materialDescription近年、デジタルカメラ、携帯情報端末(PDA)、スマートフォン、デジタルオーディオ及びビデオレコーダのような、いわゆるコンシューマ電子装置は、着脱式データ記憶コンポーネントに対する力強い市場需要を牽引している。電子機器業界は、一般的に「メモリカード」として公知である製品でこの需要に応えてきた。メモリカードは、通常、様々な製造業者からの異なる装置と共に使用することを可能にする寸法を有する業界標準ハウジング内に1つ又はそれよりも多くの半導体メモリチップを収容している。メモリカードは、一般的に、コンシューマ電子装置の回路への電気接続を可能にするコネクタを外面上に有する。メモリカードの種類の例としては、「PCカード」、「「MultiMedia」カード」、「CompactFlashカード」、及び「セキュアデジタルカード」がある。これらの装置は、「パーソナルコンピュータメモリカード国際協会(PCMCIA)」及び「「MultiMedia」カード協会(MMCA)」のような事業者団体によって制定された規格に従って製造されている。図示のMMCは、32mm長、24mm幅、1.4mm厚という標準化された寸法を有し、一般的に、メモリの2及び256メガバイト(MB)の間のメモリ容量を含み、これは、例えば、標準的なシリアルポートインタフェース(SPI)のインタフェースを使用してMMCの底面に位置する7つの接点11を通じてアクセスされる。MMCの1つのコーナの単純な面取り部12により、ホスト装置内のコネクタへの間違ったMMCの挿入が防止される。図1から図3に示す例示的な従来技術のMMCは、プリント回路基板(PCB)のような矩形基板13と、例えば、それぞれ、粘着層15と従来のワイヤボンド16とを用いてプリント回路基板上に装着されかつそれに電気接続した1つ又はそれよりも多くの半導体メモリダイ14又は「チップ」とを含む。表面装着受動コンポーネント、例えば、抵抗器も、基板13上に装着してかつそれに接続することができる。接点11は、基板13を通じて上述のコンポーネントによって形成されたメモリ回路に接続され、カード10の入出力端子の役目をする。コンポーネントが基板13に装着され、かつそれに接続した時、従来技術の方法は、チップ14が「グロブ−トッピング」処理によって保護的に封入される段階を含んでいた。この段階は、その後の段階で発生するであろう熱可塑性材料の高圧、高温注入のために必要であった。高圧注入及び高温により、マイクロチップ及び他の小形電子コンポーネント、特に、ワイヤボンドが損傷する可能性がある。グロブ−トッピング段階においては、粘性封入剤の小滴が、チップ上面上に分配され、チップ側面の上を基板表面まで自然に流される。封入剤は、硬化して、チップを覆う保護外被18を形成する。薄いシートメタル又はプラスチックの外部カバー又はハウジング19(図1では点線による輪郭で示す)は、基板13アセンブリを覆って、アセンブリの上面をハウジング19に収容された接着剤のベッドに埋め込むことによって設置される。従来技術のメモリカード製造方法は、メモリカードの内側に電子コンポーネント、モジュール、又はアセンブリを適正に位置決めして固定することに大いに関係がある。この問題は、電子コンポーネントが適正に固定されなかった場合、それらがカード形成空洞内に熱可塑性材料を注入中にランダムな位置に移動することによるものである。これは、従来技術の処理では、かなり高い圧力の影響を受けて注入が行われるために特に問題である。電子コンポーネントを所定の位置に保持するための堅く鋭利に形成された本体を有する比較的大きな機械式保持装置の使用が含まれる。このような保持装置の使用により、メモリカード内での電子コンポーネントの位置決め選択肢が制限される可能性がある。位置決めに関する制限により、このようなメモリカード内に設置することができる電子コンポーネントの小型化又は少数化が行われる場合がある。この制限は、次に、MMCに入れることができるメモリ量を制限する。このようなカードの他の要素の膨張係数に対する上述の比較的大きな保持装置の製造に使用される材料の膨張係数の差異のために、このような電子コンポーネント保持装置を収容するカード完成品の外面上に変形が現れることが多い。