X線回折で、非水和物であることを確認した。図22(c)(d)は、得られた非晶質の酸化タンタルのX線回折チャート及びSEM写真を示し、図22(a)(b)は、対応する結晶質の酸化タンタルのX線回折チャート及びSEM写真を示す。3膜(KNT膜)を作製した。[0167]この実施例16のKNT膜のχ=K/(K+Na)比は0.480であり、KNT膜の最大膜厚は約600nmであった。3膜(KNT膜)を作製した。この比較例10のKNT膜のχ=K/(K+Na)比は0.570であり、KNT膜の最大膜厚は約100nmであった。5の仕込み量を0.25gとして、KNN膜を製膜した。3では実施例1に近い膜厚約7μmのKNN膜を製膜できた。3について、原料仕込み量を0.25gから1g(4倍)にするとKNN膜の膜厚も約4倍の良好なエピタキシャル膜が得られた。3基板では膜厚(約5μm)が得られた。3)を有する金属基板を用いて、実施例1及び比較例1と同様の手順で、実施例18及び比較例11のKNN膜を作製した。[0172]実施例18及び比較例11で得られたKNN膜は、膜厚がそれぞれ8.5μm及び4.6μmであった。図23(a)に実施例18及び比較例11で得られたKNN膜のX線回析チャートを示す。実施例18では、膜厚は比較例11と比べて明らかに増加しているが、結晶性は比較例11と同じある。[0173]図23(a)によれば、KNN膜は、極めて僅かに{110}ピークが観察されるが、ほぼ完全な{100}配向の単相である。3膜の{100}自己配向性に基づくものである。[0174]また、上記のKNN膜の堆積を4回繰り返して膜厚約30μmのKNN膜を作製した。この膜の配向性を半値幅(FWHM)で評価すると、厚みの増加に伴って、半値幅(FWHM)が23°から14°に減少し、配向度が向上していることが確認された(配向度99.5%)。[0175]参考のために、図23(b)に実施例1及び比較例1で得られたKNN膜のX線回析チャートを示す。3基板上のKNN膜と同様である(図23(a)と図23(b)とのピークの違いは基板の差に基づくものである)。33=70pm/Vが観察された。Ta置換により圧電定数が向上した。3/Pt)を有する金属基板を用いて、実施例1と同様の手順で、実施例19のKNN膜を作製した。[0178]得られたKNN膜のX線回析結果を図24に示す。KNN膜が{111}配向していることが観測される。3が{111}配向していることは別途確認されている。3膜(以下KNNT膜ともいう。得られたKNNT膜はエピタキシャル配向結晶膜である。5)、仕込み組成比A=[KOH]/([KOH]+[NaOH]=0.9に対して、得られたKNNT配向膜のNb/(Nb+Ta)比及びK/(K+Na)比を、図25に示す。Nb/(Nb+Ta)比は0.68から1.0まで連続的に変化し、K/(K+Na)比は0.83から0.92まで連続的に変化している。3膜(以下、KNLN膜ともいう。)を作製し、エピタキシャル配向結晶膜が得られることを確認した。0.10と連続的に変化させて、得られたKNLN膜をX線回折分析した。KNLN膜はすべての組成でエピタキシャル膜であるが、Aが0.05以上になるとK、Na、Li、Nb、Oから成る異相ピークが観察された。面外格子間隔がA=0.04近傍から変化しているので、結晶構造が変化している可能性がある。SEM観察によれば、異相は四角錘及び三角柱の形状であった。[0183]全ての仕込み比Aで製造された膜は緻密であるが、Aの増加に伴い膜厚は減少した。[0184]仕込み比Aの増加(A=0からA=0.04)に伴い誘電率は350から200に低下する傾向があるが、誘電損失は広い範囲で0.3以下であった。3膜(以下、KNLNT膜ともいう。)を作製し、エピタキシャル配向結晶膜が得られることを確認した。Li/(K+Na+Li)=0.01,Nb/Ta=0.8)の圧電特性を図26に示す。33は121pm/Vであった。[0188](実施例23:自己分極)実施例1と同様にして、実施例23のKNN膜を製膜した。得られたKNN膜を用いて実施例11と同様に圧電素子(膜厚10μm)を作製し、圧電特性を評価した。