211、212と接触領域204b、205bとの間に存在する導電ボール208が圧着され、かつ電気的に接触される。IC(210)の入力端子である。(210).【0051】かつ、FPC220の出力端子222を第3パッド206の接触領域206bに整合させて圧着すれば、端子222と接触領域206bとの間に存在する導電ボール208が圧着されかつ、FPC220の出力端子222と第3パッド206は電気的に接触される。contacted.【0052】図10は本発明の一実施形態による液晶表示装置のパッド構造を示した平面図である。invention.【0053】図10を参照すれば、データラインの延長部に形成された複数の第1端子201はピッチが相当に狭いために、ジグザグ形状で配列される。204b2が位置する。IC(210)の出力端子であるバンプ211も同様で、ジグザグ形状の第2列へ配置される。第1列のバンプは第1列のパッドの接触領域に各々対応して位置し、第2列のバンプは第2列のパッドの接触領域に各々対応して位置する。row.【0054】図11は図10のD-D線断面構造を示す。pad,厚い保護膜203上で圧着されるために、隣接端子とショートされる憂慮が全くないことが分かる。short.【0055】図12は図10のE-E線断面構造を示す。204a4の表面が平坦ではないことが分かる。端子や外部回路端子と接触されるので、ミスアライメントによる接触不良を減少させることができる。misalignment.【0057】図13乃至図15を参照すれば、第2パッド205、第3パッド206はピッチが第1端子に比べて多少広いために、1列で配列される。bonding)方式に適する。1列配列方式ではパッドの長さが長くなるために、コンタクト領域と接触領域の距離が長くなって抵抗差異が発生されることができる。このような場合には、各端子ごとにパッドコンタクトホールを複数個形成することが望ましい。パッド物質としてITOやIZOなどを使用することができる。device.【0058】図13乃至図15は本発明の実施形態による1列で配列されたパッド構造の平面図である。thereon56を形成する。a.【0060】あるいは、図14に図示したように、保護膜に端子250の長さ方向へ一定に多数のパッドコンタクトホール258を一定の間隔で形成し、その上にパッド256を形成する。thereon.【0061】あるいは、図15に図示したように、保護膜に端子250の幅方向の両端に一つずつ二つの長形コンタクトホール260、262を各々形成し、その上にパッド256を形成する。図15の場合には、長形のコンタクトホール間の接触領域を十分な面積が維持されるように設計する。図15の場合には、ゲート絶縁膜下に設置されるゲート端子に対応されるパッドを形成するときに有用である。film.【0062】このように、各端子に対して複数個のパッドコンタクトホールを形成した場合には、コンタクト領域の面積が接触領域の面積に比べて大略1/3以下になるようにコンタクト領域を設定することが望ましい。各端子に対して複数のパッドコンタクトホールを形成するパッド方式は、ボンディング前に実施するフルプロビングテストをするときにプローブのミスアライメントによって発生される抵抗不均一問題を減少させることができる。テスト過程で、プローブによってパッドの一部が損傷されたり、切れる場合にも他のコンタクトによって電気的連結が維持されることができる。expires.【0063】図16は本発明による変形されたパッド構造の平面図である。270の面積に比べてパッド274の面積が少なくとも2倍以上になるように形成することもできる。2744aは接触領域274bに比べて約1/2以下にすることが望ましい。274b.【0065】図17乃至図24は本発明による液晶表示装置の製造工程を説明するための断面図及び平面図である。invention.【0066】図17及び図18は各々第1基板上にゲート電極及びゲート入力パッドを形成した状態を示す断面図及び平面図を図示したものである。(Ti)、銅(Cu)又はタングステン(W)などのようなメタルを蒸着させた後、蒸着されたメタルをパターニングして第1基板400の幅方向に沿って所定の間隔に配列されるゲートライン415、ゲートライン415から分岐されるゲート電極405そして、第1基板400の外郭まで延長されるゲート入力端子410を形成する。400.この時、ゲート入力端子410はパッドコンタクトホールを形成するとき、ミスアライメントを考慮してゲート電極405及びゲートライン415に比べて広い面積を有するように形成される。(AL-Si-Cu)のような合金を使用して形成されることもできる。as.【0069】図19及び図20は各々データライン及びデータ入力端子を形成した状態を示す断面図及び平面図を図示したものである。)