表面の変形は、カード本体がその製造中に異なる温度及び圧力を受けるために、このような保持部材が単にカード本体に存在することから生じる可能性がある。このような変形は、良くても不体裁であり、最悪の場合には、それらは、ある一定のカード読取機械においてカード受け容器にカードが完全に平坦に置かれることを妨げる場合がある。接着剤を使用して電子コンポーネントをカード形成空洞に確実に位置決めすることによってこの問題に対処している。電子コンポーネント固定に接着剤を使用すると、別の組の問題が発生する。これらの問題は、このような電子コンポーネントを所定の位置に固定するのに使用される殆どの市販の高速硬化接着剤が多くの場合に高度の収縮によって特徴付けられることによるものである。電子コンポーネントを固定するには、比較的多量の接着剤が必要である。高収縮接着剤が比較的多量に使用されると、このような接着剤が付加されているプラスチックシート又は層の領域に皺が発生し、そうでなければ変形する傾向がある。この皺発生は、メモリカードの薄い本体を通して伝達し、カード外面に局所的な波状の特徴を取らせる可能性がある。ある一定の公差を超えると、これらの波状の曲げは、変形したメモリカードが、ある一定の装置で作動不能になることになるので、メモリカード業界では容認できないものである。伴う従来技術工程で生成されるという点である。高圧高温注入した材料によってカードの電子コンポーネントに応力が発生するか又は損傷する場合があるということに加えて、型内で硬化して冷却するのに比較的長時間も掛かる。エポキシ樹脂は、注入後にメモリカードの電子コンポーネントを損傷する可能性がある化学反応を受ける。必要とされるのは、急速な硬化時間及び急速な製造サイクル時間により、かつメモリカード電子機器を損傷する可能性がある内部保持手段を使用することなく、メモリダイアセンブリのための「グロブ−トップ」を設けることを必要としないメモリカードを生成する方法である。従って、本発明の目的は、確実に封入された「集積回路」及び/又は他の電子機器(例えば、抵抗器)を収容する約0.76mm(従来のクレジットカードの厚み)から約5.0mmまでの範囲にある厚みと、最先端のグラフィックを印刷することができる高品質外面とを有する「メモリカード」又は同様の装置を提供することである。「メモリカード」の底面は、他の装置との電子通信のための外部接点を含まなければならない。本発明の目的は、電子機器を「グロブ−トッピング」する必要性を除外するために、低圧低温処理を用いて電子機器をメモリカードに確実に封入することである。グロブ−トッピング工程を排除すると、メモリカード処理において時間が節約され、かつ付加的なメモリ又は他の電子コンポーネントのためのメモリカードの内側の貴重な空間が更に得られることになる。本発明の目的は、製造効率を改善する低温処理で製造サイクル時間を短縮することである。低温処理により、より少ないエネルギでメモリカードを製造することができ、かつ製造サイクル時間を大幅に短縮することができ、その結果、製造出力が改善する。本発明の上記及び他の目的は、多層「メモリカード」に、「Teslin(登録商標)」又は他の合成紙又は適切な材料(例えば、PVC、PC)のような材料の外層と、「集積回路」(例えば、「MultiMedia」カードダイアセンブリ)を確実に封入し、かつ「Teslin(登録商標)」又は他の適切な材料の外側層に確実に接合する注入ポリマー材料のコア層とを設けることによって達成される。装置の下部層よりも上方に電子コンポーネントを載置するために低収縮接着剤を使用すると、注入ポリマー材料による電子機器の均一な流れ及び完全な封入が容易になる。装置の下部層上に低収縮接着剤盛り部を位置決めすると、約0.1から0.15mmの空隙空間が作成かつ維持され、注入ポリマーにこの空隙空間を埋めさせ、かつ下部層の上面と上部層の底面を覆わせ、空隙又は窪みがなく、かつ電子機器よりも下方又は上方にある空隙空間内にポリマー材料が均一かつ完全に分配される。代替的に、電子コンポーネントは、下部層を使用することなく、直接に下部型上に置くことができる。このようにして、電子コンポーネントの下部は、装置の底面を含む。