三菱電機は2014年7月、SiC(炭化ケイ素)を用いたMOSFETとダイオードを使った“フルSiC”構成の家電向け小型パワー半導体モジュールを発売した。2014」(東京ビッグサイト)で展示される。});三菱電機は2014年7月16日、次世代パワー半導体材料として注目を集める「SiC」(炭化ケイ素)を用いたMOSFETとダイオードを使った“フルSiC”の超小型DIPPFC*1)を発売した。入力実効電流20A、耐圧600Vの家電向けパワー半導体モジュールで、サンプル価格は1万円(税別)。*1)力率改善回路と駆動/保護用制御ICを内蔵したトランスファモールドタイプのインテリジェントパワー半導体モジュール新製品はトランジスタ部にSiC-MOSFETを、ダイオード部にSiC-SBD(ショッキーバリアダイオード)を搭載し、電力損失を従来のシリコントランジスタ/シリコンダイオード搭載製品に比べて45%低減したという。SiC-MOSFETの採用により、最大40kHzという高速スイッチング動作を実現し、パワー半導体モジュール周辺のリアクトルやヒートシンクといった部品サイズを小型化できる。PFC(力率改善)回路と駆動ICを内蔵しているため、システム面積の縮小や配線パターンの簡略化なども行いやすくなっている。PFC回路はインターリーブ動作し、電流リプルを抑え、ノイズフィルター回路を簡素化できる。DIPPIM」*2)と同一パッケージを採用している。サイズは、24.0×38.0×3.5mmとなっている。2014」(東京ビッグサイト)で、新製品の展示を行うとしている。山手線の新型車両「E235系」がSiCパワー半導体を採用へJR東日本は2014年7月、2015年秋頃に山手線で営業運転を開始する新型電車車両「E235系」の主制御器に、SiC(炭化ケイ素)を使用したパワー半導体を搭載すると発表した。寿命「30億年」に「10年」が挑む次世代パワー半導体の旗手として脚光を浴びるSiC(炭化ケイ素、シリコンカーバイド)。SiCパワー半導体を利用したシステム製品も登場しており、次は自動車への採用に期待が掛かる。SiCにはまだまだ課題が残っていた。2013」(2013年7月17〜19日、東京ビッグサイト)では、GaN/SiCを用いた次世代パワー半導体製品の展示が相次いだ。各社のGaNデバイス、SiCデバイスの展示を紹介する。LLC.ITmediaはアイティメディア株式会社の登録商標です。