在一些实施例中,源极/漏极区222是源极区,并且另一个源极/漏极区222是漏极区。栅极区224位于源极/漏极区222之间。栅极结构208在凸起器件主体220的栅极区224之上形成。隔离区206将凸起器件主体220与其他分开。该方法涉及在FinFET前体200上形成SMT保护层。从而给予SMT这个名称。在完成SMT之后,可以执行进一步FinFET制造步骤。200上形成SMT保护层300。保护层300具有在约200埃和约2000埃范围内的厚度。(PAIKPAI将原子注入到源极/漏极(S/D)区中的鳍状件结构204中。402创建非晶区400。锗(Ge)是被注入的种类,并且注入能量在约25KeV和约30KeV的范围内。204,使得源极/漏极区被暴露至PAI工艺(形成非晶区400),同时保护栅极结构208(和FinFET200的其他部分)免于PAI工艺。远程预热具有约550°C的温度约180秒。