-3Ω・cm、の4点で囲まれた数値条件を満たす化合物半導体。-3Ω・cm以下である請求項1に記載の化合物半導体。[請求項3]Siを含有する請求項1に記載の化合物半導体。[請求項4]AFMによる表面粗さ測定で得られるRMS値が1.5nm以下である請求項1、2または3に記載の化合物半導体。2/(V・S)以上である請求項1、2、3または4に記載の化合物半導体。2/(V・S)以下である請求項1~5のいずれか1項に記載の化合物半導体。[請求項7]GaとNを主成分とする請求項1~6のいずれか1項に記載の化合物半導体。[請求項8]前記13族元素としてGaを含み、さらにAl及び/またはInを含有する請求項1~7のいずれか1項に記載の化合物半導体。[請求項9]Geを含有する請求項1~8のいずれか1項に記載の化合物半導体。[請求項10]請求項1~9のいずれか1項に記載の化合物半導体が用いられた導電部と電極とが接続されてなるコンタクト構造。[請求項11]請求項10に記載のコンタクト構造が備えられた半導体素子。[請求項12]請求項1~9のいずれか1項に記載の化合物半導体が用いられた透明電極。-3Ω・cm以下の比抵抗を有する化合物半導体を成膜する化合物半導体の製造方法。[請求項14]請求項13の化合物半導体の製造方法において、成膜時の基板温度を700°C以下で行う化合物半導体の製造方法。[請求項15]請求項13または14の化合物半導体の製造方法において、成長レートを90~450nm/hに設定する化合物半導体の製造方法。[請求項16]請求項13、14または15に記載の化合物半導体の製造方法において、プロセス雰囲気に酸素ガスを供給する化合物半導体の製造方法。[請求項17]請求項13~16のいずれか1項に記載の化合物半導体の製造方法において、酸素ガスをチャンバ内に供給することなく、チャンバ内の残留成分に含まれる酸素成分、または、他の原料ガス若しくはターゲット金属に含まれる微量な酸素成分を用いてスパッタリングを行う化合物半導体の製造方法。[請求項18]請求項13~17のいずれか1項に記載の化合物半導体の製造方法において、化合物半導体を成膜する面とターゲット金属との距離を10~50cmに設定する化合物半導体の製造方法。[請求項19]請求項13~18のいずれか1項に記載の化合物半導体の製造方法に用いられるスパッタガンであって、ターゲット金属がスパッタガンのヘッド部に備えられ、ヘッド部が基板電極に対向するようにチャンバに組み込まれ、ヘッド部の有効サイズが約1インチサイズ~4インチサイズであるスパッタガン。[請求項20]請求項19に記載のスパッタガンにおいて、平面形状が円形または矩形であるターゲット金属をヘッド部に搭載するように構成されてなるスパッタガン。