在图4中,开关102、104、105、106、107、111和114由P-沟道MOS晶体管构成,并且开关103、112和113由N-沟道MOS晶体管构成。时钟发生电路121由三分频器151、触发电路152、153和154、二分频器155和反相器156构成。参考图6,电平移动电路(LS1)由P-沟道MOS晶体管160和161、N-沟道MOS晶体管162和163以及反相器164至167构成。参考图7,电平移动电路(LS2)由P-沟道MOS晶体管170、171、174和175、N-沟道MOS晶体管172、173、176和177以及反相器178至181构成。时钟发生电路121从输入时钟120生成开关控制信号122至129。134、135、136和137而分别输出。138和139而输出。在图9中显示的定时处,输出门信号134~139。首先,当门信号134为0V且门信号135为3VDD时,P-沟道MOS晶体管102和N-沟道MOS晶体管103导通。于是,晶体管108被VDD充电。VDD.接下来,当门信号136为0V时,P-沟道晶体管104和105导通。于是,端子201的电势变为VDD,并且端子202和203的电势变为2VDD。于是,用2VDD对输出电容109进行充电。2VDD.然后,当门信号137为0V时,P-沟道MOS晶体管106和107导通,端子201的电势变为2VDD,与端子203相同,并且端子202和204的电势变为3VDD。于是,用3VDD对输出电容110进行充电。3VDD.当门信号138为2VDD并且门信号139为-2VDD时,P-沟道MOS晶体管111和N-沟道MOS晶体管112导通。于是,端子205的电势变为2VDD,与端子203相同,并且端子206的电势变为0V。2VDD.接下来,当门信号138为-2VDD并且门信号139为2VDD时,P-沟道MOS晶体管114和N-沟道MOS晶体管113导通。115的2VDD充电,端子206和207的电势变为-2VDD。于是,用-2VCC对输出电容116进行充电。在N倍升压电路中,可以同时提供多个2至N(N是大于等于3的整数)倍的升压电压。如显示设备等,制造得紧凑。