炭化ケイ素(SiC)のcrytsalsに独特で物理的な、電子特性があります。炭化ケイ素の基づいた装置は短波の光電子工学のために、高温、放射の抵抗力があるapplciations使用されました。SiCとなされる強力な、高周波電子デバイスはSiおよびGaAsによって基づく装置より優秀です。SiCの基質のある普及した適用は次あります。高温装置SiCに高い熱伝導性があるので、SiCは熱を他の半導体材料より急速に散らします。これはSiC装置が非常に高い発電のレベルで作動することを可能にし、まだ装置から発生する多量の余分な熱を散らします。高周波力装置SiCベースのマイクロウェーブ電子工学は無線コミュニケーションおよびレーダーのために使用されます。xNおよびSiCの基質またはサファイアの基質のInyGa1-yNのエピタキシアル層。SiCの型板のガリウム窒化物のエピタクシーが青い発光ダイオード(青いLED)およびおよびほぼ太陽盲目の紫外線フォトディテクターを製造するのに使用されています光電子工学装置SiCによって基づく装置はIII窒化物のエピタキシアル層の低い格子不適当な組み合わせを備えています。それらに高い熱伝導性があり、燃焼プロセスの監視と各種各様の紫外線検出のために使用することができます。SiCベースの半導体デバイスは高温、高い発電および高い放射の状態のような非常に敵の環境の下で、働くことができます。高い飽和漂流速度の高い熱伝導性SiCはダイオード、力のtransitorsおよび高い発電マイクロウェーブ装置のような非常に高圧および強力な装置の製作のために使用されます。慣習的なSi装置と比較されて、SiCベースの力装置により速い切り替え速度のより高い電圧、小型より低い寄生抵抗が高温機能がより少なく冷却の必須の原因であります。SiCにSiC装置がGaAsかSiより高い発電密度で論理上作動できるGaAsまたはSiの意味より高い熱伝導性があります。高い発電が主好ましい装置特徴のとき広いbandgapと結合されるより高い熱伝導性および高く重大な分野はSiCの半導体に利点を与えます。現在炭化ケイ素(SiC)は高い発電MMICのために広く利用されています適用。ルームの環境で包まれるまたは窒素の大気の下の単一のウエファーの容器。映像FAQ:Q:船積みおよび費用の方法は何ですか。Express、EMS等を受け入れます。(2)あなた自身の明白な記述があれば、大きいです。なかったら、私達はそれらを出荷するのを助けることができます。貨物は実際の解決に従ってあります。A:100%T/T、Paypal、安全な支払および保証の支払。Q:あなたのMOQは何ですか。A:(1)目録のための、MOQは2pcsです。(2)カスタマイズされたプロダクトのための、MOQは25pcsです。