[0001]【発明の属する技術分野】ICチップなどの電子部品を載置するプリント配線板に関し、特にコンデンサを内蔵するプリント配線板に関するのもである。[0002]【従来の技術】現在、パッケージ基板用のプリント配線板では、電源からICチップの電源/アースまでのループインダクタンスを低減するため、チップコンデンサを表面実装することがある。ループインダクタンスのリアクタンス分は周波数に依存する。ICチップの駆動周波数の増加に伴い、チップコンデンサを実装させても、ループインダクタンスのリアクタンス分を性能的に要求されるだけ低減することができなくなった。manner.【0003】このため、本発明者は、プリント配線板内にチップコンデンサを収容するとの着想を持った。JP-11−126978号、特開平11−312868号等がある。like.【0004】特開平6−326472号には、ガラスエポキシからなる樹脂基板に、コンデンサを埋め込む技術が開示されている。この構成により、電源ノイズを低減し、かつ、チップコンデンサを実装するスペースが不要になり、絶縁性基板を小型化できる。JP-A-7-263619号には、セラミック、アルミナなどの基板にコンデンサを埋め込む技術が開示されている。この構成により、電源層及び接地層の間に接続することで、配線長を短くし、配線のインダクタンスを低減している。[0005]【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述した技術は、ICチップからコンデンサの距離をあまり短くできず、ICチップの更なる高周波数領域においては、現在必要とされるようにインダクタンスを低減することができなかった。クラックが発生し、長期に渡り高い信頼性を達成することができなかった。time.【0006】本発明は上述した課題を解決するためなされたものであり、その目的とするところは、ループインダクタンスを低減できるプリント配線板を提供することにある。inductance.【0007】また、本発明の目的は、コンデンサを内蔵すると共に高い信頼性を達成できるプリント配線板、及び、コンデンサを提供することにある。[0008]【課題を解決するための手段】上述した課題を解決するため、請求項1は、コア基板に樹脂絶縁層と導体回路とを積層してなるプリント配線板であって、前記コア基板内にコンデンサを収容させたことを技術的特徴とする。バイアホールもしくはスルーホールを施して、導電層である導体回路を形成するビルドアップ法によって形成する回路を意味している。include,セミアディティブ法、フルアディティブ法のいずれかを用いることができる。method.【0010】請求項1では、プリント配線板内にコンデンサを配置するため、ICチップとコンデンサとの距離が短くなり、ループインダクタンスを低減することができる。厚みの厚いコア基板内にコンデンサを収容するため、コア基板上に層間樹脂絶縁層と導体回路とを積層してもプリント配線板を厚くすることがない。board.【0011】空隙には、樹脂を充填させることが望ましい。コンデンサ、コア基板間の空隙をなくすことによって、内蔵されたコンデンサが、挙動することが小さくなるし、コンデンサを起点とする応力が発生したとしても、該充填された樹脂により緩和することができる。該樹脂には、コンデンサとコア基板との接着やマイグレーションの低下させるという効果も有する。substrate.【0012】請求項2は、コア基板に樹脂絶縁層と導体回路とを積層してなるプリント配線板であって、チップコンデンサの電極の被覆層を少なくとも一部を露出させて、前記プリント配線板に収容し、前記被覆層から露出した電極にめっきにより電気的接続を取ったことを技術的特徴とする。layer.【0013】請求項2、3では、チップコンデンサの電極の被覆層から、少なくとも一部を露出させてプリント配線板に収容し、被覆層から露出した電極にめっきにより電気的接続を取ってある。このとき、被覆層から露出した金属は、主成分がCuであるものであることが望ましい。その理由としては露出した金属に、めっきを形成した際の接続性が高くなり、電気特性の差がなく、接続抵抗を低減することができる。resistance.【0014】請求項4は、コア基板に樹脂絶縁層と導体回路とを積層してなるプリント配線板であって、チップコンデンサの電極に金属膜を形成させて、前記プリント配線板に収容し、前記金属膜を形成させた電極へめっきにより電気的接続を取ったことを技術的特徴とする。electrode.【0015】請求項4、5では、金属膜を形成したチップコンデンサの電極へめっきによりなるバイアホールで電気的接続を取ってある。