(1)STのパワーMOSFETポートフォリオは、-100V~1700Vの広範なブレークダウン電圧、小さなゲート電荷量、低オン抵抗のデバイスを、最先端のパッケージで提供しています。高耐圧パワーMOSFET(MDmeshTM)および低耐圧パワーMOSFET(STripFETTM)に使われているSTのプロセス技術によって、高い電力処理能力をもつ高効率ソリューションとなっています。パワーMOSFETはSTPOWERファミリの製品です。ニーズに応じて適切なパワーMOSFETを以下よりお選びください。12V~30V低電圧MOSFET最先端のパッケージで提供される、低いゲート電荷とオン抵抗を特徴とするSTのSTripFET低電圧パワーMOSFETです。Nチャネル・パワーMOSFETポートフォリオです。Nチャネル・スーパージャンクションMOSFETです。700V~1700V高電圧および超高電圧MOSFET電力処理能力の強化により高効率ソリューションを実現した、STのMDmeshTM高耐圧および超高耐圧パワーMOSFETです。PチャネルMOSFETです。STの幅広いMOSFETポートフォリオには次のような特徴があります。産業用および自動車用アプリケーションにおけるあらゆる耐圧範囲の設計において、ニーズに適したMOSFETを提供します。STの幅広いSTPOWER製品ポートフォリオは、最先端のパッケージと保護を兼ね備えることで、高い信頼性と安全性を実現しています。これにより、長寿命かつ高効率の、カスタマイズされたアプリケーションに適したソリューションを容易に見つけることができます。*STの最新情報を受け取る私は、STが、プライバシー・ポリシーによるところのデータ管理者として、私のアクセス履歴を記録し、その情報ならびに私がSTに通知した個人データを、私の興味に関連するマーケティング目的のために使用すること、ならびに私の個人データが、ヨーロッパ連合内およびヨーロッパ連合外の国にあるSTの関連会社およびSTの販売代理店に対し、当該マーケティング目的のために提供されることに同意します。---------私は、私が受け取る連絡に含まれるオプトアウトリンクを通じて、または私のアカウント設定により、いつでも私の同意を撤回できること、ならびにプライバシー・ポリシーの定めにより、私がそれ以外のユーザーの権利をいつでも行使することができることを認識しています。STは、お客様が関心を持たれると考える他の製品およびサービスをお客様にご提案するため、お客様の閲覧履歴を取得し、お客様が過去にアクセス、購入またはダウンロードした製品およびサービスの詳細を利用します。STのウェブサイトでのお客様の行動を通じて提供する個人データを、プライバシー・ポリシーに従って利用します。お客様の個人データは、ヨーロッパ連合域内および同連合域外の国にあるSTの現地関連会社および販売代理店に提供されることになります。STの現地関連会社および販売代理店の一覧は、当社のウェブサイトのプライバシー・ポリシーで確認することができます。STウェブサイトでのお客様の行動を通じて提供する情報は、STが別な状況(例えばお客様がST、STの現地関連会社または販売代理店と取引関係を結ぶ場合など)でお客様から取得した他の情報と統合される場合もあります。内容を確認し承諾しました。