銀焼成は、空孔率がその引張り機械特性に影響することがわかっている。ところが、銀焼成の疲労機械特性について未だ不明である。今回我々は多孔質銀焼成の薄膜試験片と銀膜の疲労試験を実施した。銀焼成膜は、高加圧条件(60MPa)で成膜し、空孔率は5%であった。疲労試験結果から、焼成膜の引張疲労強度は銀膜と比較して低下しやすいことが分かった。智洋ロームの高度な分析・解析技術により、PZT薄膜のドライエッチング中に起こる形態変化がPZTの結晶方位が変動する現象に起因することを突き止めた。健SiC,GaNのパワーデバイスを開発するだけでなく、それらを使いこなすための技術も伴わないと社会貢献することはできない。良彰IoT社会では、モノやヒトの状態や変化をセンシングして得られるデータを収集し、生産性や環境の改善、安全や安心の向上、セキュリティの強化等のアプリケーションで活用している。本講演では、デバイスにフォーカスし、IoTアプリケーション事例を述べ、将来技術としてのエネルギーハーベスティングについても述べた。電流形と電圧形を組み合わせたSiC-MOSFET用ハイブリッド形ゲート駆動回路の実機実験により、ターンオン損失が50%、ターンオフ損失が35%低減できることを実証した。佑輔SiC-MOSFETを高速に駆動できるゲート駆動回路についての報告。本ゲート駆動回路は補助キャパシタを用いており、この補助キャパシタを介してゲートに通常よりも高い電圧を印加することができ、ゲート電流を増加させることができる。これにより高速にゲートを充放電し、スイッチング損失を低減できる。実測でもこの効果を確認し、本回路の優位性を実証した。健SiC,GaNのパワーデバイスを開発するだけでなく、それらを使いこなすための技術も伴わないと社会貢献することはできない。接合層の機械特性を取得することが、信頼性システムを設計する上で非常に重要な要因となる。次世代接合材として注目される銀焼成は多孔質体でその機械特性が不明であった。今回我々は多孔質銀焼成の薄膜試験片と銀膜を用意した。銀焼成膜は、加圧力を変化させて作成している。引張試験結果から、銀焼成は銀膜と異なって伸びずに破壊し、高加圧力条件で高強度を示した。電流形と電圧形を組み合わせたSiC-MOSFET用ハイブリッド形ゲート駆動回路を提案し、シミュレーションにてゲート電圧の安定性とスイッチング損失の低減ができることを確認した。良彰IoT社会におけるPZTデバイスの位置付けについて述べ、ロームのPZTデバイス技術(メモリからセンサ/アクチュエータ)を概観した。最近の取組み事例として、「不揮発ロジックデバイス」と「ピエゾMEMSデバイス」を紹介した。本講演では、IoTにおけるセンサの重要性を示し、MEMSセンサ、及びIoT/ワイヤレスセンサネットワークについて述べ、更にはアプリケーション開拓に向けた検証としてのセンサソリューションについても述べた。良彰IoT世界においては、トリリオンセンサに代表されるように大量のセンサがネットワークでつながり、暮らしの省エネから快適性・安全性を高めていく。表示您同意使用Cookie。