ここで、チップコンデンサの電極は、メタライズからなり表面に凹凸があるが、金属膜により表面が平滑になり、バイアホールを形成するため、電極上に被覆された樹脂に通孔を形成した際に、樹脂残さが残らず、バイアホールと電極との接続信頼性を高めることができる。めっきの形成された電極に、めっきによりバイアホールを形成するため、電極とバイアホールとの接続性が高く、ヒートサイクル試験を実施しても、電極とバイアホール間の断線が生じることがない。Absent.【0016】コンデンサの電極の金属膜には、銅、ニッケル、貴金属のいずれかの金属が配設されているものが望ましい。内蔵したコンデンサにスズや亜鉛などの層は、バイアホールとの接続部におけるマイグレーションを誘発しやすいからである。故に、マイグレーションの発生を防止することもできる。migration.【0017】請求項6では、外縁の内側に電極の形成されたチップコンデンサを用いるため、バイアホールを経て導通を取っても外部電極が大きく取れ、アライメントの許容範囲が広がるために、接続不良がなくなる。no.【0018】請求項7では、マトリクス状に電極が形成されたチップコンデンサを用いるので、大判のチップコンデンサをコア基板に収容することが容易になる。種々の熱履歴などを経てもプリント配線板に反りが発生し難くなる。multi-piece,即ち、大判のチップコンデンサを用いるため、容量の大きなチップコンデンサを用いることができる。further,種々の熱履歴などを経てもプリント配線板に反りが発生し難くなる。board.【0020】請求項9は、コア基板に樹脂絶縁層と導体回路とを積層してなるプリント配線板であって、前記コア基板内にコンデンサを収容させて、かつ、前記プリント配線板の表面にコンデンサを実装したことを技術的特徴とする。capacitors.【0021】請求項9では、基板内に収容したコンデンサに加えて表面にコンデンサを配設してある。capacitor,ICチップに大電力を容易に供給することが可能となる。ICチップの動作が確保される。ensured.【0023】請求項11では、表面のコンデンサのインダクタンスは、内層のコンデンサのインダクタンス以上であるため、高周波領域における電源供給の不足がなく、所望のICチップの動作が確保される。secured.【0024】また、チップコンデンサの表面に粗化処理を施すこともできる。剥離が発生することがない。no.【0025】請求項12のプリント配線板の内蔵用のコンデンサは、チップコンデンサのメタライズ電極の表面に銅めっき膜を被覆したことを技術的特徴とする。capacitor.【0026】請求項12では、チップコンデンサの電極に金属膜と形成し表面を平滑にしてあるため、プリント配線板内に収容され、電極上に被覆された樹脂に通孔を形成した際に、樹脂残さが残らないため、バイアホールと電極との接続信頼性を高めることができる。実施形態について図を参照して説明する。本発明の第1実施形態に係るプリント配線板の構成について図6、図7を参照して説明する。図6は、プリント配線板10の断面を示し、図7は、図6に示すプリント配線板10にICチップ90を搭載し、ドータボード94側へ取り付けた状態を示している。6,チップコンデンサ20と、チップコンデンサ20を収容するコア基板30と、ビルドアップ層80A、80Bを構成する層間樹脂絶縁層60とからなる。接続層40には、バイアホール46及び導体回路48が形成され、層間樹脂絶縁層60には、バイアホール66及び導体回路68が形成されている。60からなるが、ビルドアップ層は、複数の層間樹脂絶縁層からなることができる。second電極に挟まれた誘電体23とから成り、該誘電体23には、第1電極21側に接続された第1導電膜24と、第2電極22側に接続された第2導電膜25とが複数枚対向配置されている。本実施形態では、第1電極21及び第2電極22にめっきからなるバイアホール46で接続を取る。9(B)に示すように、チップコンデンサ20の第1電極21および第2電極22の上面の被覆層28から金属層26を露出させている。6,第1、第2電極21,22とめっきからなるバイアホール46との接続性が高くなり、また、接続抵抗を低減することができる。resistance.【0030】更に、チップコンデンサ20のセラミックから成る誘電体23の表面には粗化層23aが設けられている。このため、セラミックから成るチップコンデンサ20と樹脂からなる接着層40との密着性が高く、ヒートサイクル試験を実施しても界面での接着層40の剥離が発生することがない。この粗化層23aは、焼成後に、チップコンデンサ20の表面を研磨することにより、また、焼成前に、粗化処理を施すことにより形成できる。