「Teslin(登録商標)」、PVC、又は他の適切な材料のインレーシート設計の目的は、シート当たりに複数のインレーを用いて電子コンポーネントであるインレーの製造を可能にすることである。図6は、インレーの16x10アレイ(合計160枚の「メモリカード」)を示している。インレーは、単一の連続シート上に生成され、これは、次に、「メモリカード」周囲を注入ポリマーによって覆わせる形態に機械工具によって切断される。図4(a)と図4(b)は、「メモリカード」を製造する従来技術の方法に関わる問題を示している。図4(a)は、切取り断面図において、上面41と底面42とを有するプラスチック材料40(例えば、ポリ塩化ビニル、ポリウレタン)のシート又は層を示している。このようなシートは、一般的に、約0.075mmから約0.25mmまでの範囲にある厚み43を有することになる。液体又は半液体の高収縮接着剤44の盛り部、液滴、又は少量が、図4(a)に示すプラスチックシート40の上面41上に既に分配されているのが示されている。図4(a)に示す既に分配された接着剤44の盛り部は、初期幅W1を有するように示されている。図4(b)は、図4(b)に示す接着剤44の盛り部を硬化接着剤44’のより小さな盛り部に硬化させた結果を(誇張された形で)示している。図4(b)に示す硬化接着剤44’の盛り部の幅W2は、図4(b)の新しい静置された液体又は半液体接着剤44の盛り部の幅W1をかなり下回る。簡潔さを期すために、新たに分配された高収縮接着剤の盛り部の元の幅W1からW2への減少又は収縮(すなわち、ΔW)は、図4(B)においては、硬化接着剤44’の盛り部の左側に寸法「1/2ΔW」、硬化接着剤44’の上述の盛り部の右側に対応する「1/2ΔW」によって表されている。このような硬化は、接着剤44の元の盛り部の容積の減少によって示されている。容積のこの減少は、多くの高収縮接着剤においては、20%から30%ほどの多さとすることができる。「低収縮」接着剤の概念は、新たに静置された状態の硬化接着剤の容積に対するその接着剤の容積によって説明することができる。高収縮接着剤に付随する硬化処理のために、図4(a)に示す接着剤44の盛り部は、初期幅W1(接着剤盛り部は、半液体又は粘り状態である)を有すると考えることができる初期サイズから最終幅W2(硬化接着剤44’は、実質的に固体状態である)に収縮し、しかも、この大幅な収縮(例えば、約15%をよりも大きく、20%から30%にもなることが多い)のために、プラスチック材料の層又はシートの上面41は、「皺状態になる」か又はそうでなければ変形し、例えば、図4(b)においては、皺45になる。このような変形作用により、プラスチック材料40の比較的薄い層(例えば、0.075mm厚から0.25mm厚)内に力が生じる。これらの力は、プラスチック材料40のその層の底面42に伝達される。これらの伝達された力により、プラスチック層40の底面42に変形46(曲線、曲り、波状、波紋、皺など)が発生する。平坦な滑らかな面からのあらゆるこのような逸脱は、「メモリカード」業界によって非常に望ましくない変形と見なされ、従って、極力、最小にしなければならない。このような波状、曲り、皺、又は他の不完全状態のない「メモリカード」表面の達成は、本特許の開示の方法の主な目的の1つである。図5は、本特許の開示の教示に従って製造された「メモリカード」50の切取り側面図を示している。)内に組み込まれた中心又はコア層53とから構成されることになる。最終的に「メモリカード」50のコア層53になる熱硬化性ポリマー材料57は、上部層51と下部層52の間の空隙空間内に注入される。空隙空間は、高さ58を有し、かつカードの一方の側から他方の側に延びる。本明細書で上述したように、「メモリカード」を製造する従来技術の方法は、化学反応して固化し、「メモリカード」の本体を形成するエポキシ樹脂の注入を備えたものであった。これらの反応は、マイクロプロセッサのような影響を受けやすい電子コンポーネントに潜在的に危険なものである。高圧注入を備えた従来技術によるものであった。従来技術の方法の高圧又は高温も、電子コンポーネントには危険なものであり、この理由で、電子コンポーネントを保護するための「グロブ−トッピング」が、従来技術の方法を用いた時の一般的な慣行である。