高強度化・高周波の共振安定性の向上のために、その内面において鋭角部を有さず平滑な曲面だけで形成された空洞セルを内部に有する超小型の高周波加速空洞を用いることを特徴とする。光陰極面での電界強度を最大にするために光陰極を高周波加速空洞のハーフセル(5)の端部に設け、短バンチ光電子の品質を最良にするためにレーザー入射ポートを高周波加速空洞の電子ビーム取り出し口の後方において光陰極と対向する位置に設けてレーザー垂直入射を確保し、高周波の電界強度を高めるために高周波電力入力カプラーポートを高周波加速空洞のセルの側部に設けた。Japanese)電子ビームを生成して出力する電子源装置は、電子銃のみならず、加速器(電子シンクロトロン、線形加速器、等)などの各種装置に電子ビームを入射するための電子ビーム供給源として幅広く利用されている。X線生体イメージング装置、X線吸収イメージング装置等のX線装置のX線源として、近年、レーザー逆コンプトン散乱を用いた小型X線源の開発が進められている。レーザー逆コンプトン散乱を用いたX線源とは、加速された電子ビームにレーザー光を衝突(逆コンプトン散乱)させることによって、所定のエネルギーを有した光子ビーム(X線)を生成するものである。そのような小型X線源等の実現のために、大強度・高品質な電子ビームを生成可能な小型の電子源装置が現在必要とされている。電子源装置の開発においては、旧来より熱電子銃(熱陰極を用いた電子発生方式)を用いたマルチバンチ電子ビームの生成・加速の研究等が行われてきた。Laboratory)型高周波加速空洞が考案された。この方法は、高周波の電界によって電子加速を行うものであり、従来の直流電界による電界強度の約10倍以上の電界強度を発生できるため、電子銃の小型化を期待させるものであった。図12に示すように、このBNL型高周波加速空洞は、ハーフセル(0.5セル)5とフルセル(1.0セル)6とを連結した基本構造をとっており、ハーフセル5の電子ビーム軸方向(図中左右方向)の長さは、ビームの拡散低減のためにフルセル6の軸方向長さの0.6倍に設定されている。導波管内を伝達されてきた高周波電力は、まずフルセル6の壁面に設けられた高周波電力入力カプラーポート10(カップリング孔)を通ってフルセル6内に供給され、続いて両セル間の絞り部(アイリス)を通ってハーフセル5内に供給される。ハーフセル5は、レーザー光の注入用のレーザー入射ポート9と、取り外し可能な端板2Bとを備えており、端板2Bの中心に金属(Cu、Mg、等)製の光陰極7が設けられている。端板2Bは真空シール(ヘリコフレックスシール)2Sを介してハーフセル本体に取り付けられており、メインテナンスや陰極材料研究のための光陰極7の交換の際には、端板2Bがハーフセル本体から取り外される。ハーフセル5の共振周波数の調整は、ヘリコフレックスシール2Sの締付トルクを調節してセルの体積を増減させることによって行われ、一方、フルセル6の共振周波数の調整は、フルセル6の空洞壁に開けられたチューナー穴(直径10mm)内を上下可能な調整ロッド(対称的に計二本)の位置を調整することで行われる。