シリサイド」)を成立させるため、ゲートの横方向(両サイド)の壁のみに酸化膜を形成します。サイドウォール酸化膜成長:ウェハー全面に酸化膜を形成します。サイドウォールエッチング:酸化膜に異方性(縦方向)のエッチングを施しゲート側壁のみに酸化膜を残します。サイドウォール酸化膜成長シリコンウェハー全面に、CVD法でシリコン酸化膜を形成します。サイドウォールエッチング全面に形成した酸化膜に異方性のエッチングを施すと、ゲート側壁のみに酸化膜を残すことができます。このようなレジストパターンを用いないエッチングは、エッチバックと言います。