共に使用することはできないであろう。高圧注入を用いた時に必要とされる長い硬化及び冷却時間により、装置を生成する工程が時間を消費するものになる。注入されることにより、有意な利点を提供する。いずれの場合でも、このような熱硬化性ポリマー材料は、注入されると、上部層51内面59と下部層52内面60の間に形成された空隙空間58を埋めることになる。硬化すると、コア層53のポリマー材料57は、上部層51内面59と下部層52内面60の両方に接合するか、又はそうでなければ接着して統合「メモリカード」本体を生成するはずである。このような接着は、上部層及び下部層の内面59及び60をいくつかの方法のいずれか1つで処理することによって助けることができる。上部及び下部層が生成される材料(例えば、Teslin、PVC)の間の接合を高めることができる。RTM」は、特に、上部層又は下部層の材料がPVCである時にこの接合を高める目的で使用することができる。上部層及び/又は下部層の内面に適用することができる他の処理としては、プラズマコロナ処理及び酸エッチングを含むことができる。「メモリカード」の厚み61は、本特許の開示の低温低圧形成工程の一部として熱硬化性材料が空隙空間58内に注入される時の型面(図5では図示せず)の設置によって形成される。実際には、上部及び下部層の間の空隙空間58への熱硬化性材料の注入により、そうでなければ電子コンポーネントにより又は電子コンポーネントが設けられた低収縮接着剤62盛り部によって占有されないその空隙空間58のあらゆる部分が満たされる。次に、「メモリカード」の電子コンポーネント(例えば、「MultiMedia」ダイアセンブリ基板55、「メモリ」チップ54など)は、本出願人の低収縮接着剤62の1つ又はそれよりも多くの液滴又は少量を用いて下部層52の内面60より上方に位置決めされることが好ましいことに注意すべきである。本明細書で上述したように、「メモリカード」を製造する従来技術の方法は、接着剤を採用して「メモリカード」の電子コンポーネントを載置するものではなかった。両方とも接着剤を損傷すると考えられることによるものである。注入を備えたものであるために、電子コンポーネントは、「グロブ−トッピング」されなければならず、従って、電子機器を載置することは不要である。本出願人の方法においては、電子コンポーネントは、流れ込む液体又は半液体ポリマー材料がこのような電子コンポーネントの下に流れ、並びに上から及び側面からこれらのコンポーネントを浸漬させるように、図5で全体的に提案するように、2つ又はそれよりも多くの接着剤62のような盛り部上に設置することが最も好ましい。本発明のより好ましい実施形態では、接着剤62盛り部は、電子コンポーネントの下側が下部層52上面60に直接に接触せず、流れ込む熱可塑性材料57内に浸漬されるように電子コンポーネントが設けられる1つ又はそれよりも多くの「台」の役目をすることになる。この設計により、これらの電子コンポーネントは、主要外面のいずれか又は4つの外側縁面のいずれかで「メモリカード」が受ける場合があるあらゆる屈曲及び/又は捩れ力に更に良く抵抗することができる。本発明のより好ましい一部の実施形態においては、これらの電子コンポーネント(例えば、メモリチップ54)は、下部層52の内面60より上方に約0.075mmから約0.13mmの距離63を隔てて接着剤によって位置決めされることになる。図6と図7は、「メモリカード」と同様の装置を生成する本出願人の方法の第1の好ましい実施形態を示すために対照させたものである。図6は、本発明の特に好ましい実施形態を示すものであり、本特許の開示の教示に従って低温低圧形成される前の「Teslin(登録商標)」のような合成紙又はPVCのようなプラスチック材料51の平坦な上部層又はシート51を示している。換言すると、図6は、ポリマー材料の注入直前の金型設定を示すものであり、上部型64「メモリカード」形成空洞に初期に設けられている平坦な上部層51(例えば、PVCの平坦なシート)を示し、かつ下部型65を覆うように設けられた時の下部層52(例えば、PVCの別の平坦なシート)を示している。