SBD)は金属と半導体との接合によって生じるショットキー障壁を利用したダイオードである。多数キャリアによる動作のためPN接合ダイオードに比べると順方向の電圧降下が低く、スイッチング速度が速いという特長を持つ。逆方向漏れ電流が大きく(20V印加時、25°Cで数MΩ、125°Cで数KΩ)、逆方向耐電圧が低いという欠点もある。このダイオードはスイッチング特性が優れているため、トランジスタによる論理回路の高速化、オーディオ機器の電源回路、スイッチング電源で主に使用されている。論理回路の高速化では、ロジックを構成するトランジスタの過飽和を防ぐことで高速化をはかる(ショットキークランプ)。使われているものに汎用ロジックICの74LSシリーズなど。スイッチング電源では高周波を扱うため、整流用ダイオードのスイッチング特性の良さは電源回路の効率を上げるための重要な要素である。電圧降下の低さは効率を上げるだけでなくダイオードの発熱を抑えることにもつながっている。SBD)は金属と半導体との接合によって生じるショットキー障壁を利用したダイオードである。多数キャリアによる動作のためPN接合ダイオードに比べると順方向の電圧降下が低く、スイッチング速度が速いという特長を持つ。逆方向漏れ電流が大きく(20V印加時、25°Cで数MΩ、125°Cで数KΩ)、逆方向耐電圧が低いという欠点もある。このダイオードはスイッチング特性が優れているため、トランジスタによる論理回路の高速化、オーディオ機器の電源回路、スイッチング電源で主に使用されている。論理回路の高速化では、ロジックを構成するトランジスタの過飽和を防ぐことで高速化をはかる(ショットキークランプ)。使われているものに汎用ロジックICの74LSシリーズなど。スイッチング電源では高周波を扱うため、整流用ダイオードのスイッチング特性の良さは電源回路の効率を上げるための重要な要素である。電圧降下の低さは効率を上げるだけでなくダイオードの発熱を抑えることにもつながっている。