GaNのウエファーGaNの特徴について導入して下さい高速の、高温および高いパワー処理の機能のための高まる需要は作りました半導体工業は半導体として使用される材料の選択を再考します。さまざまでより速く、より小さい計算装置が起こると同時に、ケイ素の使用はムーアの法律を支えることを困難にしています。エレクトロニクス、従ってGaNの半導体ウエハーで必要性のために育てられます。独特な特徴(高い最高の現在、高い絶縁破壊電圧および高い転換の頻度が)の原因、ガリウム窒化物GaN未来のエネルギー問題を解決する選択の独特な材料はです。GaNはシステムを持っていて高い発電の効率を基づかせていて、従って従って減少の電源切れはより高い頻度で、転換しま、サイズおよび重量を減らします。GaNの技術は産業の、消費者およびサーバー電源、太陽の、ACドライブおよびUPSインバーターおよび雑種および電気自動車のような多数の強力な適用で使用されます。ルームの環境で包まれる。半導体レーザー:すみれ色LD、超小さいプロジェクターのための緑LD。■の使用法MOCVD等によるエピタキシアル成長のための基質。