ここでもまた、好適性は劣るがそれでも実行可能である本出願人の方法の一部の実施形態では、上部層51は、上部型64の「メモリカード」形成空洞の全体的な輪郭に沿って予備成形するか、又は好ましくは少なくとも部分的に予備成形することができる。比較すると、下部型65には、上部型64の空洞に比する空洞がない。図7は、上部層51と下部層52の間の空隙空間内に熱硬化性ポリマー材料57を注入する影響を示している。従って、図7は、上部型64内の「メモリカード」形成空洞66内に熱硬化性ポリマー材料が注入された後の上部層51を示している。熱硬化性ポリマー材料57を注入するノズル67は、上部層51内面59と下部層52内面60の間に形成された空隙空間に至るオリフィス68に挿入されるように示されている。上部層51上面69と下部層52底面70の間の距離は、距離78によって示されている。空隙空間は、オリフィス68から並列の上部層51と下部層52の反対端まで延びるように示されている。換言すると、図6においては、上部層51の外面69の一部は、依然として上部型64の「メモリカード」形成空洞66の内面72には接触していない。これとは対照的に、下部層52の外面70は、下部型65の内面74と当接して実質的に平坦に接触しているように示されている。図6と図7の両方においては、「メモリカード」の電子コンポーネント(例えば、基板55、メモリチップ54など)は、下部層52の内面60より上方に位置決めされているように示されている。一例としてのみであるが、このような電子コンポーネントは、本出願人の低収縮接着剤を滴下してできた2つの台の上に置いた状態で示してある。これらの接着剤の台は、流れ込む熱硬化性ポリマー材料57が、電子コンポーネントより上方の領域だけでなく、電子コンポーネントの下方の領域75にも流れ込むように、下部層52の内面60より上方に十分に離れて(例えば、約0.075mmから約0.13mm)電子コンポーネントを保持する。ここでもまた、このような接着剤台構成は、電子コンポーネントの下にある熱硬化性ポリマー材料の存在が、外面(すなわち、「メモリカード」の下部層外面及び/又は上面の外側)によって受け止められる場合がある力又は衝撃に対してこのような電子コンポーネントの保護を増大する傾向があるために好ましいものである。図6においては、上部型64は、注入時に形成される「メモリカード」の上部の表面輪郭を形成する空洞66を有するように示めされている。このために、液体又は半液体熱硬化性ポリマー材料57の注入は、上部層51が、上部型64の空洞66内に低温低圧形成されるような圧力及び温度条件下であるべきである。図7は、本特許の開示の本発明の低温低圧形成処理により、上部層51の上面69が、上部型64の「メモリカード」形成空洞の構成に実際に適合する方法を示している。ここでもまた、下部層52の底面70は、図7においては、下部型65の実質的に平坦な内面74に対して成形されるように示されている。これは、特に、本特許の開示の「メモリカード」を製造する好ましい配置である。図6と図7においては、上部型64の正面唇状領域76と下部型65の正面唇状領域77は、距離78’を隔てて互いに離間しているように示されており、この距離は、(上部層51と下部層52の厚みを考慮すると、)実際に、それぞれ、型64と65の唇状領域76と77で上部層51と下部層52の間の空隙空間の幅である距離を定めている。この距離は、熱硬化性ポリマー材料57を「メモリカード」の全長にわたって空隙空間内に注入することができるようなものとすべきである。図6に示すシステムの右側の型装置設定の対応する距離58は、左側の距離78’と異なるであろう。いずれの場合にも、距離58は、上部型64の後部唇状部79を通る上部層51の内面59と下部型65の後部唇状部80を通る下部層52の内面60との間に形成された距離58’が、非常に短いがそれでも有限であるようなものとすべきである。この非常に短い距離58’は、それぞれ、上部層51と下部層52の間に本来存在していた(同じく図6を参照されたい)空隙空間内の気体81(例えば、空気、ポリマー成分反応生成ガスなど)と余分なポリマー材料が上述の空隙空間から排出されることを可能にするのに十分な大きさであるが、それでも、熱硬化性ポリマー材料57の注入に使用される注入圧力を保持するのに十分に小さいものであるべきである。