一端が第3及び第4トランジスタのソースである第2ノードに接続され、他端が前記第1電圧とは異なる第2電圧を供給する第2電源ノードに接続される。11が、電流検出部13にて検出された電流値が所定の電流値に達すると短絡や過電流が発生したと判断し、半導体遮断器12にて電流の遮断を開始するように制御する。よれば、第1のスイッチ素子と、第1のダイオードと、第1の抵抗と、制御回路と、を備えたことを特徴とするアクティブクランプ回路が提供される。前記第1のダイオードは、前記第1のスイッチ素子の両端にかかる過電圧によりブレークダウンする。半導体装置は、スイッチングトランジスタ1と、スイッチングトランジスタ1と同一導電性基板(フレーム)上に実装されるリカバリーダイオード2及びスナバデバイス6とを備える。スナバデバイス6は、スイッチングトランジスタ1の出力端子C−基準端子E間に...デジタル位相差検出器およびそれを備えた周波数シンセサイザ(特開2012−5022)【課題】高精度で回路面積および消費電力が小さいデジタル位相差検出器を提供する。半導体集積回路において、ソフトエラーによるデータの破壊を抑制しつつ、回路面積の低減を図ること。(特開2012−9965)【課題】発振回路の動作状態を短時間で検出する。【解決手段】VDDの電源端子とVSSの電源端子の間にノードN1を共通接続点とするトランジスタMP1,MN1を直列接続し、ノードN2を共通接続点とするトランジスタMP2,MN2を直列接続する。ノードN1,N2の間に容量C1を接続する。ノードN1,N2にNOR1の入力側を接続する。個別端子との間に高周波スイッチ部を備え、高周波スイッチ部は、スタック段数n段の直列スイッチ素子群と、スタック段数n+1段以上の直列スイッチ素子群で構成されている。スタック段数の異なる直列スイッチ素子群は、レイアウト面積と高調波特性に関連するコ...レベルシフト回路(特開2012−9982)【課題】レベルシフト回路の入力側の電源電圧が通常より低くなった場合でも出力が不定とならないレベルシフト回路を提供する。2の軸線の周りを一対のロータ3及び4が同期して回転可能に設けられ、一方のロータ3の周方向には、複数の継鉄5が、また、他方のロータ4の周方向には、複数の継鉄6がそれぞれ配置されている。ロータ3及び4は、軸方向に沿った...電源電圧監視回路(特開2012−10037)【課題】簡易な回路で正確な出力信号を出力する電源電圧モニター回路を提供すること。直列に接続された差動型の複数の第1の遅延素子、複数の第1の遅延素子間に其々設けられた複数の第1の接点、及び第1の選択信号を受けて複数の第1の接点のうち選択された第1の接点に対応する第1の遅延信号を出力する第1の出力回路、を備えた第1の遅延部並びに、第1の...デューティ補償回路(特開2012−10118)【課題】補正対象クロックより高速なクロックを準備することなく、デューティ補償を可能とする。【解決手段】デューティ検出回路106と、検出されたデューティから制御信号を生成するデューティ補正信号生成回路110と、デューティ補正回路104とを有し、デューティ検出回路は、可変遅延回路105により遅延させて得られるサンプリングタイミングでクロックをサンプリングしてそ...保護回路(特開2012−10156)【課題】本発明は、FET1の劣化ないし破壊を防止するための保護回路を提供することを目的とする。【解決手段】主スイッチ2をONすると+電源3および−電源4に電圧が供給されコンデンサC3およびC4により+電源と−電源は徐々に立ち上がる。この時電子スイッチ21はOFFに設定されている。パワーダウンモードを含む複数の動作モードを有する半導体集積回路において、モード切り換えを行うモードコントロール回路の消費電力を少なくする。制御電圧VCに基づきパワーダウンを設定するか解除するかの判定を行う回路としてオフセット付き電圧比較器30Aを設けた。