[0091]架橋反応の観点から、一般式(1C)中、p1は、1の整数であることが好ましい。18が単結合であり、p1が1である場合、一般式(1C)で表される基は、(メタ)アクリロイル基である。架橋反応の観点から、一般式(1C)で表される基は、(メタ)アクリロイル基を少なくとも含むことが好ましい。[0093]以下に、一般式(1C)で表される基の一例を示す。一般式(1C)で表される基はこれらにより何ら限定されるものではない。下記一般式(1C-1)~(1C-8)中、**は、結合位置を表す。1Cが水素原子であり、p1が2である。2)のCOに結合する炭素原子と結合する部分を表す。1Dは、直鎖又は分岐鎖の炭素数1~18のアルキレン基を表し、p1及び**は、前記一般式(1C)におけるp1及び**と同義である。13で表されるアルキレン基と同様のものが挙げられる。1Dで表される直鎖若しくは分岐鎖の炭素数1~18のアルキレン基としては、直鎖若しくは分岐鎖の炭素数3~18のアルキレン基であることが好ましく、直鎖の炭素数3~18のアルキレン基であることがより好ましく、直鎖の炭素数6~12のアルキレン基であることが更に好ましい。[0102]架橋反応の観点から、一般式(2C)中、p1は、1の整数であることが好ましい。[0103]以下に、一般式(2C)で表される基の一例を示す。一般式(2C)で表される基はこれらにより何ら限定されるものではない。下記一般式(2C-1)~(2C-4)中、**は、結合位置を表す。13で表される不飽和二重結合を有する基が、一般式(1C)で表される基である場合、架橋構造を形成しやすく、かつ、ゴム弾性により優れる液晶フィルムが得られる観点から、一般式(1C)で表される基としては、一般式(1C-1)、(1C-3)、(1C-5)又は(1C-6)であることが好ましく、一般式(1C-1)又は(1C-3)で表される基がより好ましく、一般式(1C-3)で表される基であることが更に好ましい。13で表される不飽和二重結合を有する基が、一般式(2C)で表される基である場合、架橋構造を形成しやすく、かつ、ゴム弾性により優れる液晶フィルムが得られる観点から、一般式(2C)で表される基としては一般式(2C-1)、(2C-2)又は(2C-3)であることが好ましく、一般式(2C-1)で表される基であることがより好ましい。13で表される不飽和二重結合を有する基が、一般式(2C)及び一般式(1C)の少なくとも一方で表される基である場合、架橋構造を形成しやすく、かつ、ゴム弾性により優れる液晶フィルムが得られる観点から、一般式(2C)及び一般式(1C)の少なくとも一方で表される基としては、一般式(1C-1)又は一般式(2C-1)で表される基であることが好ましい。[0108]特定セルロース誘導体は、下記関係式(I)を満たす。13と同義であり、好ましい範囲も同様である。13の位置に導入された「不飽和二重結合を有する基」の平均個数を意味する。13で表される不飽和二重結合を有する基の個数/(3*n11)」を「一般式(1A)で表される構成単位あたりの不飽和二重結合を有する基の置換度」と称する場合がある。13の位置に導入された「疎水性基」の平均個数である。以下、「一般式(1A)で表される構成単位あたりの疎水性基の置換度」と称する場合がある。[0112]特定セルロース誘導体において、不飽和二重結合を有する基であり、かつ、疎水性基にも該当する基の場合、かかる基は「不飽和二重結合を有する基」とみなす。[0113]一般式(1A)で表される構成単位あたりの不飽和二重結合を有する基の置換度が、0.01以上であると、架橋反応によってゴム弾性を有する三次元構造を形成することができる。一般式(1A)で表される構成単位あたりの不飽和二重結合を有する基の置換度が、構成単位あたり1.0以下であると、架橋点が多くなりすぎず、架橋反応により形成された三次元構造がゴム弾性を発現することができる。