対応のブラウザで見てください。対応のブラウザで見てください。ID:CAP_USERサムスン電子は21日、回路線幅を既存製品よりさらに微細化した「第3世代」のDRAMを世界で初めて開発したと発表した。第2世代のDRAMを開発してからわずか1年4カ月で次世代製品を発表したことになる。正確な回路線幅を明らかにしていないが、今年下半期から本格的な量産と販売を開始する。サムスン電子は3年前に回路線幅10ナノメートル台のDRAMの生産を開始した。その製品を第1世代と位置づけ、徐々に回路線幅を狭めた。第3世代を第1世代と比較すると、回路線幅が10%以上狭まったという。メモリー半導体では、回路線幅が微細であるほど、1枚のウエハーで生産できるDRAMの個数が増えるほか、半導体の電力消費量も抑えられる。サムスン電子は第3世代製品の生産性が前世代の製品よりも20%改善し、データ処理速度も速まったと説明した。サムスン電子メモリー事業部の李禎培(イ・ジョンベ)副社長は「微細工程の限界を克服し、次世代のメモリー半導体を迅速に投入している。今後もプレミアム級のDRAMのラインアップ拡大に継続的に投資を行い、未来技術をリードしていく」と述べた。ID:pg9ZZgxO>>3というか、単に歩留まりが偉い事に成っていると思われる。ID:goeiOPQO韓国が開発したと言っても、なんか裏がありそうで信用出来ないんだよなあ。ID:afN97vliいつもの株価対策だろ、もう誰も製品が出るまで騙されないよ。ID:YFNzYpe4つーか、10nm「台」って表現は余所のメーカーしてません。世代表現もSamsungしかしてません。○×nmのプロセスルールで生産とボカさず記載します。歩留まりについて何も語ってないので、完全に株価対策ですね。ID:RVtRlDMD今のレベルからの微細化でブレイクスルーとか競争力アップとかあるんだろうか?基地局・スマホ・一般的な作業量(搭載量)がピークアウトしてるからメモリ半導体に未来があるようには思えないんだけどね。おまけに中国も参入するし。ID:3oIzgtvY3年前が第1世代って適当過ぎるわ。ID:NKwzp3No??TSMCが去年7nmノードの生産始めててEUV露光の第2世代を第2四半期に始めるんだけど。来年には5nmの量産始めるってさ。intelもサムスンも置いていかれてるぞ。対応のブラウザで見てください。01:05ID:.TnO4xHS0昔からサムスンって何十ナノ台って言った時は何十ナノの後半なんだよね~例えば30ナノ台って言った時は38とか37とかで他所は33とか34ナノで30ナノ台って言ってた。他所が次の20ナノ台を開発してる時に28ナノ辺りを発表して世界で初めて20ナノ台を開発したとか発表する。他所はその後23ナノ辺りを発表する。ddr4とGDDR5、HBMの三つ。03:12ID:aioZ1gQg0つまるところ、困った時の嘘頼み、って事だよな。実に朝鮮人らしいが、痺れも憧れもしないから早よ逝ね。シナとメリケンが今年中には止め刺してくれるだろ。04:09ID:V2vN40tR0んで、使えるの?それ。06:19ID:22T7MnxC0サムスンの企業としての開発力はすごいけど、韓国人の開発力のすごさではない。半導体関連の学会でのサムスンの技術的発表は、元インテル、AMD出身者などが行っており韓国人ではない、つまり技術的成果は引き抜いた外国人が出しているだけ、そんなんだからいつまで立っても韓国人はノーベル賞に手が届かない。06:22ID:hI0sjKnJ0半導体製造装置の進化は凄いね。07:14ID:eX5Q78WK0>>13文ちゃんの頭にセットかな(^。値上がりするからちゃんとPCの更新とか済ませて置けよ。09:04ID:hidxOdCg0>>4ああ、そういうぼかし方か。製造装置を使いこなせなくて太さ(幅?)が安定しないのかと思ったよ。ライブドアブログアクセスランキング。