例如,为了对位5编程,把底部扩散区102a用作漏极,把底部扩散区102c用作源极。至于对位6,将底部扩散区102a当作漏极,而底部扩散区102b当作源极。100b有关的存储位置。manufactured.如图5a所示,首先,将高掺杂的N+注入到P-型硅衬底101中。后,如图5b所示,在N+掺杂层的顶部生长P-型硅外延层。phenomenon.结构100的栅耦合比例(“GCR”)是100%。EEPROM或闪速EEPROM单元的读电流。