Insulator)構造のシリコンウェーハの製造方法に関するものである。LETTERS31(1995)1201参照)。スマートカット法について説明すると、先ずシリコンウェーハを熱酸化して表面にシリコン酸化膜を形成する。次に、シリコンウェーハ表面から、水素イオン注入を行なって、水素注入層を形成する。wafer,ベースウェーハを貼り合わせる。次に、このシリコンウェーハを加熱して、水素注入層からシリコン表面を剥がす。して基板材の上に薄いシリコン層を形成する。material.この時、薄いシリコン層の剥がし面には微少な凸凹が形成されるため、表面を化学的機械的に研磨し平滑化して、SOIウェーハを製造する。Materials,(1996)P425)。[0003]【発明が解決しようとする課題】このようなシリコンウェーハ表面の研磨における不良は、上記のようなスマートカット法など従来の方法で製造したSOI構造のウェーハでも同様に生じ、デバイスの特性、歩留まりを低下させる原因となっていた。この発明は、このような従来の問題を解決し、表面に不良のないSOI構造の半導体ウェーハを提供しようとするものである。[0004]【課題を解決するための手段】この発明のシリコンウェーハの製造方法は、表面にシリコン酸化膜が形成されたシリコンウェーハ材の一の主面から水素イオンを注入して水素注入層を形成する工程と、上記シリコンウェーハ材の上記一の主面に基板材を張り合わせる工程と、上記シリコンウェーハ材を加熱して上記シリコンウェーハ材の上記基板材と張り合わされた部分のシリコンウェーハを上記水素注入層において剥ぐ工程と、上記基板材と張り合わされて剥がされた部分の上記シリコンウェーハを水素雰囲気中でアニールして剥がされた表面を平坦にする工程とを含むことを特徴とするものである。1350度の範囲に加熱して行うことを特徴とするものである。time.また、この発明のシリコンウェーハの製造方法は、上記アニールを、水素雰囲気中のプラズマ処理により行うことを特徴とするものである。atmosphere.【0006】また、この発明のシリコンウェーハの製造方法は、上記アニールを、ラピッドサーマルアニールにより行うことを特徴とするものである。この発明のシリコンウェーハの製造方法は、上記アニールを、上記剥がされた表面の化学的機械的研磨を行った後に行なうことを特徴とするものである。surface.【0007】また、この発明のシリコンウェーハの製造方法は、表面にシリコン酸化膜が形成されたシリコンウェーハ材の一の主面から水素イオンを注入して水素注入層を形成する工程と、上記シリコンウェーハ材の上記一の主面に基板材を張り合わせる工程と、上記シリコンウェーハ材を加熱して上記シリコンウェーハ材の上記基板材と張り合わされた部分のシリコンウェーハを上記水素注入層において剥ぐ工程と、上記基板材と張り合わされて剥がされた部分の上記シリコンウェーハの表面にシリコンをエピタキシャル成長させて平坦な新表面を形成する工程とを含むことを特徴とするものである。4)中で摂氏800度以上の温度で行なうことを特徴とするものである。[0008]【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態を図を参照して説明する。図中、同一の符号は同一または相当の部分を示す。~(f)は、各工程の断面図を示す。