D1を求め,記憶部に記憶する。D2を求め,記憶部に記憶する。D2のうち小さい方の光出力を与えるバイアス電圧を新たな基準電圧(所望消光比実現点の候補)として採用する。[0029]このように新たな基準電圧に対して,所定電圧分大きいバイアス電圧と小さいバイアス電圧を印可した際の光強度差を比較し,小さい値を与えるバイアス電圧を基準電圧(所望消光比実現点の候補)とする工程を繰り返す。1[0030]バイアス電圧調整部に,以下の制御プログラムを実装した。V12のうち小さい方の光出力を与えるバイアス電圧を新たな基準電圧として記憶し,電源が新たな基準電圧を光変調器のバイアス電圧として印可するように電源に制御指令を出すように機能させるプログラムである。光変調器として,消光比が50dBの物を用いた。抑圧比30dB以上を与える位相用バイアス電圧の許容範囲として11.4~12.6Vであった。この際,ΔVとして100mVを採用した。従来方法であれば,バイアス電圧調整のため0.1mV程度ごとに光強度を測定する必要があったが,100mVという粗い調整であったにもかかわらず,30dB以上の抑圧比を常に維持することができた。2[0031]バイアス電圧調整部に,以下の制御プログラムを実装した。D2のうち小さい方の光出力を与えるバイアス電圧を新たな基準電圧として記憶し,電源が新たな基準電圧を光変調器のバイアス電圧として印可するように電源に制御指令を出すように機能させるプログラムである。実施例1と同様の駆動電圧及びバイアス電圧で光変調器を調整したところ,100mVという粗い調整であったにもかかわらず,30dB以上の抑圧比を常に維持することができた。産業上の利用可能性[0032]本発明は,光情報通信の分野で利用されうる。V12のうち小さい方の光出力を与えるバイアス電圧を基準電圧として採用する工程と,を含む,方法。22を前記光変調器に印可した時の光出力とを比較し,小さい光出力を与えるバイアス電圧を新たな基準電圧とする工程を繰り返す,方法。D2のうち小さい方の光出力を与えるバイアス電圧を基準電圧として採用する工程と,を含む,方法。V12のうち小さい方の光出力を与えるバイアス電圧を基準電圧として採用する,光変調器。D2のうち小さい方の光出力を与えるバイアス電圧を基準電圧として採用する,光変調器。