制御電圧VCがオフセット電圧V0よりも低く、オフセット付き電圧比較器30Aがパワー...電磁コイル駆動回路及びこれを備えた油圧式エレベータ装置(特開2012−10184)【課題】接点容量が大きいリレーを用いることなくリレー接点の溶着を防止可能な電磁コイル駆動回路、及びこの電磁コイル駆動回路を備えた油圧式エレベータ装置を提供する。【解決手段】リレー接点3に並列接続されたCR回路の抵抗7と並列に、ダイオード8を設ける。ダイオード8の向きは、接点開路時に電磁コイル1の電流がダイオード8に流れコンデンサ6が充電される方向とする。100は、制御信号CONTに応じて、入力信号IN1,IN2を切り替えて出力信号OUTとして出力する。実施形態の高周波スイッチ回路は、シリコン基板20上に形成された酸化膜21上に、第1の端子1と、入出力端子2と、第1の電極4bが前記第1の端子1に電気的に接続され、第2の電極4cが前記入出力端子2に接続されたFET4とを備える。精度を改善することが可能な発振回路を提供すること。100は、バスHBSを介してホスト装置200に信号を出力する出力回路110と、出力回路110を制御する出力制御回路120とを含む。複数個接続されたそれぞれのMISFETQN1〜QN5のソース領域とドレイン領域の間に、ソース領域の電位を基準としてド...入力セレクタおよび信号処理回路(特開2012−15685)【課題】さまざまな入力形式の信号に柔軟に適応可能な汎用性の高い入力セレクタを提供する。【解決手段】第1抵抗R1〜第4抵抗R4は、それぞれの第1端子が対応する入力ポートPi1〜Pi4に接続される。第1スイッチSW1〜第4スイッチSW4はそれぞれ、対応する抵抗と第1演算増幅器10の反転入力端子の間に設けられる。(エッジパルス)を遅延させるディレイラインに対し、例えば9T区間などの校正期間に、例えば1T時間分などの単位遅延量を設定する。入力信号にテストパルスを重畳させ、また該テストパルスに対して単位遅延量を持つ比較用パルスを発生さ...半導体集積回路(特開2012−15845)【課題】他の回路のタイミングに影響を与えずに、動作モードにおける組み合わせ回路のオフリーク電流を低減させる半導体集積回路を提供する。ビット回路における超伝導磁束量子ビットのトンネルエネルギーを高速かつ安定に制御できるようにする。【解決手段】第1磁束制御線107および第2磁束制御線108は、第1ループ101および第2ループ102を挟んで配置される。第1磁束制御線107は、第1ループ101の側に配置され、第2磁束制御線108は、第2ループ102の側に配置される。位相シフト回路(特開2012−15984)【課題】クロック周波数が大きく変動しても、所望のデューティ比のクロック信号を精度よく生成する。【解決手段】クロック逓倍回路10を、第1インバータ2と、第2インバータ3と、容量素子4と、電流供給部1と、差動検出部6と、逓倍信号生成部9とを備える構成とする。スイッチング電源装置、および、制御方法(特開2012−19335)【課題】入力電圧の急変や負荷短絡時等における共振外れにより、中間電位VSが急変した場合にも、ハイサイドドライブ信号SDHとローサイドドライブ信号SDLに応じて、所定の動作をすることが可能なドライブ制御回路を提供する。矩形波信号の立ち上がりエッジおよび立ち下がりエッジを検出し、一方のレベルのパルス信号を生成するパルス生成回路において、トランジスタの数を削減すること。立ち下がりエッジ検出部2は、矩形波信号の立ち下がりエッジを検出し、所定時間だけ、トランジスタQ1をオン状態に制御する。立ち上がりエッジ検出部は、矩形波信号の立ち上がりエッジを検出し、所定...電圧制御発振器、PLL回路(特開2012−19469)【課題】消費電流の増加を抑えつつ発振周波数の高周波化を実現した電圧制御発振器を提供する。