[0114]優れたゴム弾性を発揮する観点から、一般式(1A)で表される構成単位あたりの不飽和二重結合を有する基の置換度としては、0.01以上0.8以下であることが好ましく、0.02以上0.15以下であることがより好ましい。1-NMRにより、各置換基が有する特徴的なプロトンピークの積分値から算出される。1-NMRスペクトルに基づき、後述する実施例に示すように、不飽和二重結合を有する基に由来するプロトンピーク;疎水性基に由来するプロトンピーク;セルロース骨格由来のプロトンピーク(例えば、β-グルコースに由来する構成単位にあるプロトンピーク等);セルロース骨格がヒドロキシプロピルセルロース(HPC)の場合、HPC由来のプロトンピーク鎖中のヒドロキシプロピル基が有するメチン基のプロトンピーク;等の積分値に基づき算出される。構成単位あたりの水酸基の平均個数は、上記方法で算出された不飽和二重結合を有する基の数及び疎水性基の数を、3から減ずることで算出される。:BRUKER製:ULTRASHIELD400PLUS(型番)周波数:400MHz[0118](重量平均分子量)特定セルロース誘導体の重量平均分子量(Mw)は、架橋によって適度な弾性を有する液晶フィルムを得る観点から、好ましくは2万以上20万以下、より好ましくは2万以上10万以下、更に好ましくは3万以上5万以下である。[0119]セルロース誘導体の重量平均分子量(Mw)は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー法(GPC)(ポリスチレン標準)により算出される。詳細には、以下の測定条件で得られた測定結果からポリスチレン標準試料により作成した分子量校正曲線を使用して算出される。:40°C[0121]以下に、特定セルロース誘導体の具体例(1-1)~(1-14)を示す。特定セルロース誘導体は以下の具体例により何ら限定されるものではない。3)-であり、m1が2であり、t1が2であり、r1が0である場合の例である。上記例以外の具体例としては、m1、t1、及びr1を、それぞれ独立に0以上10以下に置き換えた分子構造が挙げられる。2-であり、m1が2であり、t1が2であり、r1が0である場合の例である。上記例以外の具体例としては、m1、t1、及びr1を、それぞれ独立に0以上10以下に置き換えた分子構造が挙げられる。[0128]一般式(1A)で表される特定セルロース誘導体について、不飽和二重結合を有する基は、ウレタン結合を有する2価の連結基と、(メタ)アクリロイル基とを含むことが好ましい。これにより、特定セルロース誘導体及びこの特定セルロース誘導体を含むリオトロピック液晶フィルムに柔軟性を付与することができるため、延伸特性に優れる。[0129]不飽和二重結合を有する基は、特定セルロース誘導体における柔軟性及び延伸特性の観点から、下記一般式(I)で表される構造であることが好ましい。3は、水素原子又はメチル基を示し、*は結合部位を示す。2は、それぞれ独立にエチレン基、n-プロピレン基、イソプロピレン基、n-ブチレン基、イソブチレン基、n-ペンチレン基、イソペンチレン基、n-ヘキシレン基、イソヘキシレン基等が挙げられる。2はn-ブチレン基であってもよい。[0133]特定セルロース誘導体の含有量としては、液晶材料全質量に対して、70質量%以上99質量%以下であることが好ましく、75質量%以上95質量%以下であることがより好ましく、80質量%以上90質量%以下であることが更に好ましい。特定セルロース誘導体の含有量が70質量%以上99質量%以下であると、機械的圧力を加えた際に伴う反射ピークのシフトが増大する傾向がある。[0134](特定セルロース誘導体の合成方法)特定セルロース誘導体の合成方法の一例として、一般式(1A)で表される分子構造を有するヒドロキシプロピルセルロース誘導体を合成する方法について説明する。本実施形態のセルロース誘導体の合成方法については、これに限定されない。[0135]出発物質としてヒドロキシプロピルセルロース(HPC)を溶媒に溶解してHPC溶液を調製する。