この距離58’は、液体ポリマー材料57自体の薄い層でさえも空隙空間から「噴出」するか又は「勢いよく流れる」ことを可能にし、従って、空隙空間内に存在するか又は空隙空間で発生した全ての気体が上述の空隙空間から、実際には型システム自体から拭い取られることを可能にするのに十分な大きさにされることが好ましい。従って、全てのこのような気体81は、流れ込む液体熱硬化性材料57と完全に取って代わられる。)図7に示すようなコア層53を形成する熱硬化性材料57の本体内に気泡が形成されるのを防止する役目をする。図8は、型システムから除去されている図7に示す形式の半完成又は前駆体「メモリカード」を示している。断面線84と86は、それぞれ、完成「メモリカード」の鋭い縁部と正確な寸法を作り出すために、前駆体「メモリカード」の左端部と右端部を切断又はトリミング除去することができる場所を示している。この場合、距離82は、約32ミリメートルである。図9は、本特許の開示の好ましい実施形態の一部に従って実施される成形手順を示すものであり、約24mmx32mmの寸法を有する160枚の「メモリカード」50が同時に成形される。図10は、電子コンポーネント(図10においては、メモリダイアセンブリは、基板126と、メモリダイ134と、外部電気接点133と、付加的なコンポーネントから成る)が下部層として使用され、かつ付加的な下部層が不要である本発明の代替的な実施形態を用いて製造される完成「メモリカード」122を示している。図11と図12は、「メモリカード」と同様の装置を生成する本出願人の方法のこの第2の実施形態を示している。図11は、本発明の特に好ましい実施形態を示すものであり、本特許の開示の教示に従って低温低圧形成される前の「Teslin(登録商標)」のような合成紙又はPVCのようなプラスチック材料124の平坦な上部層又はシート124を示している。換言すると、図11は、ポリマー材料の注入直前の金型設定を示すものであり、上部型144の「メモリカード」形成空洞の下に初期に設けられた時の平坦な上部層124(例えば、PVCの平坦なシート)を示し、かつ下部型146を覆うように設けられた時の例えば基板126と、メモリダイ134と、外部接点133とで形成された電子コンポーネントを示している。ここでもまた、好適性は劣るがそれでも実行可能である本出願人の方法の一部の実施形態では、上部層124は、上部型144内の「メモリカード」形成空洞164の全体的な輪郭に沿って予備成形するか、又は好ましくは少なくとも部分的に予備成形することができる。比較すると、下部型146には、上部型144の空洞に比する空洞がない。図12は、上部層124と電子コンポーネントの間の空隙空間136内に熱硬化性ポリマー材料を注入する影響を示している。図12は、上部型144において上部層124が「メモリカード」形成空洞164に成形された後の上部層124を示している。熱硬化性ポリマー材料134を投入するノズル148は、上部層124と電子コンポーネント内面の間に形成された空隙空間136に至るオリフィス149内に挿入されているように示されている。上部層124上面155と「メモリカード」底面158との間の距離は、距離125によって示されている。空隙空間136は、並列の上部層124と電子コンポーネントの左端部から右端部まで延びるように示されている。換言すると、図11においては、上部層124外面155は、上部型144の「メモリカード」形成空洞164の内面156とはまだ接触していない。これとは対照的に、電子コンポーネントの外面158は、下部型146の内面160と当接して実質的に平坦に接触しているように示されている。図11においては、上部型144は、空洞164を有するように示されており、この空洞は、注入時に形成される「メモリカード」の上部の表面輪郭を形成する。このために、液体又は半液体熱硬化性ポリマー材料134の注入は、上部層124が上部型144の空洞164内に低温低圧形成されるような圧力及び温度条件下であるべきである。