»トランジスタは、シリコンウェハー表面付近に作ります。個々のトランジスタが独立して動作するよう、隣り合う他のトランジスタとの干渉を防止する必要があります。そのため、トランジスタを形成する領域を分離します。その素子分離は、いくつかの方式があります。Isolation)という技術です。酸化+窒化膜成長シリコンウェハーを酸化しシリコン酸化膜を形成し、続いてCVD法でシリコン窒化膜を形成します。レジストパターン形成レジストパターンを形成します。浅溝形成レジストパターンをマスクにシリコン窒化膜、シリコン酸化膜、シリコンウェハーをエッチングし、浅い溝(trench、トレンチ)を掘ります。溝を掘った後、レジストパターンは除去します。埋め込み酸化膜成長CVD法で厚いシリコン酸化膜を形成し溝を埋めます。表面を研磨し余分なシリコン酸化膜を除去し、溝の中だけにシリコン酸化膜を残します。シリコン窒化膜を除去します。