70Aのバイアホール66には、ICチップ90のパッド92S1、92S2、92P1,92P2へ接続するためのバンプ76が形成されている。96S1,96S2,96P1,96P2へ接続するためのバンプ76が配設されている。コア基板30にはスルーホール36が形成されている。92S2は、バンプ76−導体回路68−バイアホール66−スルーホール36−バイアホール66−バンプ76を介して、ドータボード94の信号用のパッド96S2に接続されている。902S1は、バンプ76−バイアホール66−スルーホール36−バイアホール66−バンプ76を介して、ドータボード94の信号用のパッド96S1に接続されている。92P1は、バンプ76−バイアホール66−導体回路48−バイアホール46を介してチップコンデンサ20の第1電極21へ接続されている。46を介してチップコンデンサ20の第1電極21へ接続されている。92P2は、バンプ76−バイアホール66−導体回路48−バイアホール46を介してチップコンデンサ20の第2電極22へ接続されている。46を介してチップコンデンサ20の第2電極22へ接続されている。ICチップ90の直下にチップコンデンサ20を配置するため、ICチップとコンデンサとの距離が短くなり、電力を瞬時的にICチップ側へ供給することが可能になる。ループインダクタンスを決定するループ長さを短縮することができる。inductance.【0036】更に、チップコンデンサ20とチップコンデンサ20との間にスルーホール36を設け、チップコンデンサ20を信号線が通過しない。このため、コンデンサを通過させた際に発生する高誘電体によるインピーダンス不連続による反射、及び、高誘電体通過による伝搬遅延を防ぐことができる。pass.【0037】また、プリント配線板の裏面側に接続される外部基板(ドータボード)94とコンデンサ20の第1端子21,第2端子22とは、ICチップ側の接続層40に設けられたバイアホール46及びコア基板に形成されたスルーホール36を介して接続される。心材を備え加工が困難な収容層31に通孔を形成してコンデンサの端子と外部基板とを直接接続しないため、接続信頼性を高めることができる。6との間に接着剤32を介在させ、通孔37の側面とチップコンデンサ20との間に樹脂充填剤32aを充填してある。ここで、接着剤32及び樹脂充填剤32aの熱膨張率を、コア基板30及び接着層40よりも小さく、即ち、セラミックからなるチップコンデンサ20に近いように設定してある。20との間に熱膨張率差から内応力が発生しても、コア基板及び接着層40にクラック、剥離等が生じ難く、高い信頼性を達成できる。マイグレーションの発生を防止することもできる。migration.【0039】第1実施形態のプリント配線板の製造工程について、図1〜図6を参照して説明する。心材にエポキシ樹脂を含浸させたプリプレグ35を4枚積層してなる積層板31αにチップコンデンサ収容用の通孔37を形成し、一方、プリプレグ35を2枚積層してなる積層板31βを用意する(図1(A))。ここで、プリプレグとして、エポキシ以外でも、BT、フェノール樹脂あるいはガラスクロスなどの強化材を含有したものを用い得る。コア基板をセラミックやAINなどの基板を用いることはできなかった。該基板は外形加工性が悪く、コンデンサを収容することができないことがあり、樹脂で充填させても空隙が生じてしまうためである。次に、積層板31αと積層板31βとを重ね収容層31を形成した後、通孔37内に図9(B)を参照して上述したように第1、第2電極21,22の上面の被覆28を剥いだチップコンデンサ20を収容させる(図1(B))。20との間に接着剤32を介在させることが好適である。between.なお、本願に用いられる樹脂及び層間樹脂絶縁層は、融点が300°C以下であり、350°C以上の温度を加えると、溶解、軟化もくしは炭化してしまう。両面からプレスして表面を平坦にする。その後、加熱して硬化させることで、チップコンデンサ20を収容する収容層31と接続層40とからなるコア基板30を形成する(図1(D))。20とを、両面に圧力を加えて張り合わせコア基板30を形成するため、表面が平坦化される。60及び導体回路68を積層することができる。laminated.【0041】なお、コア基板の通孔37の側面に樹脂充填剤32aを充填して、気密性を高めることが好適である。ここでは、樹脂フィルム40αには、金属層のないものを用いて積層させているが、片面に金属層を配設した樹脂フィルム(RCC)を用いてもよい。有しない樹脂板、樹脂フィルムを用いることができる。