エミッター電流は1.5mA(抵抗に掛かる電圧を数値換算).2「変調デバイスが壊れた状態」での100kc水晶発振部の波形。チョーク負荷だとこんな周波数になる。終段の入り口で測っているので、終段の影響も見れる。チョークのインダクタンスを替えると周波数も変る。雑誌記載ではチョーク負荷回路が多いが、現実はLCでの共振負荷にすべきだ。オシロからは高調波の存在も確認できる。3「変調デバイスが壊れた状態」ので被変調部の波形。VccにAF信号が重畳していない、素のVccで駆動。RF成分は180V超えだ。(200V近い).C級動作。入り口が2写真のようにRF12V程度,出口がRF200V近傍と9V印加でのC級動作での波形でもここまで昇圧できる。乾電池が9Vなので結構なPOWERが終段入力されていることが分かる。平均値の△倍になるので、それだけの電流(電力)が流れても壊れない半導体を選ぶ。4「変調デバイスを新品交換した状態」での被変調部の波形。上の3と同じポイントで測っているが、波形が違う。変調が浅いことも分かる。加算回路(搬送波+移相発振)による変調のように見えるが、加算ならRF強さが150V程度あるはず。この波形をこのオシロで見るとこうなる。「実験で変調トランスレス変調を学習する」に手頃な基板になった。軽微なC級作動確認もできるのでhfeに依存するかどうかも実験で確認できる。終段と変調デバイスを同じ型番にすると、終段が壊れる前に「トランスレス変調デバイス」が過電流で壊れることが体験できた。このマーカー基板で遊んでみたい方は、連絡ください(2枚送ります)。SASEにて受け付けます。この実験結果とAMトランスミッターの実験情報を基にして、次に進む。(水)elecrowに手配した。山中教授からのお願いがある。ここに紹介されている。非正規雇用の方々が担っている。これは亡国の入り口だろう。*********************************マーカー基板はRFチョーク負荷⇒LC共振に換えてみた。高調波を出すための「歪ませる技術」習得が目的になる。AM変調が乗っているので安易なダイオード採用はできないだろうと想う。7mAほど流れていた。このままで実用面では支障はないがBUFFERを足してみた。終段の電流値を確認したい。トランスミッターになる。段間トランスで適正市販品がないので、段間トランスは自作になる。以上2枚を今朝手配した。寸法が0.07mmほど変化することだろう。cadで基板製作した時から気ついていた。基板上に配置した部品の脚ピッチがライブラリーデータと同一かときおり確認する方が良い。LA1201ラジオ基板は川崎税関に届いたので、明日届くだろう。(土)Ver2.1基板が届いた。******************************Ver2.1基板が届いた。上のがver2.1.下はver2基板。高調波が上手にでるかどうか?これでダメなら、「oscは抵抗負荷」⇒バッファー⇒被変調段(抵抗負荷)⇒バッファー(抵抗負荷)の構成でトライ。