膜をプラズマ化学気相蒸着方法により積層した次に、積層された室化シリコン膜をパターニングしてゲート絶縁膜420を形成する。+アモルファスシリコン膜をプラズマ化学気相蒸着方法により順次に積層する。次に、導電性物質から成る半導体層上にアルミニウム、モリブデン(Mo)、クロム(Cr)、タンタル(Ta)、チタニウム(Ti)、銅(Cu)又はタングステン(W)などのようなメタルから成るメタル層を蒸着する。+アモルファスシリコン膜をパターニングしてゲート絶縁膜420のうちの下にゲート電極405が位置した部分の上部には、半導体層430及びオーミックコンタクト層435を形成し、メタル層をパターニングして、ゲートライン420に直交するデータライン460、データライン460から分岐されるソース電極440とドレーン電極445そして、データライン460の一側のデータ入力端子450を形成する。435,ソース電極440及びドレーン電極445を含む薄膜(TFT)トランジスター455が完成され、第1基板400の外郭部にはゲート入力端子410とデータ入力端子450が形成される。この場合、データラインとゲートラインとの間にはゲート絶縁膜420が挿入されてデータラインとゲートラインとの間に電気的な短絡が起こすことを防止する。line.【0073】図21は第1基板400上に保護膜である有機絶縁膜を形成した状態を示す断面図を図示したものである。formed0及び第1基板400外郭部のパッド領域480の全面に感光性有機レジスト(resist)をスピンコーティング方法で約3〜4μm程度の厚さで塗布して有機絶縁膜465を形成する。おいて、反射電極に凹凸構造を形成するためにまず、有機絶縁膜を露光及び現像して有機絶縁膜に凹凸構造を形成した次、凹凸構造が形成された有機絶縁膜の上部に反射電極を積層することで、反射電極が凹凸構造を有するようにする。このように、有機絶縁膜に凹凸構造を形成する工程としては、二重膜をフル(full)露光する方法と単一膜を部分露光又はスリット(slit)露光する方法がある。́線とG-G線に沿って切断して有機絶縁膜を形成する工程を説明するための断面図である。450,41076を形成する。lens)である多数の凹凸構造505を形成する。formedの内部及びパッド領域480にアルミニウム、ニッケル、クロム又は銀(Ag)などの反射率が優れるメタルを蒸着した後、蒸着されたメタルを所定の画素形状及びパッド形状によりパターニングして、反射電極510及びパッド512を形成する。従って、第1基板400の素子形成領域470に形成された反射電極510には有機絶縁膜465の形状に沿って多数の凹凸構造505が形成される。この時、データ入力端子450及びゲート入力端子410上にはパッド512が形成される。512bを含むように形成する。接触領域512bは有機絶縁膜465上の平坦な面に形成されて、その表面が平坦に形成される。flat.【0080】図25は本実施形態によって最終的に形成された液晶表示装置の断面図である。320、位相差板325及び偏光板330などを具備する第2基板305を第1基板400上に配置する。モジュールを完成することになる。module.【0083】以上、本発明の実施例によって詳細に説明したが、本発明はこれに限定されず、本発明が属する技術分野において通常の知識を有するものであれば本発明の思想と精神を離れることなく、本発明を修正または変更できるであろう。[0084]【発明の効果】上述したように、本発明ではパッドを厚い保護膜上に長さ方向に長く形成し、コンタクト領域の2倍以上の面積を有するように形成して、コンタクト領域以外の平坦な領域を外部回路端子と接触するための接触領域に提供することにより、接触される外部回路端子とパッドのミスアライメントが大きく発生しても良好な接触特性を維持することができる。パッドがジグザグ型の2列で配列されても隣接パッドとショートされる現象が発生されない。従来の液晶表示装置の製造方法を説明するための断面図である。従来の液晶表示装置の製造方法を説明するための断面図である。従来の液晶表示装置の製造方法を説明するための断面図である。従来の各端子別コンタクト開放によってコンタクト段差を有するパッド構造の平面図とバンプ圧着連結ときの断面図である。従来の各端子別コンタクト開放によってコンタクト段差を有するパッド構造の平面図とバンプ圧着連結ときの断面図である。従来の端子が一括開放によって平坦なパッド構造の平面図とバンプ圧着連結ときの断面図である。従来の端子が一括開放によって平坦なパッド構造の平面図とバンプ圧着連結ときの断面図である。本発明の一実施形態によるデータCOG実装液晶表示装置の平面図である。