10は、直列に接続された半導体スイッチング素子11,12と、正極端子13と、負極端子14と、出力端子15とを具備する半導体モジュール16と、半導体モジュール16に絶縁されたボディ17とを備える。ボディ17と、各端子13,15,14およびデバイスとの間の各浮遊容量C1,C2,C3,C0と、ボディ17の浮遊...半導体装置(特開2012−19550)【課題】ダイオード内蔵IGBTを備えた半導体装置において、ダイオード素子とIGBT素子のゲート信号との干渉を回避してダイオードの順方向損失増加を防止する。【解決手段】メイン用のダイオード素子22aに流れる電流を電流検出用のダイオードセンス素子22bおよびセンス抵抗30にて検出する。された信号系列に対して、時分割で兼用する場合であっても、各系統間で信号の混ざりを回避するダイレクトサンプリング回路を提供する。【解決手段】スイッチトキャパシタフィルタ160の前段に系統毎にヒストリキャパシタ153,155を接続し、スイッチトキャパシタフィルタ160の後段に系統毎にバッファキャパシタ173,175を接続し、スイッチトキャパシ...二段電圧レベルシフト(特開2012−23730)【課題】追加の大きなハードウェア要件なしに、ブースト電圧レベルを提供できるようにする。【解決手段】第1の電圧レベルから第2の電圧レベルに、次に追加のブーストされた第2の電圧レベルに出力信号をシフトするための電圧レベルシフタが開示される。電圧レベルシフタは、入力信号を受信するための入力、出力信号を出力するための出力、前記第1の電圧レベルを供給する第1の電圧源...専用プロセッサ装置を含むプログラマブルロジック集積回路装置(特開2012−23750)【課題】プログラマブルロジック集積回路装置(「PLD」)を提供すること。6は、積分電圧Vint0または基準電圧Vrefに加わるノイズの振幅より大きい振幅を有する微分波形の付加信号を等間隔で周期的に繰り返す重畳電圧Vaddを生成する。悪化を招くことなく、櫛型ゲート構造の電界効果トランジスタと同等の歪み特性を得ることができるミアンダ形状のマルチゲート構造を有する電界効果トランジスタを提供する。【解決手段】ミアンダ形状のマルチゲート構造のレイアウト有する電界効果トランジスタにおいて、第1乃至第の3ゲート電極24a〜24cは、ドレイン電極21を構成する分割電極21−1〜...ノイズ除去装置(特開2012−29067)【課題】遅延時間の短縮を図りつつ、チャタリングノイズを確実に除去する。【解決手段】センサーから出力されたデジタル信号に含まれるチャタリングノイズを除去するノイズ除去装置であって、デジタル信号のレベルが変化した後そのレベルが第1所定期間連続する場合に、デジタル信号に応じて変化する第1信号を生成する第1信号生成部と、デジタル信号のレベルが変化した後そのレベルが...プリント回路板(特開2012−29129)【課題】本発明は、信号配線間のクロストークノイズを抑える。【解決手段】プリント回路板は、信号を送信する信号送信部203,204と、信号を受信する信号受信部205,206と、各信号送信部203,204と各信号受信部205,206とを接続する信号配線201,202と、を備えている。互いに隣接する2本の信号配線201,202間には、第1の許容差を有する抵抗値Rp...リセット回路及びそれを備える装置(特開2012−29131)【課題】電源電圧が極低電圧状態であっても、リセットが解除されることを防ぐことができる、リセット回路を提供すること。【解決手段】NチャネルMOSFETであるトランジスタN0と、リセットを解除すべき所定の閾値Vthを電源電圧VDDが超えることにより、トランジスタN0をオンからオフにすることによって、トランジスタN0のドレイン電圧を、リセット状態を表すローレベル...ドライバ回路(特開2012−29162)【課題】貫通電流が急激に流れることを防止し、低消費電流で高速動作可能なドライバ回路を提供する。