JFETに対する取り組みは各社とも技術開発段階と考えられます。Transistor)を公表*16)しています。従来、ショットキー接合のポテンシャル障壁により制御していたゲート部をpn接合に変え、高いポテンシャル障壁を実現しています。パナソニックの技術論文誌、パナソニック技報(PDF)。BJTに対して今後どうするか、検討段階と考えられます。GaNデバイスのノーマリーオフをpn接合で実現すると、p型GaNの特性により、GaNの高速スイッチング性が損なわれます。そこで、ロームはゲートの直下をエッチングで薄くして、空乏化させて、ノーマリーオフ動作させる手法に取り組んでいます(関連記事:LEDを一新した「GaN」、次は電力を変える)。IGBTを目指す動きはないようです。図13から、三菱電機とパナソニックには、今後GaNコンバータ技術開発を推進する動きがあると考えられます。2011/組込み総合技術(ET2011)」で、GaNコンバータの新製品を発表しています(関連記事:次世代「UniPhier」からGaNデバイスまで、パナソニック製ICがずらり)。図14を見る限り、各社のGaNモジュールに対する取り組みは今のところ研究段階と考えられます。2012(テクノフロンティア2012)」では、インターナショナル・レクティファイアー・ジャパン(IRジャパン)がGaNモジュールを展示しており、今後の各社のGaNモジュールに対する動向が注目されます(関連記事:高耐圧もGaNで、IRジャパンが600VのGaN電源モジュールを展示)。SNSfacebooktwitterITmediaはアイティメディア株式会社の登録商標です。