図12は、本特許の開示の本発明の低温低圧形成処理により、上部層124の上面155が、上部型144の「メモリカード」形成空洞164の構成に実際に適合する方法を示している。ここでもまた、電子コンポーネントの底面158は、図7においては、下部型146の実質的に平坦な内面160に対して成形されるように示されている。図11と図12においては、上部型144の正面唇状領域166と下部型146の正面唇状領域168は、距離170を隔てて互いに離間しているように示されており、この距離は、(上部層124と電子コンポーネントの厚みを考慮すると、)実際は、それぞれ、2つの型144と146のこれらの唇状領域で上部層124と電子コンポーネントの間の空隙空間の幅である距離を定めている。この距離170は、熱硬化性ポリマー材料134を「メモリカード」の全長にわたって空隙空間136内に注入することができるようなものとすべきである。型システムの右側の型装置設定の対応する距離170’は、左側の距離170と異なるであろう。いずれの場合にも、距離170’は、上部型144の後部唇状部167を通る上部層124の内面138と、下部型146の後部唇状部169を通る電子コンポーネントの内面との間に形成された距離137が、非常に短いがそれでも有限であるようなものとすべきである。この非常に短い距離137は、上部層124と電子コンポーネントの間に本来存在していた(同じく図11を参照されたい)空隙空間内の気体172(例えば、空気、ポリマー成分反応生成ガスなど)と余分なポリマー材料が上述の空隙空間136から排出されることを可能にするのに十分な大きさであるが、それでも、熱硬化性ポリマー材料の注入に使用される注入圧力を保持するのに十分に小さいものであるべきである。距離137は、液体ポリマー材料134自体の薄い層でさえも空隙空間136から「噴出」するか又は「勢いよく流れる」ことを可能にし、従って、空隙空間136内に存在するか又は空隙空間136で発生した全ての気体が上述の空隙空間から、実際には型システム自体から拭い取られることを可能にするのに十分な大きさにされることが好ましい。従って、全てのこのような気体172は、流れ込む液体熱硬化性材料134と完全に取って代わられる。)コア層128(図10)を形成する熱硬化性材料134の本体内に気泡が形成されるのを防止する役目をする。図13は、型システムから除去されている図12に示す形式の半完成又は前駆体「メモリカード」を示している。断面線284と286は、それぞれ、完成「メモリカード」の鋭い縁部と正確な寸法を作り出すために、前駆体「メモリカード」の左端部と右端部を切断又はトリミング除去することができる方法を示している。この場合、距離274は、約32ミリメートルである。本発明を様々な特定の実施例と、特定の接着剤及び接着手順の使用の概念に係わる精神とに関して説明したが、本明細書で説明した本発明は、特許請求の範囲によってのみ範囲が限定されるべきであることは理解されるものとする。従来技術の「メモリカード」の上面断面図である。従来技術の「メモリカード」の側面断面図である。従来技術の「メモリカード」の底面図である。従来技術の「高収縮」接着剤の一滴が合成紙又はプラスチック材料の層上で自然硬化する前(図4(a))と後(図4(b))を示す、合成紙(例えば、「Teslin(登録商標)」)又は従来技術の「メモリカード」の製造に使用されるようなプラスチック材料(例えば、PVC)の層又はシートの切取り側面図である。本発明の開示の教示に従って製造された「メモリカード」の切取り側面図である。液体ポリマー材料が「メモリカード」の上部及び下部層の間に注入される前のある一定の「メモリカード」コンポーネント(例えば、「MultiMedia」カードダイアセンブリ)を示す、本特許の開示の「メモリカード」の第1の好ましい実施形態を製造するように設定された型の切取り側面図である。ポリマー材料が上部及び下部層の間の空隙空間内に注入され、それによって上述の空隙空間がポリマー材料で満たされ、上部型の「メモリカード」形成空洞の輪郭に対して「メモリカード」の上部層が冷間形成された後のある一定の「メモリカード」コンポーネント(例えば、「MultiMedia」カードダイアセンブリ)を示す、本特許の開示の「メモリカード」の第1の好ましい実施形態を製造するように設定された型の切取り側面図である。