耐高温性、さらに高精細な自発光型ディスプレイの可能性などの観点から、近年活発に研究開発が行われている。電子放出素子のエミッタ材料には電子親和力の小さい材料が使用されている。B,10,4(1992))、ダイヤモンドをエミッタ材料として用いた電子放出素子の作製方法が数多く提案されている。1995)、以下のような方法を提案している。エミッタの母体となるSiを加工して、高さ100μm、直径数μm程度の柱状構造を形成する。続いて、この柱状構造体の先にSi-Au合金を厚さ数μm程度形成する。エッチングや酸化技術を用いて柱状構造体の先端を尖らせ(シャープニング)、シャープニングしたSiエミッタにダイヤモンドをコーティングする。この手法で形成したダイヤモンドコーティングエミッタは、ダイヤモンドが個々の柱状構造体上に均一に形成されないため、安定性や信頼性に問題がある。単結晶ダイヤモンドを用いたエミッタの作製も提案されている。この方法では、単結晶ダイヤモンドの低指数面(001)、(111)、(011)で構成されるファセットを利用してエミッタの作製が行われる。この方法では、エミッタ先端の角度は高々45度程度である。エミッタ先端が先鋭化するほど電界集中が大きくなり低電界での電子放出が可能となるが、現状では平坦な単結晶面との大きな差は見られない。ダイヤモンド上にマスク膜を形成し、これをマスクとしてダイヤモンドをエッチングする方法も考えられる。このようなマスクは通常フォトリソグラフィの技術を用いて形成される。そのため、ダイヤモンドエミッタは電荷供給電極(ダイヤモンドエミッタに電荷を供給するための電極)との間で一定以上の距離を隔てて形成されることになり、ダイヤモンドエミッタと電荷供給電極との間に介在する抵抗成分によって大きな電圧ロスが生じる。ダイヤモンドエミッタの密度を高くすることも難しい。したがって、ダイヤモンドエミッタから安定して電子を放出させることが困難である。フォトリソグラフィ工程によって全体の工程も増加する。Japanese)本発明は、真空マイクロ素子等に用いられる電子放出素子の製造方法に関する。前記主金属膜及び前記微小サイズの複数の金属膜をマスクとして前記ダイヤモンドをエッチングして、前記周囲の領域に電子を放出する先鋭な複数のダイヤモンドエミッタからなるエミッタ群を形成する工程と、を備えたことを特徴とする電子放出素子の製造方法。