平面506平行于鳍状件结构204的纵轴502但是朝向衬底202的表面走向(run)。这样的平面506以约55度角与衬底202的表面交叉(intersect)。可以形成次级源极/漏极(S/D)区。/漏极(S/D)区900。/或液体前体,其与鳍状件结构204(例如,硅)的成分反应。(RTA)和/或激光退火工艺。204上形成的次级S/D区900。204的纵轴502和横轴对准。;对FinFET前体执行退火工艺;以及去除SMT保护层。对所述FinFET前体执行CMOS或MOS的制造工艺。