右側の試料は第4原子層の一つのシリコン原子を不純物である窒素原子で置き換えてある[27],[28]。下図がシミュレーションによって得られた局所接触電位差(LCPD)像である。左右の両図で、表面の最も高い位置にあるシリコン原子の地点が黒い円となっている。左図と比べると、右図では不純物である窒素がドープされているあたりが茶色に変化している。不純物の窒素は表面とからは大分深い位置に存在しているが、この窒素のドープにより局所接触電位差が大きくマイナスにシフトしていることがわかる。―使用の手引き―この節では実際に計算する際の操作手順を示す。素を取り除いたもののトンネル電流像の計算手順である。述べたが、試料の周期構造に対応する並進ベクトルは”translational_vector”という設定項目から入力するようになっており、試料ファイルから読みだす機能はないので、入力した並進ベクトルが適切であるか気をつける必要がある。"maximum"とにそれぞれ、"-1.0"を入力する計算を始める。光の計算手順を示したものである。[New]を選択するプロジェクト名を入力して、"OK"をクリックする147探針モデルを選択する。表面モデルを選択する探針の位置を設定するソルバーを選択する量子論的像シミュレータの設定タブを選択する。選択する探針のバイアス電位を設定する"tip_bias_voltage"において、"minimum"、"maximum"、"Ndiv"にそれぞれ、"-4.0"、"+4.0"、"100"を入力する"Ndiv_kpoints"に"4"を入力するk-点の分割数を設定する。試料表面の並進ベクトルを設定する計算を開始する。節で結果を載せた、Si(001)表面が水素終端された試料の周波数シフト像を計算する手順である。探針の大きさに対して並進ベクトルの大きさが十分に大きくないと計算が破綻することがある。起動するアイコンをダブルクリックする新しいプロジェクトを作成するメニューバーの[New]-[File]を選択プロジェクト名を入力して"OK"をクリック148探針モデルを選択する表面モデルを選択する探針の初期位置を設定する。探針の走査領域を設定する。area"を選択すれば、走査領域を視覚的に表示することが可能である。選択する量子論的像シミュレータの設定タブを選択する。計算モードを選択する。入力する"tip"-"Ndiv"項目の"X","Y"に共に"20"を入力し、"Z"に"10"を入力する。Si(001)表面の局所接触電位差像の計算手順である。移動させた状態で力の計算を行う。