欠陥低減層を形成することができる。エピタキシャル成長をさせるためのシリコンウェーハ7の準備工程は、実施の形態1と同様である。影響をなくすことができる上、さらにシリコンウェーハのシリコン層6の膜厚の制御等が可能となる。[0019]【発明の効果】以上説明したように、この発明によれば、表面が化学的機械的研磨の影響を受けない特性のよい表面層を備えたSOI構造のシリコンウェーハを得ることができる。この発明の実施の形態1よるシリコンウェーハの製造プロセスを示す断面図。この発明の実施の形態1における水素中の熱処理を行なうアニール装置を示す断面図。この発明の実施の形態1におけるシリコンウェーハの表面を説明するための断面図。この発明の実施の形態2における水素中の熱処理を行うラピッドアニール装置を示す断面図。この発明の実施の形態3における水素処理を水素プラズマ中で行なうプラズマアニール装置を示す断面図。この発明の実施の形態4におけるエピタキシャル成長を説明するための図。この発明の実施の形態4におけるシリコンウェーハを示す断面図。表面にシリコン酸化膜が形成されたシリコンウェーハ材の一の主面から水素イオンを注入して水素注入層を形成する工程と、上記シリコンウェーハ材の上記一の主面に基板材を張り合わせる工程と、上記シリコンウェーハ材を加熱して上記シリコンウェーハ材の上記基板材と張り合わされた部分のシリコンウェーハを上記水素注入層において剥ぐ工程と、上記基板材と張り合わされて剥がされた部分の上記シリコンウェーハを水素雰囲気中でアニールして剥がされた表面を平坦にする工程とを含むことを特徴とするシリコンウェーハの製造方法。1350度の範囲に加熱して行うことを特徴とする請求項1に記載のシリコンウェーハの製造方法。上記アニールを、水素雰囲気中のプラズマ処理により行うことを特徴とする請求項1に記載のシリコンウェーハの製造方法。上記アニールを、ラピッドサーマルアニールにより行うことを特徴とする請求項1に記載のシリコンウェーハの製造方法。上記アニールを、上記剥がされた表面の化学的機械的研磨を行った後に行なうことを特徴とする請求項1ないし4のいずれかに記載のシリコンウェーハの製造方法。表面にシリコン酸化膜が形成されたシリコンウェーハ材の一の主面から水素イオンを注入して水素注入層を形成する工程と、上記シリコンウェーハ材の上記一の主面に基板材を張り合わせる工程と、上記シリコンウェーハ材を加熱して上記シリコンウェーハ材の上記基板材と張り合わされた部分のシリコンウェーハを上記水素注入層において剥ぐ工程と、上記基板材と張り合わされて剥がされた部分の上記シリコンウェーハの表面にシリコンをエピタキシャル成長させて平坦な新表面を形成する工程とを含むことを特徴とするシリコンウェーハの製造方法。)中で摂氏800度以上の温度で行なうことを特徴とする請求項6に記載のシリコンウェーハの製造方法。請求項1ないし7のいずれかに記載の製造方法により製造されたことを特徴とするシリコンウェーハ。