次回は、初段のロードラインを設計しようと思います。15:41今回は、初段6N3P-Eのロードラインの設計です。初段設計の際は、以下の制約があります。a.デカップリング時定数は、段間の時定数よりも、充分大きいのが望ましい。NFB量が-6dB以下でしたら、とりあえず、デカップリング抵抗10KΩくらい、コンデンサ-が33~47μFなら時定数は、0.33~0.47で段間の時定数の10倍ほどになりますので、このあたりの常識的な数値なら問題ないのでは?。(汗b.負荷抵抗は、真空管の内部抵抗よりも大きくなければならない。c.バイアス-1V以下は、初速度電流領域なので使用しない。初段のロードラインの検討には、6N3P特性図を使用します。http://www.mif.pg.gda.pl/homepages/frank/sheets/113/6/6N3P.pdf以前に製作した6BQ7-6CH6アンプの初段6BQ7の動作条件と同じ定数にして、ピンアサインを6BQ7系にすれば、おそらく6R-HH2や6DJ8も使用できると思います。今回は、出力段との二次歪み打ち消しを行うために、ほんのちょっとバイアスを深く設定しました。初段動作は、上記の動作点に決定しました。出力段に使用する6P15Pには、グリッドリーク抵抗300KΩの制限がありますので、負荷27KΩの場合の交流負荷は24.8KΩになりますので、注意が必要です。http://www.mif.pg.gda.pl/homepages/frank/sheets/113/6/6P15P.pdfデータシートに下記のような記載があります。4V注記の意味がイマイチ判らなくてさんざん悩んでいたのですが、長島氏に教えて貰いました。(滝汗カソードバイアスの電圧値が10V以上ならば1MΩまで4V以上ならば300KΩまで4V未満は禁止の意味になります。6080の規格表にほぼ同様な表記があります。誠に貴重なご助言ありがとうごいました。(^O^)ちなみに、スクリーン耐圧は330Vです。【電源平滑部】の設計まず、電源トランスT-2Vの出力電圧を予想します。P.111に書いてあります。5mA270KΩのブリーダーとすれば、0.85mAとすると、回路に流れる総電流は、合計39.85mAです。回路の総電流39.85mAで割れば電源平滑部の抵抗値が求まります。次回は、ゲイン配分の確認と、最大出力の計算をご紹介する予定です。17:22引き続き、6N3PE-6P15PEVシングルアンプの設計です。今回は、回路のゲイン配分と最大出力を確認します。これを実施しておかないとNFBを掛けたら出力段バイアスをフルスイングできなくなった!という事が起こりがちです。私自身、何度も経験しました。したので、とりあえず、グラフが読みやすいように、初段を±1Vスイングさせると、基準のバイアス-2.5Vを中心にして24.8KΩロードライン上の、バイアス-1.5Vから-3.5Vまでスイングします。144V-125V=19V特性曲線の右下のバイアスの間隔が詰まっているので、カットオフ側【19V側】は、どん詰まりになって、このように歪む訳です。(←二次歪みの発生)シングル二段増幅は、初段と出力段の位相が逆になるので、このどん詰まりの【19V側】は、出力段のゼロバイアス側をスイングする事になります。(←コレ重要)出力段のバイアスは、-7.3Vですので、7.3Vを19Vで、割ると、7.3÷19V=0.384まあなんと言いますか、アタマの中で仮に、NFBが掛かって初段のゲインが、0.384倍になった。初段のゲインは変化しないのですけど、便宜上そう考えて下さい。(汗いっぽう、初段のゼロバイアス側【23V側】は、23V×0.384=8.83Vとなり、NFBがかかって、初段のゲインが、0.384倍されたと想像すると。23V×0.384=8.83Vとなって、初段をワザと歪ませると、出力段のバイアスを、カットオフ側に-8.83V。1.53V分を余計に、オーバー・スイングしてくれる訳です。