Connection)http://www.mif.pg.gda.pl/homepages/frank/sheets/154/e/EL32.pdfEL32動作基準点は、プレート電圧218V、プレート電流17.5mA、バイアス-20.5V、負荷7KΩ、カソード抵抗1.2KΩとします。出力段の動作点が決定したら、後は【B電圧】を求めます。(6AV6/12AX7/6N2P-EV)http://www.mif.pg.gda.pl/homepages/frank/sheets/093/6/6AV6.pdf実際に使用する球は、手持ちの関係から、12AX7の6.3V専用球の6N2P-EV-OSを使用します。したので、とりあえず、グラフが読みやすいように、初段を±1Vスイングさせると、基準のバイアス-2Vを中心にして87.2KΩロードライン上の、バイアス-1Vから-3Vまでスイングします。222V-190V=32V特性曲線の右下のバイアスの間隔が詰まっているので、カットオフ側【32V側】は、どん詰まりになって、このように歪む訳です。(←二次歪みの発生)シングル二段増幅は、初段と出力段の位相が逆になるので、このどん詰まりの【32V側】は、出力段のゼロバイアス側をスイングする事になります。(←コレ重要)出力段EL32のバイアスは、-20.5Vですので、20.5Vを32Vで、割ると、20.5÷32V=0.64まあなんと言いますか、アタマの中で仮に、NFBが掛かって初段のゲインが、0.64倍になった。初段のゲインは変化しないのですけど、便宜上そう考えて下さい。(汗いっぽう、初段のゼロバイアス側【54V側】は、54V×0.64=34.6Vとなり、NFBがかかって、初段のゲインが、0.64倍されたと想像すると。54V×0.64=34.6Vとなって、初段をワザと歪ませると、出力段のバイアスを、カットオフ側に-34.6V。14.1V分を余計に、オーバー・スイングしてくれる訳です。