図8のC-C線断面図であり、液晶表示装置の製造方法を示すための断面概略図である。本発明の一実施形態によるジグザグで配列されたパッド構造を示した平面図である。図10のD-D線断面図である。図10のE-E線断面図である。本発明の実施形態による1列で配列されたパッド構造の平面図である。本発明の実施形態による1列で配列されたパッド構造の平面図である。本発明の実施形態による1列で配列されたパッド構造の平面図である。本発明の異なる実施形態による変形されたパッド構造の平面図である。本発明の一実施形態による液晶表示装置の製造方法を示した工程順序図である。本発明の一実施形態による液晶表示装置の製造方法を示した工程順序図である。本発明の一実施形態による液晶表示装置の製造方法を示した工程順序図である。本発明の一実施形態による液晶表示装置の製造方法を示した工程順序図である。本発明の一実施形態による液晶表示装置の製造方法を示した工程順序図である。本発明の一実施形態による液晶表示装置の製造方法を示した工程順序図である。本発明の一実施形態による液晶表示装置の製造方法を示した工程順序図である。本発明の一実施形態による液晶表示装置の製造方法を示した工程順序図である。本発明の一実施形態による液晶表示装置の製造方法を示した工程順序図である。first端子各々にオーバーラップされるように前記保護膜上に形成され、前記コンタクトホールを通じて前記各第1端子に電気的に連結され、実質的に前記コンタクト領域以外の領域で外部回路と電気的に連結される複数の第1パッドとを具備することを特徴とする液晶表示装置。前記保護膜の厚さは0.5μm以上であることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。zigzag列で配列されたことを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。前記複数の第1端子のうち、内側に位置した第1列の各端子には内側に前記コンタクト領域が位置し、外側に位置した第2列の各端子には外側に前記コンタクト領域が位置することを特徴とする請求項3に記載の液晶表示装置。前記複数の第1パッドの前記コンタクト領域以外の領域で、出力端子がバンプボンディング方式により各々ボンディングされる少なくとも一つ以上の集積回路素子をさらに含むことを特徴とする請求項4に記載の液晶表示装置。入力端子がバンプボンディング方式で各々ボンディングされることを特徴とする請求項5に記載の液晶表示装置。端子が各々ボンディングされることを特徴とする請求項6に記載の液晶表示装置。前記複数の第2パッドは前記保護膜の下方に形成された複数の第2端子と各々少なくとも一つ以上のコンタクトホールを通じて互いに対応して電気的に連結されることを特徴とする請求項6に記載の液晶表示装置。前記第2端子各々で少なくとも一つ以上のコンタクト領域の総面積は少なくとも各端子の総面積の1/3以下であることを特徴とする請求項8に記載の液晶表示装置。前記第2端子は、各々長さ方向の両端にコンタクト領域が配置されることを特徴とする請求項9に記載の液晶表示装置。前記第2端子は各々長さ方向により一定間隔で配列された複数のコンタクト領域が配置されることを特徴とする請求項9に記載の液晶表示装置。前記第2端子は、各々幅方向の両端に長さ方向に長形のコンタクト領域が配置されることを特徴とする請求項9に記載の液晶表示装置。前記第1パッドは1列で配列され、各パッドのコンタクト領域以外の領域でTCP、COF又はFPCの端子が各々ボンディングされることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。前記各パッドは前記平坦な接触領域で異方性導電樹脂を通じて、外部回路端子と圧着によって電気的に接触されることを特徴とする液晶表示装置。前記ゲートパッドは各々ゲートラインとコンタクトされるコンタクト領域より広い面積を有し、前記コンタクト領域を除外した領域で前記ゲート駆動集積回路チップの端子と各々ボンディングされるこを特徴とする液晶表示装置。端子部をボンディングする段階を具備することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。前記保護層上に形成された画素電極はITO又はIZOにより構成された透明電極であることを特徴とする請求項17に記載の液晶表示装置の製造方法。前記保護層はその表面が不規則な凹凸部を具備し、前記画素電極はアルミニウム、アルミニウム合金、銀及び銀合金により構成された群から選択された反射性メタルから成ることを特徴とする請求項17に記載の液晶表示装置の製造方法。TCP、COF又はCOG方法によって実施することを特徴とする請求項17に記載の液晶表示装置の製造方法。