図7に全体的に示すシステムによって形成された前駆体「メモリカード」本体から除去されている金型を示す切取り図である。160枚の「メモリカード」(約24mmx32mmの寸法で)を同時に製造することができる金型システムを示す図である。別の下部層なしに製造された「メモリカード」完成品の切取り側面図である。ポリマー材料が上部層及び電子コンポーネントの間の空隙空間内に注入され、それによって空隙空間がポリマー材料で満たされ、上部型の「メモリカード」形成空洞の輪郭に対して「メモリカード」の上部層が冷間形成される、液体ポリマー材料が「メモリカード」上部層と電子コンポーネントの間に注入される前のある一定の「メモリカード」コンポーネント(例えば、「MultiMedia」カードダイアセンブリ)を示す、本特許の開示の「メモリカード」の第1の好ましい実施形態を製造するように設定された金型の切取り側面図である。ポリマー材料が上部層及び電子コンポーネントの間の空隙空間内に注入され、それによって空隙空間がポリマー材料で満たされ、上部型の「メモリカード」形成空洞の輪郭に対して「メモリカード」の上部層が冷間形成される、液体ポリマー材料が「メモリカード」上部層と電子コンポーネントの間に注入される前のある一定の「メモリカード」コンポーネント(例えば、「MultiMedia」カードダイアセンブリ)を示す、本特許の開示の「メモリカード」の第1の好ましい実施形態を製造するように設定された金型の切取り側面図である。図12に全体的に示すシステムによって形成された前駆体「メモリカード」本体から除去されている金型を示す切取り図である。(17)合成紙又は他の適切な材料の上部層と電子コンポーネントが静置された下部層とを含む「メモリカード」又は同様の装置を製造する方法であって、(1)外部電気接点を有する電子コンポーネントを構成する段階と、(5)前記電子コンポーネントを下部型に位置決めする段階と、(6)前記上部層を上部型に位置決めする段階と、(7)前記上部層と電子コンポーネントの間に空隙空間を作成する方法で前記上部型を前記下部型まで閉鎖する段階と、(8)熱硬化性ポリマー材料を前記空隙空間内に、(a)前記電子コンポーネントの内側面が、注入される前記熱硬化性材料によって完全に覆われ、かつ、前記電子コンポーネントの底面が実質的に平らのままであって前記下部型の内側面と接し、それによってその他の下部層がない電子コンポーネントを有する前記下部層が形成され、(b)気体と余分なポリマー材料とが前記空隙空間から押し出され、(c)前記電子コンポーネントが、前記熱硬化性ポリマー材料に封入され、かつ、(d)前記熱硬化性ポリマー材料が、前記上部層及び前記下部層の両方に結合して統合前駆体「メモリカード」本体を生成する、ような温度及び圧力条件で注入する段階と、(9)前記統合前駆体「メモリカード」本体を型装置から取り出す段階と、(10)前記前駆体「メモリカード」又は同様の装置を望ましい寸法にトリミングして「メモリカード」を生成する段階と、を含むことを特徴とする方法。前記上部層の内面は、該上部層と前記熱硬化性材料の間の強力な結合部の生成を促進するように処理されることを特徴とする請求項1に記載の方法。前記上部層の内面は、それを結合剤で被覆することによって処理されることを特徴とする請求項1に記載の方法。65°Fと70°Fの間の温度で前記上部層と前記電子コンポーネントとの間の前記空隙空間内に注入されることを特徴とする請求項1に記載の方法。層が、前記上部層の内面に付加されることを特徴とする請求項1に記載の方法。前記電子コンポーネントは、前記外部接点に電気的に接続された、(a)「MultiMediaカード」ダイアセンブリ、(b)「セキュアデジタル」カードダイアセンブリ、又は(c)別のメモリカードダイアセンブリ、であることを特徴とする請求項1に記載の方法。前記上部層は、ポリマー材料の平坦シートから形成されることを特徴とする請求項1に記載の方法。ゲートによって満たされ、該ゲートの幅は、該ゲートの作用を受けている前駆体「メモリカード」又は同様の装置の幅の少なくとも25パーセントであることを特徴とする請求項1に記載の方法。